有机发光器件及其制造方法与流程

本发明涉及显示领域，特别是涉及一种有机发光器件。

背景技术：

随着信息社会的发展，人们对显示设备的需求日益增长。为了满足这种要求，各种平板显示装置如薄膜晶体管液晶显示屏(TFT-LCD)、等离子体显示屏(PDP)、有机发光二极管(OLED)显示屏都得到了迅猛的发展。在这些发光型平板显示装置中，OLED显示屏由于具有注入宽视角、高对比度和短响应时间等优异的特性，正在逐步占据平板显示的主导地位。目前，OLED显示屏已经广泛的应用于诸如数码相机、摄像机、笔记本电脑、平板、手机等产品中。

有机发光二极管结构具有阳极、阴极和有机功能层，如图1所示，阳极设置有反光金属层1和透明导电层2，在制造过程中，需要在透明导电层2上形成光致抗蚀剂图案，然后使用该光致抗蚀剂图案作为掩模，最后刻蚀暴露的透明导电层和剥离掉光致抗蚀剂掩模。但是在刻蚀暴露的透明导电层和剥离掉光刻胶掩模时会使用到电解液，使得反光金属层1和透明导电层2形成原电池，造成反光金属层1被腐蚀，这些被腐蚀的区域3会最终导致显示屏显示不良。

为了解决这一问题，现有技术中的一种方法是在反光金属层1与透明导电层2之间插入一金属氧化层4，如公开号为CN1622729A的中国专利申请就是采用铝作为反光金属层1，然后让其暴露形成约的铝氧化物层4，从而避免了反光金属层1与透明导电层2直接接触，也就不会形成原电池。但这种方案会影响阳极的导电能力。

因此，如何在确保阳极导电能力的基础上，有效改善原电池效应，是一个重要的攻坚方向。

技术实现要素：

本发明的目的在于，提供一种有机发光器件及其制造方法，在解决原电池效应的同时，有效确保阳极导电能力。

为解决上述技术问题，本发明提供一种有机发光器件的制造方法，包括：

提供前端结构；

在所述前端结构上形成反光金属层；

对所述反光金属层进行处理以形成晶格缺陷金属层；

在所述晶格缺陷金属层上形成透明导电层；以及

对所述透明导电层进行图案化过程。

可选的，对于所述的有机发光器件的制造方法，利用离子轰击所述反光金属层形成所述晶格缺陷金属层。

可选的，对于所述的有机发光器件的制造方法，所述离子轰击为采用氩等离子体，在真空条件下进行。

可选的，对于所述的有机发光器件的制造方法，所述离子轰击的持续时间为3s-60s。

可选的，对于所述的有机发光器件的制造方法，所述晶格缺陷金属层的厚度为

可选的，对于所述的有机发光器件的制造方法，在对所述透明导电层进行图案化过程之后，还包括：

修复所述晶格缺陷金属层的晶格缺陷。

可选的，对于所述的有机发光器件的制造方法，采用热处理修复所述晶格缺陷金属层的晶格缺陷，所述热处理为在100℃-550℃的温度范围下，持续2min-120min。

可选的，对于所述的有机发光器件的制造方法，所述反光金属层的材料为铝、铝合金、银或银合金，经由溅射工艺形成。

可选的，对于所述的有机发光器件的制造方法，所述透明导电层的材料为氧化铟锡和/或氧化铟锌。

相应的，本发明还提供一种由如上所述的有机发光器件的制造方法制造的有机发光器件。

在本发明提供的有机发光器件及其制造方法中，先对反光金属层进行处理以形成晶格缺陷金属层；接着在所述晶格缺陷金属层上形成透明导电层；然后对所述透明导电层进行图案化过程。由此通过所述晶格缺陷金属层作为阻隔层，避免了图案化过程中透明导电层和反光金属层形成原电池，从而确保了反光金属层的质量，有利于确保最终显示效果不受影响；进一步的，在图案化之后，对晶格缺陷金属层的晶格缺陷进行了修复，使得阳极的导电能力得以保证。

附图说明

图1为现有技术中有机发光器件的阳极的一种结构示意图；

图2为现有技术中有机发光器件的阳极的另一种结构示意图；

图3本发明中有机发光器件的制造方法的流程图；

图4-图8为本发明中有机发光器件在制造过程中的结构示意图。

具体实施方式

下面将结合示意图对本发明的有机发光器件及其制造方法进行更详细的描述，其中表示了本发明的优选实施例，应该理解本领域技术人员可以修改在此描述的本发明，而仍然实现本发明的有利效果。因此，下列描述应当被理解为对于本领域技术人员的广泛知道，而并不作为对本发明的限制。

在下列段落中参照附图以举例方式更具体地描述本发明。根据下面说明和权利要求书，本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。

本发明的核心思想是，提供一种有机发光器件的制造方法，包括：

步骤S11，提供前端结构；

步骤S12，在所述前端结构上形成反光金属层；

步骤S13，对所述反光金属层进行处理以形成晶格缺陷金属层；

步骤S14，在所述晶格缺陷金属层上形成透明导电层；

步骤S15，对所述透明导电层进行图案化过程。

以下列举所述有机发光器件及其制造方法的较优实施例，以清楚的说明本发明的内容，应当明确的是，本发明的内容并不限制于以下实施例，其他通过本领域普通技术人员的常规技术手段的改进亦在本发明的思想范围之内。

