1. 一种超薄封装元件的制作工艺，其特征在于，包括如下步骤：
a、框架设计制造
采用金属作为底板，在底板上通过干膜光刻掩膜，按顺序分别电镀厚度控制在
0.03~0.05um的Au层、厚度60~80um的Ni层和厚度1.5~3umAg层，形成组装功能区，用于芯片的安装和焊线的焊点；
b、装片
采用共晶或银胶或绝缘胶中的任一种装片工艺，完成芯片安装；
c、焊线
采用球焊工艺进行焊接；
d、等离子清洗
进行等离子清洗，保证产品在塑封前的表面清洁；
e、塑封固化
产品装入塑封模具，加入环氧树脂包裹成型，使产品内部的芯片和焊线能够安全地保护，塑封后的产品经过高温150~175℃烘烤4~8小时，使环氧树脂内部结构能够充分反应；
f、化学去框架底板
产品放进腐蚀液中进行腐蚀，框架底板材料在腐蚀液中被腐蚀掉，而与底板接触的镀金层由于耐腐蚀性未被腐蚀，去除框架底板后产品的底部全部露出镀金层凸点，用于产品后续与PCB板之间的焊接；
g、切割分离
将去除底板后的产品粘贴在UV上，按照产品设计的尺寸大小及外露的镀金层凸点之间的间距采用切割设备进行切割分离，切割后进行UV照射并使产品从UV上分离开，通过清洗并干燥烘干；
h、测试、包装
根据产品的电性规定设定测试程序进行电性能参数测试，通过测试合格产品按照印章内容要求MARK打印，并对测试打印后产品进行外观检测通过后进行编带包装，形成合格成品。
2.根据权利要求1所述的超薄封装元件的制作工艺，其特征在于：所述步骤a中底板为厚度0.1mm的铜板或不锈钢板材料通过多层电镀方式制成。
3.根据权利要求1所述的超薄封装元件的制作工艺，其特征在于：所述步骤b
采用银胶、绝缘胶工艺的产品装片后需进行加温烧结，烧结后进行等离子清洗去除烧结过程中的银胶、绝缘胶产生的挥发物。
4.根据权利要求3所述的超薄封装元件的制作工艺，其特征在于：所述步骤c中球焊工艺中选用金线、合金线或者铜线等焊接材料，采用合金线和铜线生产在焊接过程中增加氮氢混合气进行保护，防止球氧化造成焊接不良。