1.一种半导体存储器，包括衬底以及位于所述衬底上的电容器阵列和支撑层，所述电容器阵列中的电容器包括下电极(10)、介电层和上电极，各所述下电极(10)通过所述支撑层与至少一个相邻的所述下电极(10)连接，所述支撑层与至少一个相邻的所述下电极(10)之间不设置所述支撑层，其特征在于，
将所述电容器阵列划分为核心阵列区(100)和虚拟阵列区(200)，所述虚拟阵列区(200)环绕所述核心阵列区(100)设置；
在所述核心阵列区(100)中除了设置所述下电极(10)以外的区域分为设置有所述支撑层的第一支撑层区和与所述第一支撑层区互补的第一区域(110)；
在所述虚拟阵列区(200)中除了设置所述下电极(10)以外的区域分为设置有所述支撑层的第二支撑层区和与所述第二支撑层区互补的第二区域(120)；
在平行于所述衬底的方向上，所述第一区域(110)的最大截面面积为a1，所述第二区域(120)的最大截面面积为a2，所述核心阵列区(100)的截面面积为b1，所述虚拟阵列区(200)的截面面积为b2，a1/b1＜a2/b2。
2.根据权利要求1所述的半导体存储器，其特征在于，位于所述虚拟阵列区(200)中最外侧的所述下电极(10)为第一下电极，相邻所述第一下电极之间通过所述支撑层连接。
3.根据权利要求1所述的半导体存储器，其特征在于，所述电容器阵列具有沿第一方向间隔设置的多排下电极(10)，相邻两排的所述下电极(10)交错设置，各所述下电极(10)通过所述支撑层与同一排中和/或不同排中相邻的至少一个所述下电极(10)连接。
4.根据权利要求3所述的半导体存储器，其特征在于，同一排中的所述下电极(10)等间距设置，且相邻排中的所述下电极(10)在第一方向上等间距设置。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体存储器，其特征在于，在平行于所述衬底的方向上，所述第一区域(110)具有多个相互独立的第一子区域(111)，所述第二区域(120)具有多个相互独立的第二子区域(121)，各所述第一子区域(111)和各所述第二子区域(121)的截面形状独立地选自棒状、椭圆形和三角形中的任一种。
6.根据权利要求5所述的半导体存储器，其特征在于，在平行于所述衬底的方向上，各所述第二子区域(121)的截面面积大于各所述第一子区域(111)的截面面积。
7.根据权利要求5所述的半导体存储器，其特征在于，位于所述核心阵列区(100)相对两侧的所述第二子区域(121)的截面面积之和相等。
8.根据权利要求7所述的半导体存储器，其特征在于，位于所述核心阵列区(100)相对两侧的所述第二子区域(121)对称设置。
9.根据权利要求5所述的半导体存储器，其特征在于，所述第二子区域(121)的截面形状为棒状，所述核心阵列区(100)具有邻接的第一侧和第二侧，在所述第二子区域(121)的长度方向上，位于所述第一侧的至少一个所述第二子区域(121)的延伸区域与位于所述第二侧的至少一个所述第二子区域(121)相交。