集成电路和集成电路系统的制作方法

技术特征：

1.一种集成电路，其特征在于，所述集成电路在衬底的顶部上包括互连部分，所述互连部分包括由绝缘区域分隔开的多个金属化层级，所述集成电路在所述互连部分内另外包括至少一个反熔丝结构，所述反熔丝结构涂覆有所述绝缘区域的一部分，所述反熔丝结构包括：横梁，所述横梁由两个臂固持在两个不同点处；本体；以及反熔丝绝缘区域，所述横梁、所述本体以及所述臂是金属并且位于同一金属化层级内，所述本体和所述横梁经由所述反熔丝绝缘区域相互接触，所述反熔丝绝缘区域被配置成用于在所述本体与所述横梁之间存在击穿电位差的情况下经受击穿。

2.根据权利要求1所述的集成电路，其特征在于，所述横梁、所述两个臂以及所述本体包括第一金属，并且所述至少一个反熔丝绝缘区域包括所述第一金属的氧化物。

3.根据权利要求2所述的集成电路，其特征在于，所述第一金属是铜或铝。

4.根据权利要求2或3所述的集成电路，其特征在于，所述反熔丝绝缘区域的厚度至少等于2nm小于等于20nm。

5.根据权利要求1至3中任一项所述的集成电路，其特征在于，所述两个臂基本平行于第一方向延伸，并且所述横梁相对于与所述第一方向正交的第二方向具有非零角度偏差。

6.根据权利要求1至3中任一项所述的集成电路，其特征在于，在所述横梁的中心部分附近，在所述横梁的两个相反面上，将所述两个臂分别固定到所述横梁上，所述两个臂固定到所述横梁所处的所述两个固定点在所述横梁的纵向方向上被间隔开。

7.根据权利要求1至3中任一项所述的集成电路，其特征在于，所述本体包括支座，所述支座经由所述反熔丝绝缘区域与所述横梁的两端之一进行接触。

8.根据权利要求1至3中任一项所述的集成电路，其特征在于，所述反熔丝绝缘区域包括两个反熔丝部分，所述本体包括两个支座，所述支座经由所述两个反熔丝部分分别与所述横梁的两端进行接触，所述两个反熔丝部分中的至少一个反熔丝部分被配置成用于在所述支座中的至少一个支座与所述横梁之间存在所述击穿电位差的情况下经受击穿。

9.根据权利要求1至3中任一项所述的集成电路，其特征在于，所述集成电路包括多个反熔丝结构。

10.根据权利要求9所述的集成电路，其特征在于，所述反熔丝结构中的至少一个反熔丝结构包括已经经受击穿的反熔丝绝缘区域，并且所述反熔丝结构中的至少一个反熔丝结构包括尚未经受击穿的反熔丝绝缘区域。

11.一种集成电路系统，其特征在于，所述集成电路系统包括：根据权利要求1至10中任一项所述的集成电路；以及被配置成用于在所述反熔丝结构中的至少一个反熔丝结构两端施加所述击穿电位差的装置。