集成电路和集成电路系统的制作方法

本实用新型涉及集成电路，并且更具体地涉及这些集成电路中存在的反熔丝结构。

背景技术：

目前，反熔丝结构通常是基于位于集成电路的有源区与多晶硅线之间的氧化物的击穿。在氧化物经受电击穿之前，它是绝缘体，并且在多晶硅线与集成电路的有源区之间没有电流通过。

然而，当在多晶硅线与集成电路的有源区之间施加击穿电位差时，氧化物则经受击穿并变成导体。

击穿是不可逆转的。

因此，这种反熔丝结构可以在操作中用作一次性可编程存储器单元(OTP单元)。

具体地，存储器单元然后从非导通状态转到导通状态，这使得有可能对其逻辑值取决于存储器单元的状态的位进行存储。

产品中经常使用反熔丝结构。另外，当它们被用于对秘密信息进行编码时，它们将进行逆向工程。

然而，可以通过使用诸如扫描电子显微镜(SEM)等适当工具进行故障分析而容易地观察当前的反熔丝结构，这使得有可能在去除多晶硅层之后确定氧化物的状态。

技术实现要素：

根据一种实施方式和实施例，提出了在反向工程操作中易于制造并难以分析的反熔丝结构。

因此，根据一个实施例，提出了一种位于集成电路的互连部分(后段制程、或BEOL)中的反熔丝结构，从而使其特别地耐逆向工程操作，因为它不会与集成电路的衬底直接接触。此外，这种反熔丝结构特别地基于在制造该结构的步骤中所生长的金属氧化物，因此该氧化物特别薄，并且几乎不可能目视地确定其状态，即是否已经经受了击穿。

根据一个方面，提出了一种集成电路，该集成电路在衬底的顶部上包括互连部分(BEOL部分)，该互连部分包括由绝缘区域(通常为金属间电介质(IMD))分隔开的多个金属化层级。

根据该方面的一个一般特征，该集成电路在该互连部分内另外包括至少一个反熔丝结构，该反熔丝结构涂覆有该绝缘区域的一部分。

这种反熔丝结构包括：横梁，该横梁由两个臂固持在两个不同点处；本体；以及反熔丝绝缘区域。

该横梁、该本体以及这些臂是金属并且位于同一金属化层级内。

该本体和该横梁经由该反熔丝绝缘区域相互接触，该反熔丝绝缘区域被配置成用于在该本体与该横梁之间存在击穿电位差的情况下经受击穿。

根据一个实施例，该横梁、这两个臂以及该本体包括第一金属(例如铜或铝)，并且该反熔丝绝缘区域包括这种第一金属的氧化物。

由于反熔丝绝缘区域是特别地通过在制造该结构的步骤中生长氧化物所形成的，该反熔丝绝缘区域的厚度有利地非常小。可以指出，该反熔丝绝缘区域的厚度至少等于2nm并且小于等于20nm。

根据一个实施例，这两个臂基本平行于第一方向延伸，并且该横梁相对于与该第一方向正交的第二方向具有非零角度偏差，从而允许该横梁与本体(例如支座)进行接触。

根据一个实施例，在该横梁的中心部分附近，在该横梁的两个相反面上，将这两个臂(BR1A，BR1B)分别固定到该横梁上，这两个臂固定到该横梁所处的这两个固定点(EMPA，EMPB)在该横梁的纵向方向上被间隔开。

根据一个实施例，该本体可以包括支座，该支座经由该反熔丝绝缘区域与该横梁的两端之一进行接触。

在变体中，该反熔丝绝缘区域可以包括两个反熔丝部分，并且该本体则可以包括两个支座，这两个支座经由这两个反熔丝部分分别与该横梁的两端进行接触。这两个反熔丝部分中的至少一个反熔丝部分被配置成用于在这些支座中的至少一个支座与该横梁之间存在击穿电位差的情况下经受击穿。

集成电路可以包括多个反熔丝结构。

这些反熔丝结构中的至少一个反熔丝结构可以包括已经经受击穿的反熔丝绝缘区域，并且这些反熔丝结构中的至少一个反熔丝结构可以包括尚未经受击穿的反熔丝绝缘区域。

根据另一方面，提出一种系统，该系统包括：如上述限定的集成电路；以及被配置成用于在这些反熔丝结构中的至少一个反熔丝结构两端施加该击穿电位差的装置。

这些装置可以或可以不属于集成电路。

根据本实用新型的实施例的集成电路和系统具有易于制造并且在反向工程操作中难以分析的反熔丝结构。

附图说明

本实用新型的其他优点和特征将基于查阅对本实用新型的非限制性实现方式和实施例的详细说明以及对应附图而变得显而易见，在附图中：

-图1至图10(其中的一些是示意性的)涉及本实用新型的各种实施方式和实施例。

具体实施方式

参考图1，可以看出，在集成电路CI的互连部分PITX的同一金属化层级Mi内形成反熔丝结构STR，通常本领域技术人员还通过缩写词BEOL来指代此互连部分。

此部分PITX位于衬底SB的顶部上。

在这里所描述的实施例中，结构STR是金属，例如由铜或铝制成，但不限于这两个示例。

如将在下文更加详细地看到的，从形成在该部分PITX的绝缘区域RIS(通常为金属间介电材料层(IMD))的顶部的金属中间结构 STRI(图1的左侧部分)中获得反熔丝结构STR(图1的右侧部分)。在对下面的绝缘层RIS的中间结构STRI进行释放(去封装)之后形成结构STR。

