1.一种氧化物薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，包括：
提供衬底基板；
在所述衬底基板上依次形成栅极金属层、栅极绝缘层、有源层、源/漏电极层；
从所述衬底基板背面进行激光退火工艺处理，以使所述有源层未与所述栅极金属层重叠的部分的电阻率低于所述有源层与所述栅极金属层重叠的部分的电阻率，其中，所述有源层未与所述栅极金属层重叠的部分与所述源/漏电极层电连接。
2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述方法还包括：
在形成所述源漏极电极层之前，在所述有源层上形成刻蚀阻挡层。
3.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述激光退火工艺为准分子激光退火工艺。
4.如权利要求1、2或3所述的制造方法，其特征在于，所述从所述衬底基板背面进行激光退火工艺处理在形成所述源/漏电极层上的绝缘层后执行。
5.如权利要求1、2或3所述的制造方法，其特征在于，所述从所述衬底基板背面进行激光退火工艺处理在形成所述有源层后且形成所述源/漏电极层前执行。
6.如权利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述从所述衬底基板背面进行激光退火工艺处理在形成所述刻蚀阻挡层后且形成所述源/漏电极层前执行。
7.如权利要求1、2或3所述的制造方法，其特征在于，所述从所述衬底基板背面进行激光退火工艺处理在形成所述源/漏电极层后执行。
8.一种氧化物薄膜晶体管，包括：依次设置在衬底基板上的栅极金属层、栅极绝缘层、有源层、源/漏电极层，其特征在于：
所述有源层包括被从所述衬底基板背面进行的激光退火工艺处理形成的两个部分：与所述栅极金属层重叠的第一部分，未与所述栅极金属层重叠的第二部分，且所述第二部分的电阻率低于所述第一部分的电阻率，且所述第二部分与所述源/漏电极层电连接。
9.如权利要求8所述的氧化物薄膜晶体管，其特征在于，所述氧化物薄膜晶体管还包括：设置在所述有源层上的刻蚀阻挡层。
10.一种阵列基板，其特征在于，包括如权利要求8或9所述的氧化物薄膜晶体管。
11.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求10所述的阵列基板。