阵列基板及制作方法、显示面板及制作方法和显示装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及显示技术领域，具体而言，涉及一种阵列基板、一种阵列基板制作方法，一种显示面板、一种显示面板制作方法、一种显示面板驱动方法和一种显示装置。
【背景技术】
[0002]场发射显示器(field emiss1n display，FED)相对于现有的液晶显示器的具有显示品质优良、响应速度快、薄型化、视角广、工作温度范围大等优点。场发射显示器的发射源是靠电压驱动造成电子隧穿发射源表面势皇，经过轰击荧光层发光，属于自发光显示器，无需设置背光源，相对于液晶显示器可以使得器件薄型化。
[0003]但是，目前场发射显示器的制备成本较高且制备工艺不成熟，特别是发射源的发射效率及均一性较差造成亮度的不均匀，加之发射体相互之间的干扰降低发射源的发射效率进一步造成亮度的不均和以及亮度的下降。例如采用一维或是准一维的纳米结构作为发射源时，由于当前制备工艺的限制，难以做到每个发射源之间的完全独立或相互平行，发射源之间存在一定程度的交叉，因而造成发射源之间场发射效应的相互干扰使得发射源的发射效率有很大的损失。
【发明内容】
[0004]本发明所要解决的技术问题是，如何提高场发射显示器中发射源的发射效率。
[0005]为此目的，本发明提出了一种阵列基板，包括:
[0006]第一基底；
[0007]设置在所述第一基底之上的第一电极；
[0008]设置在所述第一电极之上的钝化层，
[0009]其中，在所述钝化层中设置有多个第一过孔；
[0010]多个发射源，设置于所述多个第一过孔中，
[0011]其中，所述发射源为一维或准一维结构，每个过孔中设置有至少一个发射源；
[0012]介电材料层，设置于所述多个第一过孔中，用于覆盖所述多个发射源的预设高度区域，使所述多个发射源在远离所述第一电极一侧露出预设长度的发射端。
[0013]优选地，还包括:
[0014]设置于所述钝化层之上的电子吸收层，用于吸收所述发射端发射的偏离预设方向的电子，
[0015]其中，所述电子吸收层中设置有与所述多个第一过孔对应的多个第二过孔。
[0016]优选地，所述第二过孔的尺寸大于或等于第一过孔的尺寸。
[0017]优选地，所述电子吸收层为接地金属层或栅格电极板。
[0018]优选地，还包括:
[0019]设置于所述第一基底之上的栅极；
[0020]设置在所述栅极之上的栅绝缘层；
[0021]设置在所述栅绝缘层之上的有源层；
[0022]设置在所述有源层之上的源极和漏极，
[0023]其中，所述第一电极设置在所述栅绝缘层之上，且与所述漏极电连接。
[0024]优选地，所述介电材料层的材料包括树脂。
[0025]优选地，所述发射源包括:
[0026]柱状、线状和/或锥状纳米材料。
[0027]优选地，所述发射源的材料包括:
[0028]碳纳米管和/或半导体氧化物。
[0029]优选地，所述发射源的材料包括:
[0030]掺杂碳纳米管和/或掺杂半导体氧化物。
[0031]本发明还提出了一种显示面板，包括上述任一项所述的阵列基板，还包括对盒基板，
[0032]所述对盒基板包括:
[0033]第二基底；
[0034]设置在所述第二基底上靠近所述阵列基板一侧的第二电极；
[0035]设置在所述第二电极靠近所述阵列基板一侧的荧光层。
[0036]优选地，还包括:
[0037]设置于所述阵列基板和所述对盒基板之间的隔垫物。
[0038]优选地，所述隔垫物与所述介电材料层同层形成。
[0039]本发明还提出了一种显示装置，包括上述任一项所述的显示面板。
[0040]本发明还提出了一种用于上述任一项所述的显示面板的驱动方法，包括:
[0041 ]为所述第一电极提供负电压，为所述第二电极提供正电压，使所述多个发射源中露出的发射端向所述第二电极发射电子，以撞击所述荧光层。
