技术总结
本实用新型涉及半导体器件。所述半导体器件包括：具有第一侧和与第一侧相对的第二侧的半导体层；耦接在所述第二侧的一个或多个导电焊盘；一个或多个电绝缘层，其耦接在所述第二侧并且具有一个或多个开口，这些开口提供通向所述一个或多个导电焊盘的入口；耦接在所述半导体层的第一侧上的导电层；耦接在所述导电层上的一个或多个背金属层；耦接在所述一个或多个导电焊盘上方的一个或多个焊盘上金属化(OPM)层，所述一个或多个OPM层包括镍层，以及；耦接在所述一个或多个OPM层上方的扩散阻挡层；其中所述半导体器件包括绝缘栅双极晶体管和/或二极管。本实用新型解决的一个技术问题是防止镍扩散到焊料中，实现的一个技术效果是提供一种改进的半导体器件。
技术研发人员：林育圣;野间崇;石部真三
受保护的技术使用者：半导体元件工业有限责任公司
文档号码：201720199061
技术研发日：2017.03.03
技术公布日：2017.11.14