1.一种半导体器件，其特征在于包括：
半导体层，所述半导体层具有第一侧和与所述第一侧相对的第二侧；
耦接在所述第二侧的一个或多个导电焊盘；
一个或多个电绝缘层，所述电绝缘层耦接在所述第二侧并且具有一个或多个开口，所述开口提供通向所述一个或多个导电焊盘的入口；
耦接在所述半导体层的所述第一侧上的导电层；
耦接在所述导电层上的一个或多个背金属层；
耦接在所述一个或多个导电焊盘上方的一个或多个焊盘上金属化层，所述一个或多个焊盘上金属化层包括镍层，以及
耦接在所述一个或多个焊盘上金属化层上方的扩散阻挡层；
其中所述半导体器件包括绝缘栅双极晶体管和二极管中的一者。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述一个或多个背金属层包括镍层。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述一个或多个背金属层包括钛层和银层。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述扩散阻挡层包含化学沉积的金、化学沉积的银和有机可焊性保护剂中的一者。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述导电层包括蒸镀的铝。