导电图形的制作方法及导电膜的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及触控显示技术领域，特别是涉及一种导电图形的制作方法及导电膜。
【背景技术】
[0002]近年来，各种平板显示器件已得到广泛使用。为了制造平板显示器件，通常采用光刻法，在基板上形成许多导电图形，如电极、布线和EMI屏蔽滤光器等。
[0003]目前，导电图形的生产制造通常采用以下工艺流程:镀膜一涂胶一曝光一显影一刻蚀一脱膜。图1为现有技术中导电图形的制作工艺流程。请参阅图1，该导电图形的制作方法主要包括:
[0004]1、在基板上沉积金属层；
[0005]2、在金属层上涂覆光刻胶；
[0006]3、利用掩膜板，对光刻胶进行曝光；
[0007]4、对光刻胶进行显影；
[0008]5、对金属层进行刻蚀处理；
[0009]6、通过脱膜工艺除去光刻胶。
[0010]然而，上述生产工序流程繁琐，生产周期较长，而且在制作过程中使用的光刻胶、稀释剂、显影液、剥离液等材料都是有机材料，有一定的毒性，对人体具有较大的危害性，对环境污染较大，同时，上述制备过程所消耗的成本较高、设备投入大、物料损耗较多。
【发明内容】
[0011]基于此，有必要针对上述问题，提供一种导电图形的制作方法及导电膜，不仅可有效缩短生产周期，降低成本，减少环境污染及设备投入。
[0012]一种导电图形的制作方法，包括如下步骤:
[0013]在基板上形成导电层；
[0014]在所述导电层上形成非晶金属氧化物；
[0015]对所述非晶金属氧化物的预定区域进行激光退火处理，使所述预定区域的非晶金属氧化物形成多晶金属氧化物；
[0016]对预定区域外的非晶金属氧化物进行第一次刻蚀处理，以除去所述预定区域外的所述非晶金属氧化物；
[0017]对所述预定区域外的导电层进行第二次刻蚀处理，形成导电图形。
[0018]在其中一个实施例中，所述非晶金属氧化物为氧化铟锡、氧化锡、氧化铟锡锌或氧化铟镓锌的至少一种。
[0019]在其中一个实施例中，所述第一次刻蚀处理，所采用的刻蚀液为草酸溶液。
[0020]在其中一个实施例中，所述导电层包括至少一层金属薄膜。
[0021]在其中一个实施例中，所述金属薄膜的材料为Al、Mo、Ag、Ti及W的至少一种。
[0022]在其中一个实施例中，所述第二次刻蚀处理，所采用的刻蚀液为磷酸、醋酸、硝酸和水的混合液。
[0023]在其中一个实施例中，所述非晶氧化物的厚度为25nm?200nm。
[0024]在其中一个实施例中，所述对所述非晶金属氧化物的预定区域进行激光退火处理的步骤包括:利用激光光源照射所述非晶金属氧化物的预定区域。
[0025]在其中一个实施例中，所述激光光源为激光点光源。
[0026]一种导电膜，采用上述任一所述的制作方法制得。
[0027]上述导电图形的制作方法，首先在导电层上形成非晶氧化物，利用激光对非晶金属氧化物的预定区域进行激光退火处理，将非晶金属氧化物转化为多晶金属氧化物，然后对非晶金属氧化物进行刻蚀，再对没有被覆盖的导电层进行刻蚀处理，这样，多晶金属氧化物可充当光阻作用用来保护其底下的导电层不被刻蚀，而没有多晶金属氧化物保护的导电层就被刻蚀掉了，最终形成器件所需的导电图形。
[0028]与现有技术相比，上述导电图形的制作方法减少了涂胶、曝光、显影、脱膜等一系列生产工艺流程，缩短了生产周期，节约了生产时间，降低了生产成本，而且实现了在不使用曝光掩膜板的条件下的产品生产，减少了物料的耗损及设备的投入，避免了有机试剂的使用，并减少了对环境的污染。
[0029]上述导电膜，由于导电层的金属材料被多晶金属氧化物覆盖，既能防止金属材料被氧化，而且还能降低金属材料的反射率，提高导电膜的可视性。
【附图说明】
[0030]图1为现有技术中导电图形制作方法的流程图；
[0031]图2为本发明一实施例中导电图形制作方法的流程图；
[0032]图3A-3E为图2所示的导电图形在制作过程中的各步骤的结构示意图；
[0033]图4为本发明一实施例中导电膜的结构示意图。
【具体实施方式】
