技术总结
本发明公开了一种包含介质层的p型栅HEMT器件及其制作方法。所述HEMT器件包括：异质结，其包括第一半导体和形成于第一半导体上的第二半导体，所述第二半导体具有宽于第一半导体的带隙，且异质结中形成有二维电子气；第三半导体，其位于栅下区域并能够将异质结内分布于栅下区域的二维电子气耗尽；第四半导体，其分布于栅极与漏极之间以及栅极与源极之间；介质层，其由绝缘材料组成，并分布于异质结和栅极之间；源极、漏极以及栅极，源极与漏极能够通过所述二维电子气电连接。本发明在HEMT器件的栅极下方引入介质层，可以显著减小栅极漏电和提高栅极正向最大安全工作电压，增大阈值电压。
技术研发人员：徐宁;郝荣晖;付凯;于国浩;张宝顺
受保护的技术使用者：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
技术研发日：2017.12.22
技术公布日：2018.06.12