1.生长在铝酸锶钽镧衬底上的GaN纳米柱，其特征在于：包括铝酸锶钽镧衬底，生长在铝酸锶钽镧衬底上的GaN纳米柱模板层，生长在GaN纳米柱模板层上的GaN纳米柱阵列。
2.根据权利要求1所述生长在铝酸锶钽镧衬底上的GaN纳米柱，其特征在于：所述铝酸锶钽镧衬底即La0.3Sr1.7AlTaO6衬底以(111)面偏(100)方向0.5～1°为外延面；晶体外延取向关系为：GaN的(0001)面平行于La0.3Sr1.7AlTaO6衬底的(111)面。
3.根据权利要求1所述生长在铝酸锶钽镧衬底上的GaN纳米柱，其特征在于：所述GaN纳米柱模板层中GaN的(0001)面平行于铝酸锶钽镧衬底即La0.3Sr1.7AlTaO6衬底的(111)面。
4.根据权利要求1所述生长在铝酸锶钽镧衬底上的GaN纳米柱，其特征在于：所述GaN纳米柱模板层为纳米柱阵列，GaN纳米柱模板层的厚度为0.3～4μm；所述模板层的纳米柱的平均直径为200～500nm，纳米柱之间的平均间距为450～600nm。
5.根据权利要求1所述生长在铝酸锶钽镧衬底上的GaN纳米柱，其特征在于：所述GaN纳米柱阵列中纳米柱的厚度为0.2～2μm。
6.根据权利要求1所述生长在铝酸锶钽镧衬底上的GaN纳米柱，其特征在于：所述生长在铝酸锶钽镧衬底上的GaN纳米柱还包括隔离层，所述隔离层沉积在未被GaN纳米柱模板层覆盖的衬底上或GaN纳米柱模板层的侧壁和未被GaN纳米柱模板层覆盖的衬底上。
7.根据权利要求6所述生长在铝酸锶钽镧衬底上的GaN纳米柱，其特征在于：所述隔离层的材料为SiNx；所述隔离层的厚度为30～200nm。
8.根据权利要求1～7任一项所述生长在铝酸锶钽镧衬底上的GaN纳米柱的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：
(1)衬底以及其晶向的选取：采用La0.3Sr1.7AlTaO6衬底，以(111)面偏(100)方向0.5～1°为外延面，晶体外延取向关系为：GaN的(0001)面平行于La0.3Sr1.7AlTaO6衬底的(111)面；
(2)衬底表面抛光、清洗以及退火处理：衬底退火处理：将衬底放入退火室内，在800～900℃下对La0.3Sr1.7AlTaO6衬底进行退火处理0.5～1h；
(3)GaN预制层外延生长：衬底温度控制在450～550℃，在反应室的压力为5.0～8.0×10-9Pa，衬底转速为5～10r/min，靶基距为50～80mm，同时脉冲激光沉积(PLD)中激光波长为248nm，激光能量为220～280mJ/cm2，频率10～30Hz，氮的等离子体流量为3～10sccm，RF活化功率为200～500W，使用高能激光轰击陶瓷GaN靶的条件下生长GaN缓冲层即GaN预制层；所述GaN预制层的厚度为0.3～4μm；
(4)GaN纳米柱模板层的制备：通过采用TracePro软件设计并优化纳米柱的排布，再利用ICP刻蚀技术将GaN预制层刻蚀成GaN纳米柱模板层，模板层的纳米柱的平均直径为200～500nm，纳米柱之间的平均间距在450～600nm；所述GaN纳米柱模板层的厚度为0.3～4μm；
(5)隔离层的制备：利用PECVD技术在GaN纳米柱模板层和未被模板层的纳米柱覆盖的衬底上沉积隔离层，再刻蚀掉模板层的纳米柱上面的隔离层，留下GaN纳米柱模板层侧壁和未被模板层的纳米柱覆盖的衬底上的隔离层，以防止GaN颗粒沉积在间隙位置；隔离层的厚度为30～200nm；
(6)GaN纳米柱阵列的制备：衬底温度控制在700～900℃，衬底转速为5～10r/min，靶基距为50～80mm，同时PLD中激光波长为248nm，激光能量为220～340mJ/cm2，频率10～30Hz，氮的等离子体流量为3～10sccm，RF活化功率为200～500W，使用高能激光轰击陶瓷GaN靶的条件下在GaN纳米柱模板层上生长GaN纳米柱阵列；所述GaN纳米柱阵列中纳米柱的厚度为0.2～2μm。
9.根据权利要求8所述生长在铝酸锶钽镧衬底上的GaN纳米柱的制备方法，其特征在于：所述衬底表面抛光是指将La0.3Sr1.7AlTaO6衬底表面用金刚石泥浆进行抛光，配合光学显微镜观察衬底表面，直到没有划痕后，再采用化学机械抛光的方法进行抛光处理；
衬底清洗是指将La0.3Sr1.7AlTaO6衬底用甲苯、丙酮、乙醇分别对衬底进行标准超声清洗各10min，去离子水反复冲洗10min，之后用V(H2SO4)∶V(H2O2)∶V(H2O)＝4∶1∶1的混合液浸泡10min以去除表面残留物和氧化层去除表面有机物，再用去离子水反复清洗干净后，最后用高纯干燥氮气吹干。
10.根据权利要求1～7任一项所述生长在铝酸锶钽镧衬底上的GaN纳米柱的应用，其特征在于：所述生长在铝酸锶钽镧衬底上的GaN纳米柱用于制备LED、光电探测器和太阳能电池。