1.一种大面积非层状结构NiSe纳米薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1) NiSe纳米薄膜的制备：选择厚度为50 μm、纯度为99.99%的Ni箔在通有10 sccm H2和20 sccm Ar 的低压气氛中，450-550 ℃退火25-35 min，去除Ni箔表面的氧化物；退火完之后，利用电子束蒸发的方法在Ni箔表面沉积ZnSe薄膜，在整个沉积过程中，真空度保持在1×10-4-3×10-4 Pa；随后将ZnSe/Ni箔在1.5×10-4-2.5×10-4 Pa的真空度下650-750 ℃退火25-35 min，得到NiSe纳米膜；
(2) NiSe纳米薄膜的转移：在50 μm厚的Ni箔表面得到的NiSe纳米薄膜上旋涂浓度为80-120 mg/ml PMMA，旋涂条件为：先在400-600 r/min的转速下匀胶甩胶5-7 s，然后在1500-2500 r/min的转速下匀胶30-50 s；旋涂完之后放置于加热台上70-90 ℃烘烤4-6 min；然后将PMMA/NiSe/Ni箔放入2.0 mol/L FeCl3的溶液中刻蚀Ni箔；在Ni箔刻蚀完之后，将PMMA/NiSe膜放置于去离子水中清洗其表面残留的FeCl3刻蚀液；接着，将SiO2/Si基底捞起PMMA支撑的NiSe纳米薄膜；待完全风干后，将PMMA/NiSe/SiO2/Si放置于通有10 sccm H2和20 sccm Ar 的低压气氛中，350-450 ℃退火1-3 h除去PMMA，即得到了转移至SiO2/Si基底上的NiSe纳米薄膜；
(3) NiSe纳米薄膜光探测器的构筑：在NiSe纳米薄膜转移至SiO2/Si基底上后，利用光刻的方法构造出长度为5 μm，宽度为10 μm的沟道；通过高真空热蒸发系统沉积10/35 nm Cr/Au来制作电极。