1.一种复合物，其特征在于，所述复合物包括硅、硅氧化物和硅酸盐，所述硅酸盐中的阳离子元素为还原剂元素，且Si、O和还原剂元素均匀分布；
其中，所述硅氧化物的化学组成为SiOx，0<x≤2。
2.根据权利要求1所述的复合物，其特征在于，所述复合物中还包括还原剂和/或还原剂的氧化物，且复合物中的Si、O和还原剂元素均匀分布，所述还原剂元素来自于硅酸盐以及还原剂和/或还原剂的氧化物；
优选地，所述还原剂为Li、Na、Mg、Al、Ca、Zn或Fe中的任意一种或至少两种的混合物；
优选地，以所述复合物的总质量为100％计，所述还原剂和/或还原剂的氧化物的质量百分含量为0.5～50％。
3.如权利要求1或2所述的复合物的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
(1)将硅氧化物和/或制备硅氧化物的原料以及还原剂和/或制备还原剂的原料置于真空炉中；
(2)在负压环境下加热并保温，得到SiO蒸汽和还原剂蒸汽，然后凝结，出料，得到复合物。
4.根据权利要求3所述的复合物的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述硅氧化物的化学组成为SiOx，其中0<X<2；
优选地，所述制备硅氧化物的原料为SiO2与还原性物质的混合物；
优选地，所述制备还原剂的原料为还原剂的氧化物和/或还原剂的盐类与还原性物质的混合物；
优选地，所述还原性物质为Si、C、Mg、Al、Li、Na、Ca、Zn、Fe或硅铁粉中的任意一种或至少两种的混合物；
步骤(1)所述还原剂为Li、Na、Mg、Al、Ca、Zn或Fe中的任意一种或至少两种的混合物；
优选地，步骤(1)的具体过程为方案A、方案B或方案C中的任意一种，
其中，所述方案A为：将硅氧化物和/或制备硅氧化物的原料以及还原剂和/或制备还原剂的原料先混合，然后再投入到真空炉中；
所述方案B为：将硅氧化物和/或其制备硅氧化物的原料放置于真空炉中的靠近炉尾一端，将还原剂和/或制备还原剂的原料放置于真空炉中的靠近炉口一端；
所述方案C为：将硅氧化物和/或制备硅氧化物的原料放置于真空炉中的靠近炉口一端，将还原剂和/或制备还原剂的原料放置于真空炉中的靠近炉尾一端；
优选地，步骤(2)所述负压环境的真空度为0～5000Pa；
优选地，步骤(2)所述加热的温度为500～1500℃，优选为1000～1400℃；
优选地，步骤(2)所述保温的时间为1～30h，优选为12～24h；
优选地，步骤(2)所述凝结的温度为500～1000℃；
优选地，步骤(2)所述出料的温度不高于1000℃。
5.一种负极材料，其特征在于，所述负极材料的原料组分包括权利要求1或2所述的复合物。
6.如权利要求5所述的负极材料的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
以权利要求1或2所述的复合物作为原料组分，对所述复合物进行烧成，得到负极材料；
优选地，所述烧成的温度为500～1100℃；
优选地，所述烧成的时间为2～20h。
7.根据权利要求6所述的负极材料的制备方法，其特征在于，所述方法还包括在烧成之前可选地对复合物进行热处理的步骤，所述热处理的温度优选为200～1000℃；
优选地，所述热处理的时间优选为0.5～16h；
优选地，所述热处理在惰性气体的保护下进行，所述惰性气体为氮气、氩气、氦气、氖气、氪气或氙气中的任意一种或至少两种的混合气。
8.根据权利要求6或7所述的负极材料的制备方法，其特征在于，所述方法还包括在烧成之前进行包覆的步骤；
优选地，当所述方法中包含热处理步骤时，所述包覆的步骤在热处理之后烧成之前进行；
优选地，所述包覆采用的方法为气相包覆法、液相包覆法或固相包覆法中的任意一种。
9.根据权利要求6-8任一项所述的负极材料的制备方法，其特征在于，所述方法还包括粉碎、酸洗或分级的步骤中的任意一种或至少两种的组合；
优选地，所述粉碎的步骤采用的方法为球磨、气流粉碎、破碎或球形化中的任意一种或至少两种的组合；
优选地，所述酸洗的步骤中，使用的酸为硫酸、盐酸、磷酸、硝酸、铬酸或氢氟酸中的任意一种或至少两种的混合酸；
优选地，所述酸洗的步骤中，酸洗的时间为0.2～12h；
优选地，所述分级的步骤中，分级选出平均粒径D50为1～100μm、比表面积为1～120m2/g的物料。
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，当所述方法中包括热处理、粉碎和分级的步骤时，按方案Ⅰ、方案Ⅱ或方案Ⅲ中的任意一种进行，
其中，所述方案Ⅰ为：先粉碎、再分级、最后热处理；
所述方案Ⅱ为：先粉碎、再热处理、最后分级；
所述方案Ⅲ为：先热处理、再粉碎、最后分级。