下面结合图3、图4-图8对本发明的有机发光器件及其制造方法进行详细说明，其中，图3本发明中有机发光器件的制造方法的流程图，图4-图8为本发明中有机发光器件在制造过程中的结构示意图。

首先，执行步骤S11，请参考图4，提供前端结构10。所述前端结构10例如为衬底，在有源矩阵型发光器件的情况下，该衬底包括至少一个薄膜晶体管。详细地，所述衬底上还可以形成有扫描线、数据线和电源线等，所述扫描线和数据线定义了以矩阵方式排列的多个子像素，每个子像素内包括至少一个存储电容。所述有源矩阵型发光器件可以采用最基本的像素电路，包括1个开关晶体管、1个驱动晶体管和1个存储电容，即2T1C结构，所述开关晶体管的栅极与扫描线连接(二者实际上为一体结构)，所述开关晶体管的源极与数据线连接(二者实际上为一体结构)，所述开关晶体管的漏极、存储电容的下极板以及驱动晶体管的栅极连接，所述驱动晶体管的源极和存储电容的上极板均与电源线连接，所述驱动晶体管的漏极与有机发光二极管的阳极连接。所述扫描线用于向开关晶体管提供开启或关断电压，所述驱动晶体管用于控制数据线向有机发光二极管提供数据电压。当然，以上的2T1C电路结构仅是举例，实际上所述子像素也可采用更多的晶体管和/或更多的存储电容，本发明并不限制晶体管和存储电容的数量。以上是本领域技术人员熟知的内容，在此不再赘述。

其次，执行步骤S12，请继续参考图4在所述前端结构10上形成反光金属层11。所述反光金属层11用作对光进行反射，因而优选为具有极佳反光特性的金属材质，例如，可以由金属铝、铝合金、金属银或是银合金制成，当然，所述反光金属层11的材质并不限于本发明实施例所列举的部分，本领域技术人员可以依据实际需要而进行具体用材的选择。在本步骤中，所述反光金属层11可以经过溅射形成，其厚度可以为过薄不利于进行反射，过厚则会导致整个器件的厚度增加。

接着，执行步骤S13，请参考图5，对所述反光金属层11进行处理以形成晶格缺陷金属层12。具体的，本步骤中利用离子轰击(如图5中箭头所示)所述反光金属层11形成所述晶格缺陷金属层12。在一个较佳选择中，所述离子轰击为采用氩等离子体，在真空条件下进行。更具体的，所述离子轰击的持续时间可以为3s-60s。经由本步骤之后，可以获得厚度为的晶格缺陷金属层12，所述晶格缺陷金属层12由于产生了晶格缺陷，其导电率下降，在后续接触到刻蚀液的情况下，可以起到保护作用，防止与透明导电层13(参见图6)形成原电池。

然后，执行步骤S14，请参考图6，在所述晶格缺陷金属层12上形成透明导电层13。所述透明导电层13优选为兼具导电性、透明度和功函数较高的材质，例如为氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)等的至少一种，其厚度例如为

之后，执行步骤S15，请参考图7，对所述透明导电层13进行图案化过程。可见，在图案化的过程中(如图7中箭头所示)，由于反光金属层11上具有一层晶格缺陷金属层12，其活性差，因此，基本上不会与刻蚀液及透明导电层13形成原电池，也就避免了反光金属层11被侵蚀破坏。所述图案化的过程可以采用现有技术进行，包括光刻、对反光金属层11的刻蚀、去胶、清洗等过程，相比现有技术，反光金属层11会确保刻蚀、清洗等过程不会产生不良影响。

之后，继续执行步骤S16，请参考图8，修复所述晶格缺陷金属层的晶格缺陷。可见，经过修复后，晶格缺陷金属层消失，反光金属层11得以恢复。由此获得的反光金属层11质量完好，不会对最终的显示效果产生影响。

具体的，在本实施例中，采用热处理修复所述晶格缺陷金属层的晶格缺陷。所述热处理为在100℃-550℃的温度范围下，持续2min-120min。

进一步的，还可以继续进行其他后续操作，例如形成像素定义层、有机功能层等，这些过程可以按照现有技术执行，本发明对此不进行详述。

根据上述内容，本发明可以获得一种有机发光器件。所述有机发光器件的反光金属层质量完好，有着较佳的光反射效果。

综上所述，在本发明提供的有机发光器件及其制造方法中，先对反光金属层进行处理以形成晶格缺陷金属层；接着在所述晶格缺陷金属层上形成透明导电层；然后对所述透明导电层进行图案化过程。由此通过所述晶格缺陷金属层作为阻隔层，避免了图案化过程中透明导电层和反光金属层形成原电池，从而确保了反光金属层的质量，有利于确保最终显示效果不受影响；

进一步的，在图案化之后，对晶格缺陷金属层的晶格缺陷进行了修复，使得阳极的导电能力得以保证。

显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。