技术总结
公开了集成电路和系统。该集成电路在衬底的顶部上包括互连部分，该互连部分包括由绝缘区域(RIS)分隔开的多个金属化层级。该集成电路在该互连部分内另外包括至少一个反熔丝结构(STR)，该反熔丝结构涂覆在该绝缘区域(RIS)的一部分中，该反熔丝结构包括：横梁(PTR)，该横梁由两个臂(BR1A，BR1B)固持在两个不同点处；本体(BTA)；以及反熔丝绝缘区域(ZSF)，该横梁(PTR)、该本体(BTA)以及这些臂(BR1A，BR1B)是金属并且位于同一金属化层级内，该本体和该横梁通过该反熔丝绝缘区域(ZSF)相互接触，该反熔丝绝缘区域被配置成用于在该本体与该横梁之间存在击穿电位差的情况下经受击穿。
技术研发人员：P·弗纳拉;C·里韦罗
受保护的技术使用者：意法半导体(鲁塞)公司
文档号码：201720453604
技术研发日：2017.04.26
技术公布日：2018.04.10