1.一种堆叠封装，该堆叠封装包括：
基板；
第一半导体芯片，所述第一半导体芯片安装在所述基板上方；
支承构件，所述支承构件设置在所述基板和所述第一半导体芯片上方，并与所述基板和所述第一半导体芯片分开；以及
多个第二半导体芯片，所述多个第二半导体芯片堆叠在所述支承构件上方。
2.根据权利要求1所述的堆叠封装，其中，所述支承构件形成为在一个方向上跨过所述基板延伸。
3.根据权利要求1所述的堆叠封装，其中，所述支承构件形成为这样的线型，即，覆盖所述基板的顶表面的第一部分并且暴露所述基板的所述顶表面的在所述第一部分外的第二部分。
4.根据权利要求3所述的堆叠封装，其中，所述基板包括在所述第二部分上方的接合指，所述接合指与所述第二半导体芯片电连接。
5.根据权利要求4所述的堆叠封装，其中，所述堆叠封装还包括：
导电连接构件，所述导电连接构件将所述第二半导体芯片和所述接合指电连接。
6.根据权利要求5所述的堆叠封装，其中，所述导电连接构件包括导线。
7.根据权利要求1所述的堆叠封装，其中，所述支承构件包括核心基板或金属合金板。
8.根据权利要求1所述的堆叠封装，其中，所述堆叠封装还包括：
成型部件，所述成型部件填充所述基板、所述第一半导体芯片以及所述支承构件之间的空间，并包住所述第一半导体芯片、所述支承构件以及所述第二半导体芯片。
9.根据权利要求1所述的堆叠封装，其中，所述第二半导体芯片的面积大于所述第一半导体芯片的面积。
10.根据权利要求1所述的堆叠封装，其中，所述支承构件的面积大于所述第一半导体芯片的面积，并且等于或大于所述第二半导体芯片的面积。
11.根据权利要求1所述的堆叠封装，其中，所述堆叠封装还包括：
粘合构件，所述粘合构件使所述支承构件和最低的第二半导体芯片附接。
12.根据权利要求11所述的堆叠封装，其中，所述支承构件具有容纳有所述粘合构件的多个开口的网格形状。
13.根据权利要求12所述的堆叠封装，其中，所述粘合构件包括：
第一部分，所述第一部分插置在所述最低的第二半导体芯片的底表面与所述支承构件的顶表面之间；以及
第二部分，所述第二部分容纳在所述开口中。
14.根据权利要求12所述的堆叠封装，其中，所述粘合构件形成为被完全容纳在所述开口中。
15.根据权利要求12所述的堆叠封装，其中，所述开口被构造成允许所述粘合构件与所述支承构件和最低的第二半导体芯片附接，而不增加所述堆叠封装的厚度。
16.根据权利要求12所述的堆叠封装，其中，所述粘合构件包括：
第一部分，所述第一部分插置在所述支承构件的顶表面与所述最低的第二半导体芯片的底表面之间；
第二部分，所述第二部分容纳在所述开口中；以及
第三部分，所述第三部分设置在所述支承构件的底表面下方。
17.根据权利要求1所述的堆叠封装，其中，所述堆叠封装还包括：
粘合构件，所述粘合构件与所述支承构件和第二半导体芯片两者均接触，
其中，所述支承构件包括构造成容纳所述粘合构件的开口。
18.一种制造堆叠封装的方法，该方法包括以下步骤：
将第一半导体芯片分别安装到多个单元基板上方，所述多个单元基板形成在带状基板上方；
在所述带状基板上方设置坝；
在所述坝的上方设置支承构件，使得所述支承构件与所述带状基板和所述第一半导体芯片分开并且跨过所述单元基板延伸；以及
在所述单元基板上方的所述支承构件上方堆叠多个第二半导体芯片。
19.根据权利要求18所述的方法，其中，所述坝设置在所述带状基板的在一个方向上彼此相反的两个端部上方。
20.根据权利要求18所述的方法，其中，所述坝设置在所述带状基板的在一个方向上彼此相反的两个端部上方，并且设置在所述带状基板的两个端部之间的一个或更 多个位置处。
21.根据权利要求18所述的方法，其中，所述坝各自形成为在与所述支承构件的纵向基本垂直的方向上延伸的线型。
22.根据权利要求18所述的方法，其中，所述坝各自由在与所述支承构件的纵向基本垂直的方向上设置的多个结构形成。
23.根据权利要求18所述的方法，其中，所述坝由阻焊膜或虚拟芯片形成。
24.根据权利要求18所述的方法，其中，所述支承构件由核心基板或金属合金板形成。
25.根据权利要求24所述的方法，其中，所述核心基板包括浸有树脂的玻璃纤维基板。
26.根据权利要求24所述的方法，其中，所述金属合金板包括含有FeC和MnCr中的至少一种的合金板。
27.根据权利要求18所述的方法，其中，所述支承构件包括开口。
28.根据权利要求18所述的方法，其中，在堆叠所述第二半导体芯片之前，所述方法还包括以下步骤：
在所述第二半导体芯片的底表面下方形成粘合构件，
其中，以如下方式执行所述第二半导体芯片的堆叠，即，借助于所述粘合构件，最低的第二半导体芯片与所述支承构件附接，并且所述第二半导体芯片被附接。
29.根据权利要求28所述的方法，其中，所述支承构件包括被构造成容纳所述粘合构件的一个或更多个开口。
30.根据权利要求18所述的方法，其中，在堆叠所述第二半导体芯片之后，所述方法还包括以下步骤：
形成成型部件，所述成型部件填充所述带状基板、所述第一半导体芯片以及所述支承构件之间的空间，并包住所述第一半导体芯片、所述支承构件以及所述第二半导体芯片。
31.根据权利要求30所述的方法，其中，在堆叠所述第二半导体芯片之后以及在形成所述成型部件之前，所述方法还包括以下步骤：
形成导电连接构件，所述导电连接构件将所述第二半导体芯片的接合焊盘和所述单元基板电连接。
32.根据权利要求31所述的方法，其中，所述导电连接构件包括导线。
33.根据权利要求30所述的方法，其中，在形成所述成型部件之后，所述方法还包括以下步骤：
通过切割所述成型部件、所述支承构件以及所述带状基板而使所述堆叠封装个体化，使得所述堆叠封装被每个单元基板的单元分开。