此处的中间结构STRI包括非对称交叉形状的组件ENS1。

此组件ENS1包括在两个点EMPA和EMPB处固定于横梁PTR 的第一臂BR1A和第二臂BR1B，这两个点分别位于横梁PTR的两个相反面上。这两点EMPA和EMPB隔开距离d(图1中示出了距离 d/2)。

此外，这两个臂分别固定到金属部分BDA、BDB上。

如将在下文更加详细地看到的，使用用于形成互连部分PITX的金属轨道的常规技术来生产组件ENS1，这特别是在CMOS技术的上下文中会使用到。

除了组件ENS1之外，中间结构STRI还包括形成在同一金属化层级Mi内的至少一个本体(例如支座BTA)。

如上所述，图1的左侧部分示出了置于下面的绝缘区域RIS上的结构STRI，其中横梁PTR的端部位于距支座BTA一定距离处。因此，下面的区域RIS可以防止组件ENS1在这里的移动。

图1的右侧部分示出了在释放中间结构STRI之后获得的反熔丝结构STR。这里通过蚀刻下面的绝缘区域RIS来实现这种释放或去封装的操作，以便释放臂BR1A和BR1B以及横梁PTR。

在微电子工程87(2010)412-415的R.Vayrette等人的标题为“Residual stress estimation in damascene copper interconnects using embedded sensors(使用嵌入式传感器进行对镶嵌铜互连中的残余应力估计)”的文章中，已经表明，在这种类型的组件的去封装之后，产生应力松弛，从而导致臂的残余纵向变形，引起横梁的角度偏移a(这里是顺时针方向)。

更具体地，假设具有恒定宽度Wa的臂，则偏差a通过以下公式来表示：

其中，L₀是松弛后臂的长度

L₀等于

其中，σ表示残余平均纵向应力，并且E表示材料的杨氏模量(对于各向同性铜大致等于130GPa，对于铝等于63GPa)。

基于对具有各种d值和各种W_a值的测试结构进行的测量通过实验来确定σ。因此，对于1/d等于2μm^-1且W_a等于0.5μm，σ的值大约为800MPa。

可以指出，对于长度为10微米且宽度为0.2微米的臂，指针的偏差对于2微米的间距d是0.2微米量级。对于1微米的间距，得到0.3 微米量级的偏差a。这对应于在400°下进行退火的结构，其绝缘区域 RIS为0.56微米。

对于0.2微米量级的线宽(臂宽)，平均纵向残余变形对于0.5 微米的线宽(臂宽)为0.25％至0.30％，对于1微米的线宽为0.20％，以及对于2微米的线宽为略低于0.20％。

因此，在释放之后，这两个臂BR1A和BR1B基本平行于第一方向DIR1延伸，并且所述横梁PTR相对于与该第一方向正交的第二方向DIR2具有非零角度偏差a。

这种松弛的应力和臂的残余纵向变形导致横梁PTR的角度偏差a，后者的端部与支座BTA接触。

如在图2中示意性展示的，结构STR随后通过沉积IMD型的材料而被重新封装在绝缘区域RIS中。

在图2中示意性地展示了特定形式的支座BTA，可以看出，经由反熔丝绝缘区域ZSF来实现横梁PTR与支座BTA之间的接触。

更详细地如图3所展示的，由如下面所看到的制造结构STR的方法所得到的，分别用金属氧化物OX1、OX2覆盖横梁PTR以及支座 BTA(两者均为金属)。

因此，反熔丝绝缘区域ZSF包括氧化物OX1以及氧化物OX2。

通过非限制性示例的方式，当支座BTA以及横梁PTR由铝制成时，氧化物OX1和OX2由氧化铝(Al₂O₃)制成。氧化物OX1、OX2 的每一层的厚度例如为7至8纳米的量级，由此导致在最厚点处区域 ZSF的厚度为14至16纳米的量级。

然而，更一般地，区域ZSF的厚度可以被认为在2nm与20nm 之间。

此反熔丝绝缘区域ZSF能够在本体与在本例中为支座BTA以及横梁PTR之间存在击穿电位差的情况下经受击穿。

如此，如图4中所展示的，提供了装置MLM，该装置可以或可以不并入包含结构STR的集成电路中，该装置能够将电压V施加到支座BTA，而部分BDB例如处于接地电位GND。

