技术特征：1.一种集成电路的结构，其特征在于，包含：
一基板；
一第一金属化层，位于该基板上，且该第一金属化层包含嵌入于一介电质中的多个第一导电结构；
一富氮层，形成在该介电质内且位于所述多个第一导电结构之间；
一蚀刻停止层，位于该第一金属化层上并接触部分的所述多个第一导电结构及该富氮层；以及
一第二金属化层，位于该第一金属化层上方，且该第二金属化层包含多个第二导电结构，所述多个第二导电结构接触该第一导电结构的剩余部分，而未接触该蚀刻停止层。
技术总结本揭露描述一种集成电路的结构，集成电路的结构包括基板、第一金属化层、富氮层、蚀刻停止层以及第二金属化层。第一金属化层位于基板上，且第一金属化层包含嵌入于介电质中的第一导电结构。富氮层形成在介电质内且位于第一导电结构之间。蚀刻停止层位于第一金属化层上并接触部分的第一导电结构及富氮层。第二金属化层位于第一金属化层上方，且第二金属化层包含第二导电结构。第二导电结构接触第一导电结构的剩余部分，而未接触蚀刻停止层。
技术研发人员：李贞儀;许嘉麟
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：2021.01.21
技术公布日：2021.07.27