技术总结
提供结晶性优异的层叠结构体和迁移率良好的上述层叠结构体的半导体装置。该层叠结构体的特征在于，是直接或介由其他层将含有具有刚玉结构的结晶性氧化物作为主要成分的晶体膜在具有刚玉结构的晶体基板上层叠而成的，上述晶体基板具有0.2°～12.0°的偏离角，上述结晶性氧化物包含选自铟、铝、以及镓中的一种或两种以上的金属。
技术研发人员：织田真也;高塚章夫;人罗俊实
受保护的技术使用者：FLOSFIA株式会社
文档号码：201580047084
技术研发日：2015.08.28
技术公布日：2017.05.31