技术特征：
技术总结
本发明公开一种自限制精确刻蚀硅的装置及方法。该自限制精确刻蚀硅的装置包括：真空反应腔、传输装置、进气装置和抽气装置，真空反应腔内设置有第一基座、第二基座、第一温控装置、第二温控装置，其中，第一温控装置对第一基座的温度进行调控，使其温度小于150℃，第二温控装置对第二基座的温度进行调控，使其温度大于150℃，传输装置对样品进行传输，使样品在第一基座和第二基座上循环进行加工，进气装置将反应气体或吹扫用气体通入真空反应腔，抽气装置将残余气体从真空反应腔内抽出。本发明能够实现原子层级的制精确刻蚀硅并且具有明显的各向同性的特点，可以实现三维加工。
技术研发人员：康斯坦丁·莫吉利尼科夫
受保护的技术使用者：鲁汶仪器有限公司（比利时）
技术研发日：2017.07.05
技术公布日：2017.10.24