技术总结
本实用新型涉及一种IBC电池和组件、系统。本实用新型的IBC电池的N型晶体硅基体的背表面从内到外依次为交替排列的背表面n+掺杂区域和背表面p+掺杂区域、背表面钝化层和背表面电极；背表面电极包括n+电极和p+电极；背表面钝化层上设置有n+孔状阵列和p+孔状阵列，n+电极穿过n+孔状阵列与背表面n+掺杂区域欧姆接触，p+电极穿过p+孔状阵列与背表面p+掺杂区域欧姆接触。其有益效果是：在金属化过程中，用点状接触取代线条状接触，减少了金属电极与掺杂硅界面处的高复合；使用低温工艺形成铝电极，不会给掺杂硅表面带来破坏；铝与掺杂硅之间有优异的金属半导体接触；p+铝电极和n+铝电极透过掩膜一次性沉积完成，简化了制作工艺；由此所制电池具有更高的开路电压、填充因子和转换效率。
技术研发人员：林建伟;刘志锋;季根华;刘勇
受保护的技术使用者：泰州中来光电科技有限公司
文档号码：201720247265
技术研发日：2017.03.14
技术公布日：2017.09.26