1.一种垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管，包括半导体衬底；形成在半导体衬底正面的漂移区；依次形成在漂移区表面上的栅氧化层和多晶硅栅极；依次形成在漂移区表面内的体区和位于体区内的源区，体区和源区位于多晶硅栅极的两侧；形成在源区表面的源极；形成在半导体衬底背面的漏极，其特征在于：导电类型与源区相同的半导体导电增强区形成在栅氧化层对着的体区内部，且所述导电增强区与体区所能形成的整个pn结耗尽层也在体区内部，同时绝缘介质区形成在源区远离栅氧化层一侧，形成在所述源区上表面的源极也形成在绝缘介质区上表面以及远离栅氧化层的绝缘介质区的一侧表面。
2.根据权利要求1所述的垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管，其特征在于：所述导电增强区掺杂浓度大于漂移区掺杂浓度。
3.根据权利要求1所述的垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管，其特征在于：所述导电增强区与栅氧化层接触。
4.根据权利要求1所述的垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管，其特征在于：所述导电增强区与栅氧化层不接触。
5.根据权利要求1所述的垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管，其特征在于：所述源极与源区、绝缘介质区以及体区相连。
6.根据权利要求1所述的垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管，其特征在于：所述源极只与源区以及绝缘介质区相连。
7.根据权利要求6所述的垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管，其特征在于：所述绝缘介质区下表面延伸至漂移区内。
8.根据权利要求1所述的垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管，其特征在于：所述半导体衬底材料为硅。
9.根据权利要求1所述的垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管，其特征在于：所述绝缘介质区材料为氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。
10.根据权利要求1所述的垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管，其特征在于：所述半导体衬底和漂移区为n型半导体，体区为p型半导体，源区为n型半导体。