技术总结
本发明公开一种QLED及其制备方法。制备方法包括：步骤A、在基板表面依次沉积一层空穴注入层和空穴传输层；步骤B、在空穴传输层表面沉积量子点发光层；步骤C、在量子点发光层表面依次沉积电子传输层和电子注入层；步骤D、将沉积完各功能层的基板上制作阴极，其中，所述阴极包含一层用于增大功函数的界面修饰层。本发明通过在阴极中增加一层界面修饰层，从而增加电极的功函数，增加注入势垒，使得电子空穴在量子点发光层能更好的平衡，增加有效复合概率，从而增强QLED发光性能。
技术研发人员：刘佳
受保护的技术使用者：TCL集团股份有限公司
文档号码：201610801474
技术研发日：2016.09.05
技术公布日：2016.11.23