技术总结
一种制备GaN纳米结构阵列的方法，利用CVD设备和石墨烯插入层及低温GaN缓冲层升华法生长GaN纳米结构阵列；衬底采用蓝宝石、硅或石英玻璃、GaN/蓝宝石(硅)，衬底清洗后，先覆盖单层或多层石墨烯薄膜；将覆有石墨烯薄膜的衬底放入CVD管式炉生长系统中，开始GaN纳米结构生长；先在低温下生长GaN缓冲层，然后升温至高温开始生长GaN纳米阵列；缓冲层生长温度：500–1000℃，纳米线阵列生长温度1000‑1150℃；高纯N2作为载气，总N2载气流量0.5‑5slm。
技术研发人员：修向前;陈琳;陈丁丁;李悦文;华雪梅;谢自力;张荣;韩平;陆海;顾书林;施毅;郑有炓
受保护的技术使用者：南京大学
文档号码：201611113575
技术研发日：2016.12.05
技术公布日：2017.06.06