一种混合集成电路用多芯组瓷介电容器的制作方法

本实用新型属于电容器的技术领域，具体地说，涉及一种混合集成电路用多芯组瓷介电容器。

背景技术：

现有的多芯组瓷介电容器是适用于常规电路板，电容器的温度冲击范围为-55℃至+125℃，但在混合集成电路领域，常用的基板为氧化铝，当要求导热性特别好时，基板材料为氧化铍。这类无机材料的弹性模量较大，若将电容器焊接在氧化铝基板表面，由于材料之间的热匹配性问题，电容器会受到较大的应力。其温度冲击试验的温度范围为-65℃至+150℃，次数最多可达220次。因此常规多芯组也无法承受该应力，导致芯片陶瓷体开裂，最终导致产品损坏。

技术实现要素：

针对现有技术中上述的不足，本实用新型提供一种混合集成电路用多芯组瓷介电容器，本电容器适用于混合集成电路、耐温度冲击能力强。

为了达到上述目的，本实用新型采用的解决方案是：一种混合集成电路用多芯组瓷介电容器，包括一对引线，引线之间设有电容器芯片组，电容器芯片组包括若干只多层瓷介电容器芯片，多层瓷介电容器芯片的两侧设有端电极，端电极之间设有若干交错排列的内电极，同侧的多层瓷介电容器芯片的端电极组成电容器芯片组的端电极组，电容器芯片组前表面和后表面的两侧涂有侧部阻焊层，端电极组表面的上下边缘涂有端部阻焊层，端部阻焊层之间设有焊锡层，焊锡层将端电极与引线焊接连接。

优选地，引线呈片状，引线两侧向外延伸形成2对支部，支部贴合在侧部阻焊层表面。

优选地，引线下侧向内弯折形成弯折部。

本实用新型的有益效果是，本实用新型的电容器通过给电容器芯片组涂覆阻焊油墨，很好的控制了焊锡膏的用量，增加了电容器引线吸收应力的能力。其设计可在很大程度上提高电容器耐温度冲击的能力，增加产品的可靠性和应用范围。

附图说明

图1为混合集成电路用多芯组瓷介电容器的局部剖视图。

图2为混合集成电路用多芯组瓷介电容器的右视图。

附图中：

1、引线；2、多层瓷介电容器芯片；3、端电极；4、内电极；5、侧部

阻焊层；6、端部阻焊层；7、焊锡层；8、支部；9、弯折部。

具体实施方式

以下结合附图对本实用新型作进一步描述：

参照图1和图2，本实用新型提供一种混合集成电路用多芯组瓷介电容器，包括一对引线1，引线1之间设有电容器芯片组，电容器芯片组包括若干只多层瓷介电容器芯片2，多层瓷介电容器芯片2的两侧设有端电极3，端电极3之间设有若干交错排列的内电极4，同侧的多层瓷介电容器芯片2的端电极3组成电容器芯片组的端电极3组，电容器芯片组前表面和后表面的两侧涂有侧部阻焊层5，端电极3组表面的上下边缘涂有端部阻焊层6，端部阻焊层6之间设有焊锡层7，焊锡层7将端电极3与引线1焊接连接；阻焊层采用阻焊油墨。本实用新型的电容器通过给电容器芯片组涂覆阻焊油墨，很好的控制了焊锡膏的用量，增加了电容器引线1吸收应力的能力。其设计可在很大程度上提高电容器耐温度冲击的能力，增加产品的可靠性和应用范围。

本实施例中，引线1呈片状，引线1两侧向外延伸形成2对支部8，支部8贴合在侧部阻焊层5表面。

本实施例中，引线1下侧向内弯折形成弯折部9，弯折部9便于电容器的表贴安装。