半导体封装件及半导体封装件的制法的制作方法

技术特征：

1.一种半导体封装件，其特征在于，包含：

一载板，具有一设置面；

一第一封装组件，设置于该载板的该设置面，该第一封装组件包含至少一第一电子元件与包覆该至少一第一电子元件的一第一封装胶体；以及

一第二封装组件，设置于该载板的该设置面，该第二封装组件包含至少一第二电子元件与包覆该至少一第二电子元件的一第二封装胶体，该第一封装胶体的电磁波损耗率大于该第二封装胶体的电磁波损耗率。

2.如权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于，该第一封装组件邻设该第二封装组件。

3.如权利要求2所述的半导体封装件，其特征在于，该第一封装组件进一步包含一屏蔽元件，该屏蔽元件完全包覆该第一封装胶体，且该第二封装胶体的侧面邻设该屏蔽元件的侧面。

4.如权利要求3所述的半导体封装件，其特征在于，该屏蔽元件为一体成型的层状金属构件，该屏蔽元件设置在该第一封装胶体的表面并延伸连接到该载板的该设置面。

5.如权利要求3所述的半导体封装件，其特征在于，该屏蔽元件为非一体成型的组件。

6.如权利要求5所述的半导体封装件，其特征在于，该屏蔽元件包含一屏蔽底座与一屏蔽盖，该屏蔽底座具有一容置空间，该屏蔽底座设置于该载板的该设置面，该第一封装胶体与该至少一第一电子元件位于该屏蔽底座的该容置空间，该屏蔽盖设置于该屏蔽底座以覆盖该第一封装胶体与该至少一第一电子元件。

7.如权利要求1至6中任一项所述的半导体封装件，其特征在于，该第一封装胶体包含抗电磁干扰材料。

8.如权利要求7所述的半导体封装件，其特征在于，所述抗电磁干扰材料为吸波材料或微金属材料。

9.如权利要求8所述的半导体封装件，其特征在于，所述微金属材料包含镁或铝。

10.如权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于，该至少一第二电子元件为收及/或发电磁波构件。

11.如权利要求10所述的半导体封装件，其特征在于，所述收及/或发电磁波构件为天线。

12.一种半导体封装件的制法，其特征在于，包含：

于一载板的一设置面设置至少一第一电子元件与至少一第二电子元件；

于该载板的该设置面形成一第一封装胶体，且使该第一封装胶体包覆该至少一第一电子元件；以及

于该载板的该设置面形成一第二封装胶体，且使该第二封装胶体包覆该至少一第二电子元件，该第一封装胶体的电磁波损耗率大于该第二封装胶体的电磁波损耗率。

13.如权利要求12所述的半导体封装件的制法，其特征在于，进一步设置一屏蔽元件，该屏蔽元件完全包覆该第一封装胶体。

14.如权利要求13所述的半导体封装件的制法，其特征在于，该屏蔽元件为一体成型的层状金属构件，该屏蔽元件形成在该第一封装胶体的表面并延伸连接到该载板的设置面。

15.如权利要求14所述的半导体封装件的制法，其特征在于，该屏蔽元件为溅射成形的构件。

16.如权利要求13所述的半导体封装件的制法，其特征在于，进一步设置一屏蔽元件，该屏蔽元件为非一体成型的组件。

17.如权利要求16所述的半导体封装件的制法，其特征在于，该屏蔽元件包含一屏蔽底座与一屏蔽盖，该屏蔽底座具有一容置空间，该屏蔽底座设置于该载板的该设置面，该第一封装胶体与该至少一第一电子元件位于该屏蔽底座的该容置空间，该屏蔽盖设置于该屏蔽底座以覆盖该第一封装胶体与该至少一第一电子元件。

18.如权利要求12至17中任一项所述的半导体封装件的制法，其特征在于，该第一封装胶体包含抗电磁干扰材料。

19.如权利要求18所述的半导体封装件的制法，其特征在于，所述抗电磁干扰材料为吸波材料或微金属材料。

20.如权利要求19所述的半导体封装件的制法，其特征在于，所述微金属材料包含镁或铝。

21.如权利要求12所述的半导体封装件的制法，其特征在于，该至少一第二电子元件为收及/或发电磁波构件。

22.如权利要求21所述的半导体封装件的制法，其特征在于，所述收及/或发电磁波构件为天线。