技术特征：
技术总结
本发明公开了一种倒装LED芯片阵列结构，包括：由透明材料制成的透明衬底，设置于透明衬底一表面的缓冲层，形成于缓冲层的N型半导体结构层和P型半导体结构层，由导电材料制成的电流扩散层，设置于P型半导体结构层上方，由透明绝缘材料制成的钝化层，覆盖于电流扩散层、P型半导体结构层、N型半导体结构层的上方；与N型半导体结构层接触的多个呈阵列式排布的N型电极窗口区；与P型半导体结构层接触的P型电极窗口区；N型电极窗口区设置有N型电极，所述P型电极窗口区设置有P型电极，P型电极和N型电极的高度相同。增加大功率LED芯片发光有效面积；增大了芯片电极与散热基板间的有效接触面积，散热效果更佳；提高了芯片的使用寿命。
技术研发人员：王峰
受保护的技术使用者：苏州瑞而美光电科技有限公司
技术研发日：2017.06.30
技术公布日：2017.09.08