另外，如在图5中示意性展示的，只要电压V未达到击穿电压 VB，则支座BTA与横梁PTR之间没有电流流过。

然而，一旦电压V达到击穿电压VB，区域ZSF获取至少一个导电路径，该导电路径允许电流在支座BTA与横梁PTR之间流过。

通过限制性示例的方式，对于横梁PTR以及由厚度为几十纳米的氧化铝覆盖的铝制成的支座BTA，击穿电压VB位于约5伏处，并且在击穿之后，示出了存在约30欧姆的接触电阻，该接触电阻代表了支座BTA与横梁PTR之间的焊接接头。

将反熔丝结构STR放置在涂覆有绝缘区域RIS的集成电路的互连部分PITX中，将其与由天然金属氧化物形成的反熔丝区域ZSF进行组合，这样几乎不可能使用常规的故障分析装置(例如扫描电子显微镜(SEM))来检测结构STR是否已经经受了击穿。

对于想要确定结构是否已经经受了击穿的第三方，唯一办法是对该结构进行电气测试。然而，如图6所展示的，当集成电路IC包括大量反熔丝结构STRi时，这变得非常繁琐，甚至在经济上是不现实的。

此外，有可能设想在这些结构之上和之下生成金属屏蔽，以便使得对这些结构的接入更加困难。

在图6中，示出了形成在各种金属化层内的集成电路的互连部分 PITX中的9个反熔丝结构STR0-STR8。

这些结构中的一些结构(诸如例如结构STR0、STR3、STR5和 STR7)的反熔丝区域已经经受击穿，而其他结构STR1、STR2、STR4、STR6和STR8的反熔丝区域没有经受击穿。因此，根据相应反熔丝区域ZSF的状态(即是否已经经受了击穿)，有可能存储具有逻辑值0 或1的九位的二进制字。

作为变体，如图7所展示的，结构STR的本体可能不仅包括单个支座BTA，而且包括两个支座BTA以及BTB。

在这种情况下，反熔丝区域包括两个反熔丝绝缘部分ZSFA和 ZSFB。横梁PTR的两端分别经由两个反熔丝部分ZSFA和ZSFB与两个支座BTA和BTB进行接触。

此外，当横梁PTR处于接地电位GND时，两个反熔丝部分ZSFA、 ZSFB能够在存在施加到两个支座BTA和BTB的击穿电压V的情况下经受击穿。

当然可以将电压V仅施加到单个支座(例如支座BTA)，并且使第二支座浮置。在这种情况下，只有反熔丝绝缘部分ZSFA才能够经受击穿。

现在更具体地参考图8至图10以便描述制造反熔丝结构STR的方法的实施方式。

在这些图中，假设在金属化层级M3(金属3)中形成组件ENS1 以及该一个或多个支座BTA、BTB。

在图8中，可以看出金属层级2与金属层级3之间的通孔2的层级V2被用于形成用于氧化物蚀刻操作的保护壁，接着将进行氧化物蚀刻操作，其允许组件ENS1和各种支座被释放。

此外，在金属层级3中形成结构STR(在这种情况下为横梁PTR) 的移动部分以及本体(在这种情况下为支座BTA)，支座BTA可能通过通孔连接至金属层级2。

结构STR以及特别地组件ENS1是使用制造金属化层级以及通孔的常规步骤生产的。更具体地，如图9所展示的，在形成金属层级 M2以及通孔层级V2之后，为了简单起见，通过蚀刻下面的金属间电介质(这里称为第一中间绝缘区域RIS1)并且将金属(在这种情况下为铝)沉积在由此获得的沟槽中的以常规方式来产生此处用虚线示出的组件ENS1以及中间结构STRI的一个或多个支座。

在这个阶段，金属部分上已经生长有与环境空气相接触的氧化物。

接下来，先进行各向同性干法蚀刻，然后(例如用氢氟酸)进行湿法蚀刻以除去对组件ENS1以及该一个或多个各种支座进行限制的绝缘区域(氧化物)，以便释放中间结构STRI并允许横梁与一个或多个支座进行接触。

在湿法蚀刻之后，氧化铝几乎消失，但一旦结构在释放期间与空气进行接触，相同厚度的氧化铝就会返回(主要是结构与空气的接触导致了氧化)。氧化物在横梁以及一个或多个支座上方的生长将允许覆盖横梁的这两个金属氧化物层在横梁的角度偏差期间分别与该一个或多个支座进行接触时形成反熔丝绝缘区域ZSF。

接下来，如图10所展示的，因此产生的反熔丝结构STR被覆盖有新的金属间绝缘材料层(这里称为第二中间绝缘区域RIS2)，该层将形成互连部分PITX的绝缘区域RIS的一部分。因此，结构STR 被封装在互连部分PITX的绝缘区域RIS的一部分内，并且随后执行用于产生各种更高金属化M4层级和通孔V3层级的常规方法。