技术总结
本发明公开了一种大面积非层状结构NiSe纳米薄膜的制备方法，其包括 NiSe纳米薄膜的制备、NiSe纳米薄膜的转移、NiSe纳米薄膜光探测器的构筑等步骤。本发明通过固相反应法生长得到的非层状结构的NiSe纳米薄膜质量好，晶粒尺寸大，晶界数量少；基于本发明高质量的NiSe纳米薄膜制备的光电探测器，获得的光电流比NiSe纳米晶薄膜提高了4个数量级；本发明制备工艺简单，成本低廉，具有较好的实用价值，而且这种方法可以被用来制备其他与传统平面工艺兼容的非层状结构材料纳米薄膜。
技术研发人员：王敏;蔡曹元;马杨;黄帆;贾飞翔;许智豪;吴从军
受保护的技术使用者：合肥工业大学
文档号码：201610476569
技术研发日：2016.06.27
技术公布日：2016.11.16