技术特征：
技术总结
本发明公开了一种GaN MIS沟道HEMT器件及制备方法，所述HEMT器件的材料结构包括衬底以及依次向上生长的AlN成核层、GaN缓冲层、GaN沟道层、AlN插入层、AlGaN势垒层和GaN帽层。此外，本发明还公开了该HEMT器件的制备方法。本发明在GaN外延过程中在沟道层上插入AlN薄层，既作为势垒层对二维电子气进行限域，又作为后续工艺中的刻蚀缓冲层。通过AlN插入层降低和消除了等离子体刻蚀栅凹槽时对GaN表面的损伤，改善了GaN MIS界面的性能，从而起到减少了沟道电阻和总导通电阻的作用。
技术研发人员：倪炜江;袁俊;杨永江;张敬伟;李明山;孙安信
受保护的技术使用者：北京华进创威电子有限公司
技术研发日：2017.06.23
技术公布日：2017.10.10