技术总结
本发明公开了一种半导体工艺空气桥的制作方法，本发明利用LOR系列光刻胶加AZ52系列光刻胶的方法制作牺牲层及后面的电极图形，此方法能够根据台阶的不同高度选择不同型号的LOR光刻胶，以及选择不同的涂胶转速，也可单、双层涂胶灵活运用；因LOR系列光刻胶为非感光材料，AZ52系列光刻胶属于感光材料，线宽结构由上层AZ52系列光刻胶决定，利用上层AZ52系列光刻胶的高分辨率及高感光特性，能够应用于高台阶且小线宽的器件结构中。
技术研发人员：王扬华
受保护的技术使用者：无锡盈芯半导体科技有限公司
文档号码：201710092191
技术研发日：2017.02.21
技术公布日：2017.05.17