一种RM型磁芯成型模具的制作方法

本实用新型属于高频导磁材料加工技术领域，尤其是涉及一种RM型磁芯成型模具。

背景技术：

磁芯是指由各种氧化铁混合物组成的一种烧结磁性金属氧化物。如锰-锌铁氧体和镍-锌铁氧体是典型的磁芯体材料。锰-锌铁氧体具有高磁导率和高磁通密度的特点，且具有较低损耗的特性。镍-锌铁氧体具有极高的阻抗率、不到几百的低磁导率等特性。铁氧体磁芯用于各种电子设备的线圈和变压器中。影响磁芯性能的因素有很多，如材料、结构等，而磁芯设计时考虑的性能主要有有效面积，绕线的稳定性、磁导率以及散热性能等。现有的磁芯在绕线的稳定性和散热性上都还有待提高，基于此，本公司开发了带有锥度绕线柱和散热孔的RM型磁芯，提高了磁芯的绕线稳定性和散热性，但基于此，磁芯成型时，其锥度的存在导致了脱模困难。

技术实现要素：

为解决上述技术问题，本实用新型提供了一种RM型磁芯成型模具。

本实用新型完整的技术方案包括：

一种RM型磁芯成型模具，包括左模和右模，所述左模包括模壁，左模内设有左隔板，左模模壁内侧设有左第一侧板散热孔芯和对称设置的左第二侧板散热孔芯，左第二侧板散热孔芯相对左第一侧板散热孔芯倾斜设置，左第一侧板散热孔芯和左第二侧板散热孔芯分别连接左隔板，左隔板和模壁围成左第一侧板成型腔和对称设置的左第二侧板成型腔。左第二侧板成型腔相对左第一侧板成型腔倾斜设置，左隔板围成左绕线柱成型腔，左模底部设有左底座成型腔。

右模内设有右隔板，右模模壁内侧设有右第一侧板散热孔芯和对称设置的右第二侧板散热孔芯，右第二侧板散热孔芯相对右第一侧板散热孔芯倾斜设置，右第一侧板散热孔芯和右第二侧板散热孔芯分别连接右隔板，右隔板和模壁围成右第一侧板成型腔和对称设置的右第二侧板成型腔。右第二侧板成型腔相对右第一侧板成型腔倾斜设置，右隔板围成右绕线柱成型腔，右模底部设有右底座成型腔。

左右绕线柱成型腔均包括上部和下部，上部和下部的高度比36:32，上部的锥度为1:9，下部的锥度1:8。

本实用新型相对于现有技术的改进为：通过将左右开模的方式，适应应了具有锥度绕线柱的磁芯的压制成型方式，提高了压制精度和生产效率，带有锥度的成型腔开模方便，不会损坏磁芯坯子，解决了工业生产的问题。

附图说明

图1为本实用新型所公开磁芯成型模具的俯视剖面图。

图2为本实用新型所公开磁芯成型模具的正视剖面图。

图3为利用该模具成型的磁芯俯视图。

图4为利用该模具成型的磁芯正视图。

图中：1-左模，2-右模，3-左隔板，4-右隔板，5-左绕线柱成型腔，6-右绕线柱成型腔，7-左底座成型腔，8-右底座成型腔，9-左第二侧板散热孔芯，10-左第一侧板散热孔芯，11-左第二侧板成型腔，12-左第一侧板成型腔。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施方式对本实用新型做进一步说明。

如图1所示，一种RM型磁芯成型模具，包括左模1和右模2，所述左模包括模壁，左模内设有左隔板3，左模模壁内侧设有左第一侧板散热孔芯10和对称设置的左第二侧板散热孔芯9，左第二侧板散热孔芯相对左第一侧板散热孔芯倾斜设置，左第一侧板散热孔芯和左第二侧板散热孔芯分别连接左隔板，左隔板和模壁围成左第一侧板成型腔12和对称设置的左第二侧板成型腔11。左第二侧板成型腔相对左第一侧板成型腔倾斜设置，左隔板围成左绕线柱成型腔5，左模底部设有左底座成型腔7。

右模内设有右隔板4，右模模壁内侧设有右第一侧板散热孔芯和对称设置的右第二侧板散热孔芯，右第二侧板散热孔芯相对右第一侧板散热孔芯倾斜设置，右第一侧板散热孔芯和右第二侧板散热孔芯分别连接右隔板，右隔板和模壁围成右第一侧板成型腔和对称设置的右第二侧板成型腔。右第二侧板成型腔相对右第一侧板成型腔倾斜设置，右隔板围成右绕线柱成型腔6，右模底部设有右底座成型腔8。

左右绕线柱成型腔均包括上部和下部，上部和下部的高度比36:32，上部的锥度为1:9，下部的锥度1:8。

成型时，将左右模合模，左绕线柱成型腔和右绕线柱成型腔合成整个的绕线柱成型腔。左右底座成型腔合成整个底座成型腔，注入粉末并进行压制，完成后开模时开模取出，形成磁芯。

模顶还设有粉末入口和对粉末进行挤压的压孔等，此为现有技术，在此不再赘述。

图3和图4是本模具形成的磁芯的正视和俯视示意图，可以看出，形成的磁芯包括底座，底座的中央设有绕线柱，底座横向两侧设有对称的第一侧板，每个第一侧板的左右两侧设有对称的第二侧板，第二侧板相对第一侧板倾斜设置，第一侧板上设有第一侧板散热孔，第二侧板上设有第二侧板散热孔，散热孔为水平设置并穿过侧板的通孔，散热孔的截面为椭圆形，底座的纵向两侧设有绕线槽，绕线槽为梯形的缺口；

绕线柱包括上细下粗的绕线柱下部和上粗下细的绕线柱上部，上部和下部的高度比36:32，上部的锥度为1:9，下部的锥度1:8。

以上所述，仅是本实用新型的较佳实施例，并非对本实用新型作任何限制，凡是根据本实用新型技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、变更以及等效结构变化，均仍属于本实用新型技术方案的保护范围内。