[0042]本发明还提出了一种阵列基板制作方法，包括:
[0043]在第一基底之上形成第一电极；
[0044]在所述第一电极之上形成钝化层，
[0045]其中，在所述钝化层中设置有多个第一过孔；
[0046]在所述多个过孔中设置多个发射源，
[0047]其中，所述发射源为一维或准一维结构，每个过孔中设置有至少一个发射源；
[0048]在所述多个第一过孔中形成介电材料层，用于覆盖所述多个发射源的预设高度区域，使所述多个发射源在远离所述第一电极一侧露出预设长度的发射端。
[0049]优选地，在设置所述多个发射源之后还包括:
[0050]在所述钝化层之上形成电子吸收层，用于吸收所述发射端发射的偏离预设方向的电子，
[0051]其中，所述电子吸收层中设置有与所述多个第一过孔对应的多个第二过孔。
[0052]优选地，在形成所述第一电极之前还包括:
[0053]在所述第一基底之上形成栅极；
[0054]在所述栅极之上形成栅绝缘层；
[0055]在所述栅绝缘层之上形成有源层；
[0056]在所述有源层之上形成源极和漏极，
[0057]其中，所述第一电极设置在所述栅绝缘层之上，且与所述漏极电连接。
[0058]本发明还提出了一种基于上述任一项所述阵列基板制作方法的显示面板制作方法，还包括形成对盒基板:
[0059]在与第一基底对应的第二基底靠近所述阵列基板的一侧形成第二电极；
[0060]在所述第二电极靠近所述阵列基板的一侧形成荧光层。
[0061]优选地，还包括:
[0062]在所述阵列基板和所述对盒基板之间形成隔垫物。
[0063]优选地，在形成所述介电材料层时形成所述隔垫物。
[0064]根据上述技术方案，通过介电材料层覆盖发射源的预设高度区域，使发射源在远离栅绝缘层的一侧露出预设长度的发射端，使得发射源仅露出的一端发射电子，避免了发射源的另一端和中间段发射电子造成不同发射源之间的干扰。
【附图说明】
[0065]通过参考附图会更加清楚的理解本发明的特征和优点，附图是示意性的而不应理解为对本发明进行任何限制，在附图中:
[0066]图1示出了根据本发明一个实施例的阵列基板的结构示意图；
[0067]图2示出了图1中虚线处未设置介电材料层时阵列基板的结构示意图；
[0068]图3示出了图1中虚线处设置了介电材料层后阵列基板的结构示意图；
[0069]图4示出了图1中阵列基板的俯视图；
[0070]图5示出了根据本发明又一个实施例的阵列基板的结构示意图；
[0071]图6示出了图5中阵列基板的俯视图；
[0072]图7示出了根据本发明一个实施例的显示面板的结构示意图；
[0073]图8示出了根据本发明一个实施例的阵列基板制作方法的示意流程图。
[0074]附图标号说明:
[0075]1-第一基底；2_第一电极；3_钝化层；4_发射源；5_介电材料层；6_第二电极；7-荧光层；8-栅极；9_栅绝缘层；10-有源层；11_源极；12_漏极；13_电子吸收层；14_栅线；15_数据线；16_第二基底。
【具体实施方式】
[0076]为了能够更清楚地理解本发明的上述目的、特征和优点，下面结合附图和【具体实施方式】对本发明进行进一步的详细描述。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
[0077]在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明，但是，本发明还可以采用其他不同于在此描述的其他方式来实施，因此，本发明的保护范围并不受下面公开的具体实施例的限制。
[0078]如图1和图4所示，根据本发明一个实施例的阵列基板，包括:
[0079]第一基底I ;
[0080]设置在第一基底I之上的第一电极2 ；
[0081]设置在第一电极2之上的钝化层3，
[0082]其中，在钝化层3中设置有多个第一过孔；
[0083