1.一种制造集成电路芯片的方法，包括：
在集成电路芯片的衬底上制作铜种子层，并使该铜种子层与金属焊盘耦接，该金属焊盘耦接至衬底中的集成电路；
在铜种子层上电镀制作铜以形成第一铜层；
在第一铜层上电镀制作铜以形成第二铜层；
在第二铜层上电镀制作焊料层；
在第一铜层、第二铜层和焊料层的表面上化学镀锡以形成锡覆层；以及
对锡覆层进行热处理以在第一铜层和第二铜层的上表面形成锡-铜中间金属覆层。
2.如权利要求1所述的方法，其中金属焊盘包括所述集成电路芯片的输入/输出焊盘。
3.如权利要求2所述的方法，其中所述第二铜层包括电气耦接至所述集成电路芯片的输入/输出焊盘的再布线层。
4.如权利要求3所述的方法，其中所述第二铜层还包括电气耦接至所述再布线层的铜柱。
5.如权利要求1所述的方法，其中，所述铜种子层制作于所述衬底上的钝化层上。
6.如权利要求5所述的方法，其中，所述钝化层包括形成于所述金属焊盘上方的多个微型通孔。
7.如权利要求5所述的方法，所述钝化层包括氮化硅。
8.如权利要求1所述的方法，其中对锡覆层进行热处理包括：
采用回流的工艺步骤对焊料层回流以形成焊料凸起。
9.一种集成电路芯片，包括：
衬底，制作有集成电路；
金属焊盘，位于衬底上并电气耦接至所述集成电路；
再布线层，电气耦接至所述金属焊盘；
铜柱，位于所述再布线层上并电气耦接至所述再布线层；
焊料凸起位于所述铜柱上并与所述铜柱电气耦接；以及
锡-铜中间金属覆层，形成于所述铜柱和所述再布线层的表面上。
10.如权利要求9所述的集成电路芯片，其中所述金属焊盘包括所述集成电路芯片的输入/输出焊盘。
11.如权利要求9所述的集成电路芯片，其中，所述焊料凸起包括锡。
12.如权利要求9所述的集成电路芯片，其中，所述金属焊盘包括铝。
13.如权利要求9所述的集成电路芯片，进一步包括位于所述金属焊盘和所述再布线层之间的铜种子层。
14.如权利要求13所述的集成电路芯片，其中，所述铜种子层包括钛-铜堆叠。
15.如权利要求13所述的集成电路芯片，其中所述锡-铜中间金属覆层形成于所述铜种子层的表面上。
16.一种集成电路芯片包括：
衬底，制作有集成电路；
第一铜结构，包括形成于被电气耦接至所述集成电路的第一金属焊盘上的第一铜柱、形成于该第一铜柱上的第一焊料凸起和覆盖于第一铜结构表面的第一中间金属覆层；以及
第二铜结构，与所述第一铜结构相邻，该第二铜结构包括被电气耦接至所述集成电路的第二金属焊盘上的第二铜柱、形成于该第二铜柱上的第二焊料凸起和覆盖于第二铜结构表面的第二中间金属覆层。
17.如权利要求16所述的集成电路芯片，进一步包括：
第一再布线层位于所述第一铜柱和所述第一金属焊盘之间并且将所述第一铜柱和所述第一金属焊盘电气连接；以及
第二再布线层位于所述第二铜柱和所述第二金属焊盘之间并且将所述第二铜柱和所述第二金属焊盘电气连接。
18.如权利要求16所述进一步包括：
钝化层，形成于所述第一金属焊盘和所述第一铜柱之间并且形成于所述第二金属焊盘和所述第二铜柱。
19.如权利要求18所述的集成电路芯片，其中所述钝化层包括多个第一微型通孔和多个第二微型通孔，所述第一铜柱通过所述多个第一微型通孔电气连接至所述第一金属焊盘，所述第二铜柱通过所述多个第二微型通孔电气连接至所述第二金属焊盘。
20.如权利要求16所述的集成电路芯片，其中所述第一中间金属覆层包括锡-铜中间金属覆层。