膜进行适当剂量的曝光处理，使得过孔中的树脂层被去除一定高度，保留了预设高度，从而覆盖发射源4的预设高度区域，露出预设长度的发射端。
[0137]优选地，在设置多个发射源之后还包括:
[0138]在钝化层3之上形成电子吸收层13，用于吸收发射端4发射的偏离预设方向的电子，
[0139]其中，电子吸收层13中设置有与多个第一过孔对应的多个第二过孔。其中，第二过孔的尺寸可以大于或等于第一过孔的尺寸，以保证未偏离预设方向的电子可以顺利通过第二过孔。
[0140]优选地，在形成第一电极2之前还包括:
[0141]在第一基底I之上形成栅极8 ;
[0142]在栅极8之上形成栅绝缘层9 ;
[0143]在栅绝缘层9之上形成有源层10 ；
[0144]在有源层10之上形成源极11和漏极12，
[0145]其中，第一电极2设置在栅绝缘层9之上，且与漏极12电连接。
[0146]根据本发明一个实施例的显示面板制作方法包括形成对盒基板:
[0147]在与第一基底I对应的第二基底16靠近阵列基板的一侧形成第二电极6 ;
[0148]在第二电极6靠近阵列基板的一侧形成荧光层7。
[0149]优选地，还包括:
[0150]在阵列基板和对盒基板之间形成隔垫物。具体地，可以在阵列基板上的介电材料层4与对盒基板的荧光层7之间形成隔垫物。
[0151]优选地，在形成介电材料层5时形成隔垫物。
[0152]其中，上述流程所采用的形成工艺例如可包括:沉积、溅射等成膜工艺和刻蚀等构图工艺。
[0153]以上结合附图详细说明了本发明的技术方案，考虑到现有技术中，场发射显示器中发射源之间场发射效应的相互干扰使得发射源的发射效率有很大的损失。根据本发明的技术方案，通过介电材料层覆盖发射源的预设高度区域，使发射源在远离栅绝缘层的一侧露出预设长度的发射端，使得发射源仅露出的一端发射电子，避免了发射源的另一端和中间段发射电子造成不同发射源之间的干扰。
[0154]需要指出的是，在附图中，为了图示的清晰可能夸大了层和区域的尺寸。而且可以理解，当元件或层被称为在另一元件或层“上”时，它可以直接在其他元件上，或者可以存在中间的层。另外，可以理解，当元件或层被称为在另一元件或层“下”时，它可以直接在其他元件下，或者可以存在一个以上的中间的层或元件。另外，还可以理解，当层或元件被称为在两层或两个元件“之间”时，它可以为两层或两个元件之间惟一的层，或还可以存在一个以上的中间层或元件。通篇相似的参考标记指示相似的元件。
[0155]在本发明中，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。术语“多个”指两个或两个以上，除非另有明确的限定。
[0156]以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
【主权项】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括: 第一基底； 设置在所述第一基底之上的第一电极； 设置在所述第一电极之上的钝化层， 其中，在所述钝化层中设置有多个第一过孔； 多个发射源，设置于所述多个第一过孔中， 其中，所述发射源为一维或准一维结构，每个过孔中设置有至少一个发射源； 介电材料层，设置于所述多个第一过孔中，用于覆盖所述多个发射源的预设高度区域，使所述多个发射源在远离所述第一电极一侧露出预设长度的发射端。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括: 设置于所述钝化层之上的电子吸收层，用于吸收所述发射端发射的偏离预设方向的电子， 其中，所述电子吸收层中设置有与所述多个第一过孔对应的多个第二过孔。3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第二过孔的尺寸大于或等于所述第一过孔的尺寸。4.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述电子吸收层为接地金属层或栅格电极板。5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括: 设置于所述第一基底之上的栅极； 设置在所述栅极之上的栅绝缘层； 设置在所述栅绝缘层之上的有源层； 设置在所述有源层之上的源极和漏极， 其中，所述第一电极设置在所述栅绝缘层之上，且与所述漏极电连接。