1.一种QLED的制备方法，其特征在于，包括：
步骤A、在基板表面依次沉积一层空穴注入层和空穴传输层；
步骤B、在空穴传输层表面沉积量子点发光层；
步骤C、在量子点发光层表面依次沉积电子传输层和电子注入层；
步骤D、将沉积完各功能层的基板上制作阴极，其中，所述阴极包含用于增大功函数的界面修饰层。
2.根据权利要求1所述的QLED的制备方法，其特征在于，所述步骤A之前还包括：对基板进行清洗，然后烘干备用。
3.根据权利要求1所述的QLED的制备方法，其特征在于，所述阴极从下至上依次包括：Phen-NaDPO、LiF和Al。
4.一种QLED，其特征在于，从下至上依次包括：基板、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层、电子注入层和阴极，其中，所述阴极包含用于增大功函数的界面修饰层。
5.根据权利要求4所述的QLED，其特征在于，所述阴极从下至上依次包括：Phen-NaDPO、LiF和Al。
6.根据权利要求5所述的QLED，其特征在于，所述Phen-NaDPO的厚度为1~30nm。
7.根据权利要求5所述的QLED，其特征在于，所述Al的厚度为100nm。
8.根据权利要求4所述的QLED，其特征在于，所述空穴传输层的厚度为1~100nm。
9.根据权利要求4所述的QLED，其特征在于，所述量子点发光层的厚度为10~100nm。
10.根据权利要求4所述的QLED，其特征在于，所述电子注入层的材料为Ca、Ba或CsCO3。