技术总结
本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管，包括半导体衬底，漂移区，栅氧化层，多晶硅栅极，体区，源区，源极以及漏极，导电类型与源区相同的半导体导电增强区形成在栅氧化层对着的体区内部，同时绝缘介质区形成在源区远离栅氧化层一侧，形成在所述源区上表面的源极也形成在绝缘介质区上表面以及远离栅氧化层的绝缘介质区的一侧表面，发明在不减小击穿电压的情况下，有效减小器件导通电阻，提高开关速度。
技术研发人员：李风浪;李舒歆
受保护的技术使用者：东莞市联洲知识产权运营管理有限公司
文档号码：201611051952
技术研发日：2016.11.25
技术公布日：2017.02.15