6.根据权利要求1至5中任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述介电材料层的材料包括树脂。7.根据权利要求1至5中任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述发射源包括: 柱状、线状和/或锥状纳米材料。8.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述发射源的材料包括: 碳纳米管和/或半导体氧化物。9.根据权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，所述发射源的材料包括: 掺杂碳纳米管和/或掺杂半导体氧化物。10.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求1至9中任一项所述的阵列基板，还包括对盒基板， 所述对盒基板包括: 第二基底； 设置在所述第二基底上靠近所述阵列基板一侧的第二电极； 设置在所述第二电极靠近所述阵列基板一侧的荧光层。11.根据权利要求10所述的显示面板，其特征在于，还包括: 设置于所述阵列基板和所述对盒基板之间的隔垫物。12.根据权利要求11所述的显示面板，其特征在于，所述隔垫物与所述介电材料层同层形成。13.—种显示装置，其特征在于，包括权利要求10至12中任一项所述的显示面板。14.一种用于权利要求10至12中任一项所述的显示面板的驱动方法，其特征在于，包括: 为所述第一电极提供负电压，为所述第二电极提供正电压，使所述多个发射源中露出的发射端向所述第二电极发射电子，以撞击所述荧光层。15.一种阵列基板制作方法，其特征在于，包括: 在第一基底之上形成第一电极； 在所述第一电极之上形成钝化层， 其中，在所述钝化层中设置有多个第一过孔； 在所述多个过孔中设置多个发射源， 其中，所述发射源为一维或准一维结构，每个过孔中设置有至少一个发射源； 在所述多个第一过孔中形成介电材料层，用于覆盖所述多个发射源的预设高度区域，使所述多个发射源在远离所述第一电极一侧露出预设长度的发射端。16.根据权利要求15所述的显示面板制作方法，其特征在于，在设置所述多个发射源之后还包括:在所述钝化层之上形成电子吸收层，用于吸收所述发射端发射的偏离预设方向的电子， 其中，所述电子吸收层中设置有与所述多个第一过孔对应的多个第二过孔。17.根据权利要求15所述的显示面板制作方法，其特征在于，在形成所述第一电极之前还包括: 在所述第一基底之上形成栅极； 在所述栅极之上形成栅绝缘层； 在所述栅绝缘层之上形成有源层； 在所述有源层之上形成源极和漏极， 其中，所述第一电极设置在所述栅绝缘层之上，且与所述漏极电连接。18.—种基于权利要求15至17中任一项所述阵列基板制作方法的显示面板制作方法，其特征在于，还包括形成对盒基板: 在与第一基底对应的第二基底靠近所述阵列基板的一侧形成第二电极； 在所述第二电极靠近所述阵列基板的一侧形成荧光层。19.根据权利要求18所述的显示面板制作方法，其特征在于，还包括: 在所述阵列基板和所述对盒基板之间形成隔垫物。20.根据权利要求19所述的显示面板制作方法，其特征在于，在形成所述介电材料层时形成所述隔垫物。
【专利摘要】本发明涉及一种阵列基板及其制作方法、一种显示面板及其驱动方法以及显示装置，上述阵列基板括：第一基底；设置在第一基底之上的第一电极；设置在第一电极之上的钝化层，其中，在钝化层中设置有多个第一过孔；多个发射源，设置于多个第一过孔中，每个过孔中设置有至少一个发射源；介电材料层，设置于多个第一过孔中，用于覆盖多个发射源的预设高度区域，使多个发射源在远离第一电极一侧露出预设长度的发射端。通过介电材料层覆盖发射源的预设高度区域，使发射源在远离栅绝缘层的一侧露出预设长度的发射端，使得发射源仅露出的一端发射电子，避免了发射源的另一端和中间段发射电子造成不同发射源之间的干扰。
【IPC分类】H01J29/02, H01J31/12, H01J9/00
【公开号】CN104882345
【申请号】CN201510242967
【发明人】包智颖, 陈小川, 姜文博, 王世君, 王磊, 李月, 薛艳娜, 吕振华, 肖文俊, 张勇
【申请人】京东方科技集团股份有限公司, 北京京东方光电科技有限公司
【公开日】2015年9月2日
【申请日】2015年5月13日