1.一种超薄层碳材料双极板结构的超级电容器电极材料的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：
1）制备高锰酸钾溶液；
2）将碳材料分散在溶剂中，制备得到碳材料溶液；
3）将碳材料溶液旋涂于基底上，烘干后得到碳材料旋涂基底；
4）将所述步骤3）得到的碳材料旋涂基底在所述高锰酸钾溶液中浸泡反应，使高锰酸钾溶液的覆盖面大于碳材料溶液的旋涂面，反应完成后取出所述碳材料旋涂基底，并将附在所述碳材料旋涂基底表面的高锰酸钾溶液旋涂均匀，烘干后得到复合旋涂基底；
5）在所述复合旋涂基底上重复步骤3）和步骤4），直至达到设定的层数要求；
6）将所述步骤5）制备得到的复合旋涂基底在惰性气体保护下退火，冷却后得到超薄层碳材料双极板结构的超级电容器电极材料。
2.根据权利要求1所述的超薄层碳材料双极板结构的超级电容器电极材料的制备方法，其特征在于：所述步骤1）中制备的高锰酸钾溶液为饱和高锰酸钾溶液。
3.根据权利要求1所述的超薄层碳材料双极板结构的超级电容器电极材料的制备方法，其特征在于：所述碳材料采用可分散于溶剂中的碳元素的同素异形体。
4.根据权利要求3所述的超薄层碳材料双极板结构的超级电容器电极材料的制备方法，其特征在于：所述碳材料采用石墨烯。
5.根据权利要求1所述的超薄层碳材料双极板结构的超级电容器电极材料的制备方法，其特征在于：所述步骤4）中，所述碳材料旋涂基底在所述高锰酸钾溶液中的浸泡反应温度小于等于100℃。
6.根据权利要求1所述的超薄层碳材料双极板结构的超级电容器电极材料的制备方法，其特征在于：所述步骤5）中，将达到设定层数要求的复合旋涂基底经烘干处理。
7.根据权利要求1所述的超薄层碳材料双极板结构的超级电容器电极材料的制备方法，其特征在于：所述步骤6）中，退火温度为100~1200℃，冷却时采用自然降温冷却。
8.根据权利要求7所述的超薄层碳材料双极板结构的超级电容器电极材料的制备方法，其特征在于：退火时的升温速度为1-20℃/min。