一种光探测器件的制作方法

文档序号:12370103阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种光探测器件,具有注塑壳体、一个发射辐射的半导体芯片和多个探测辐射的半导体芯片,其中在所述注塑壳体中构成第一腔和第二腔,所述第一腔为由内壁和底壁围成的圆台形腔,所述圆台形腔的截面为正立等腰梯形,所述第二腔为由外壁、内壁和底壁围成的环绕第一腔的环形腔,所述环形腔的截面为倒置等腰梯形;所述发射辐射的半导体芯片具有适合于产生辐射的有源层并且所述发射辐射的半导体芯片设置在所述第一腔中,所述多个探测辐射的半导体芯片具有适合于探测辐射的有源层并且所述多个探测辐射的半导体芯片设置在所述第二腔中,并且所述多个探测辐射的半导体芯片均匀环绕布置在所述发射辐射的半导体芯片。

2.根据权利要求1所述的光探测器件,其特征在于,还包括在所述第一腔的内壁的内侧和外侧涂覆的反射层,以及外壁内侧涂覆的反射层。

3.根据权利要求2所述的光探测器件,其特征在于,所述反射层的材质优选为银。

4.根据权利要求1所述的光探测器件,其特征在于,还包括填充所述第一腔的第一填充料和填充所述第二腔的第二填充料。

5.根据权利要求4所述的光探测器件,其特征在于,所述第一和第二填充料都包括环氧树脂材料。

6.根据权利要求5所述的光探测器件,其特征在于,所述第二填充料中嵌入吸收颗粒,所述吸收颗粒适合于至少部分地吸收由所述发射辐射的半导体芯片发射的辐射。

7.根据权利要求1所述的光探测器件,其特征在于,所述底壁包括用于搭载所述发射辐射的半导体芯片和多个探测辐射的半导体芯片的多个导电载片以及多个电极片。

8.根据权利要求7所述的光探测器件,其特征在于,所述发射辐射的半导体芯片和多个探测辐射的半导体芯片分别通过导线与相应的所述多个电极片电连接。

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