技术特征：
技术总结
本发明公开了一种全无机钙钛矿多重阻变忆阻器的制备方法。所述方法先采用热喷涂的方法在清洗干净的基底表面上制备钙钛矿薄膜；然后在冷却后的钙钛矿薄膜滴加溶剂的进行旋涂，再退火处理得到全无机钙钛矿薄膜；最后在全无机钙钛矿薄膜上镀层金或铂电极，制得忆阻器元件。本发明方法简单易操作，制备出的钙钛矿薄膜致密均匀、覆盖度好，缺陷少；制备的忆阻器性能优良，通过调整溶剂中甲醇与丁酸的比例实现多重阻变。
技术研发人员：阮伟;张树芳;张志伟;胡延强
受保护的技术使用者：南京理工大学
技术研发日：2018.11.26
技术公布日：2019.02.15