1.一种层叠结构体，其特征在于，是直接或介由其他层将含有具有刚玉结构的结晶性氧化物作为主要成分的晶体膜在具有刚玉结构的晶体基板上层叠而成的，所述晶体基板具有0.2°～12.0°的偏离角，所述结晶性氧化物包含选自铟、铝、以及镓中的一种或两种以上的金属。
2.如权利要求1所述的层叠结构体，其特征在于，
所述晶体基板的偏离角为1°～8°。
3.如权利要求1或2所述的层叠结构体，其特征在于，
晶体基板为c面、m面、a面或r面的蓝宝石基板。
4.如权利要求1至3中任意一项所述的层叠结构体，其特征在于，
晶体膜的膜厚为1μm以上。
5.如权利要求1至4中任意一项所述的层叠结构体，其特征在于，
利用原子力显微镜测定的晶体膜的膜表面的中心线平均粗糙度Ra为10nm以下，最大高低差(P-V值)为100nm以下。
6.如权利要求1至5中任意一项所述的层叠结构体，其特征在于，
所述结晶性氧化物是半导体。
7.如权利要求6所述的层叠结构体，其特征在于，
所述晶体膜还含有掺杂剂。
8.一种层叠结构体的制造方法，其特征在于，使原料溶液雾化产生雾，然后，向所述雾供给载气，利用所述载气将所述雾供给给基板，使所述雾发生热反应，将由结晶性氧化物构成的晶体膜层叠于所述基板表面的一部分或全部，
所述基板是具有刚玉结构的晶体基板，所述晶体基板具有0.2°～12.0°的偏离角，所述原料溶液包含选自铟、铝、以及镓的一种或两种以上的金属。
9.如权利要求8所述的层叠结构体的制造方法，其特征在于，
使热反应在400℃～700℃的温度下进行。
10.如权利要求8或9所述的层叠结构体的制造方法，其特征在于，
所述晶体基板的偏离角为2°～5°。
11.如权利要求8至10中任意一项所述的层叠结构体的制造方法，其特征在于，
晶体基板为c面、m面、a面或r面的蓝宝石基板。
12.一种半导体装置，其特征在于，其至少具备权利要求6或7所述的层叠结构体和电极。
13.一种晶体膜，其特征在于，含有具有刚玉结构的结晶性氧化物作为主要成分，所述晶体膜具有0.2°～12.0°的偏离角，所述结晶性氧化物包含选自铟、铝、以及镓的一种或两种以上的金属。
14.如权利要求13所述的晶体膜，其特征在于，
所述晶体膜的偏离角为1°～8°。
15.如权利要求13或14所述的晶体膜，其特征在于，
所述晶体膜为c面、m面、a面或r面的晶体膜。
16.如权利要求13至15中任意一项所述的晶体膜，其特征在于，
所述晶体膜的膜厚为1μm以上。
17.如权利要求13至16中任意一项所述的晶体膜，其特征在于，
利用原子力显微镜测定的晶体膜的膜表面的中心线平均粗糙度Ra为10nm以下，最大高低差(P-V值)为100nm以下。
18.如权利要求13至17中任意一项所述的晶体膜，其特征在于，
所述结晶性氧化物是半导体。
19.如权利要求18所述的晶体膜，其特征在于，
所述晶体膜还含有掺杂剂。
20.一种半导体装置，其特征在于，其至少具备权利要求18或19所述的晶体膜和电极。