[0034]为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的【具体实施方式】做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似改进，因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。
[0035]本发明提供一种导电图形的制作方法，例如，其包括如下步骤:在基板上形成导电层；在所述导电层上形成非晶金属氧化物；对所述非晶金属氧化物的预定区域进行激光退火处理，使所述预定区域的非晶金属氧化物形成多晶金属氧化物；对预定区域外的非晶金属氧化物进行第一次刻蚀处理，以除去所述预定区域外的所述非晶金属氧化物；对所述预定区域外的导电层进行第二次刻蚀处理，形成导电图形。
[0036]又如，所述对所述非晶金属氧化物的预定区域进行激光退火处理的步骤包括:利用激光光源照射所述非晶金属氧化物的预定区域。
[0037]为了提高加工工艺，例如，所述激光光源为激光点光源，激光点光源产生的激光扫过非晶金属氧化物上的预定区域，这样，可精准的控制形成多晶金属氧化物形成的区域，提高了加工工艺的精度。
[0038]为了减少刻蚀过程对人体及设备的伤害及减少对环境的污染，例如，所述对预定区域外的非晶金属氧化物进行刻蚀处理的步骤，所采用的刻蚀液为草酸溶液。这样，可以减少刻蚀过程对人体及设备的伤害及减少对环境的污染。
[0039]为了降低对导电层刻蚀处理的成本，提高刻蚀速度，例如，对所述预定区域外的导电层进行刻蚀处理的步骤，采用湿法刻蚀，又如，湿法刻蚀采用的刻蚀液为磷酸、醋酸、硝酸和水的混合液。这样，刻蚀成本较低，刻蚀速度较快，而且对设备的要求较低。
[0040]为了保证导电层具有良好的导电性，例如，所述导电层包括至少一层金属薄膜。又如，所述金属薄膜的材料为Al、Mo、Ag、Ti及W的至少一种。这样，可以确保导电层具有良好的导电性。
[0041]例如，所述非晶金属氧化物为氧化铟锡、氧化锡、氧化铟锡锌或氧化铟镓锌。又如，所述非晶氧化物的厚度为25nm?200nm。又如，所述非晶氧化物的厚度为30nm?180nm，又如，所述非晶氧化物的厚度为50nm?150nm，又如，所述非晶氧化物的厚度为80nm?lOOnm，又如，所述非晶氧化物的厚度为40nm、70nm、90nm、120nm、140nm或190nm。
[0042]例如，一种导电膜，包括:基板以及导电图形，所述导电图形设于所述基板上，所述导电图形包括设于基板的导电层及设置于所述导电层的多晶金属氧化物。又如，一种导电膜，其采用上述任一实施例所述制作方法制备。
[0043]请参阅图2，其为本发明一实施例中导电图形的制作方法的流程图，该制作方法具体包括:
[0044]SllO:在基板100上形成导电层200，其完成后的截面请参阅图3A。
[0045]例如，在干净的基板上，如玻璃、聚酰亚胺(PI)及聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)等，采用溅射、热蒸发或等离子体增强化学气相沉积(PECVD)、低压力化学气相沉积(LPCVD)、常压化学气相淀积(APCVD)、电子回旋共振微波等离子体化学气相沉积(ECR-CVD)等方法沉积导电层。又如，导电层包括至少一层金属薄膜。又如，金属薄膜的材料为铝(Al)、钼(Mo)、银(Ag)、钛(Ti)及钨(W)的至少一种。又如，金属薄膜为铝(Al)、钼(Mo)、银(Ag)、钛(Ti)及钨(W)等金属。又如，导电层为多层金属薄膜结构，又如，导电层为Mo/Al、Mo/Al/Mo、Ti/Al/Ti 等多层金属结构。
[0046]在本实施例中，导电层的厚度为100_800nm，当然，导电层的厚度也可根据具体工艺需要选择合适的厚度。
[0047]S120:在导电层200上形成非晶氧化铟锡(ITO)层300，其完成后的截面请参阅图3B。
[0048]例如，通过物理气相沉积(PVD)技术，如真空蒸发、溅射、离子镀等，在导电层200上形成有一层厚度均匀的非晶ITO层300。当然，本实施例中的非晶ITO层的形成还可采用现有的其他技术手段以实现。在本实施例中，非晶ITO的厚度为25nm?200nm。又如，非晶ITO的厚度为30nm?180nm，又如，非晶ITO的厚度为50nm?150nm，又如，非晶ITO的厚度为 80nm ?