技术总结
本实用新型涉及一种Ge材料CMOS器件，包括：Si衬底；Si1‑xGex外延层，设置于所述Si衬底上；P型Ge沟道层，设置于所述Si1‑xGex外延层上；介质层，设置于所述P型Ge沟道层上；隔离区，设置于所述P型Ge沟道层和所述介质层内部；N阱区，设置于所述隔离区的第一侧，且设置于所述P型Ge沟道层内；PMOS区域，设置于所述隔离区的第一侧；NMOS区域，设置于所述隔离区(104)的第二侧；钝化层，设置于所述介质层上。本实用新型提供的GeCMOS器件中高Ge组分Si1‑xGex/Si外延层晶体质量高。
技术研发人员：尹晓雪
受保护的技术使用者：西安科锐盛创新科技有限公司
技术研发日：2017.11.30
技术公布日：2018.11.20