其它适当金属/材料将取决于给定应用，并且根据本公开内容将 是显而易见的。
[0035] 在一些情况下，所公开的技术可以与各种各样的互连环境和结构中的任何互连环 境和结构兼容。一些示例性的这种结构可以包括但不一定限于：单镶嵌结构；双镶嵌结构 (例如，具有下层通孔的线）；各向异性结构；各向同性结构；和/或任何其它期望的1C结 构、互连或其它导电结构。而且，根据实施例，可以根据给定目标应用或最终用途的需求来 定制给定互连120的尺寸。给定互连120的其它适当构造将取决于给定应用，并且根据本 公开内容将是显而易见的。
[0036] 在一些情况下，ILD110及其一个或多个互连120可能经历化学机械平面化（CMP) 工艺或任何其它适当的抛光/平面化技术/工艺，如根据本公开内容将显而易见的。可以 执行1C100的平面化，以例如去除以下中的任何不期望的多余部分：（1)给定互连120 ;和 /或（2)ILD110。在一些实例中，例如，1C100可以是具有一个或多个器件和/或金属层 的部分加工的1C。根据本公开内容，许多适当的构造都是显而易见的。
[0037] 从图2还可看到，1C100可以包括钝化层130。在一些实施例中，可以将钝化层 130沉积为覆盖由下层ILD110和/或一个或多个互连120提供的形貌的大体上共形的层。 如根据本公开内容应当领会的，并且根据一个或多个实施例，可以使用各种各样的沉积技 术/工艺中的任何技术/工艺来将钝化层130设置在ILD110之上，所述沉积技术/工艺 例如但不一定限于：化学气相沉积（CVD);物理气相沉积（PVD)(例如，溅射）；旋涂/旋压 沉积（SOD);电子束蒸发；原子层沉积（ALD);和/或上述技术/工艺中的任何技术/工艺 的组合。用于钝化层130的其它适当沉积工艺/技术将取决于给定应用，并且根据本公开 内容将是显而易见的。
[0038] 根据实施例，钝化层130可以被沉积为厚度在从单组分原子厚度（即，单层）到 给定应用所期望的厚度的范围内的层/膜。例如，在一些示例性实施例中，钝化层130可 以沉积有处于大约1000-2000nm或更大的范围内的厚度（例如，处于大约1000-1200nm或 更大、大约1200-1400nm或更大、大约1400-1600nm或更大、大约1600-1800nm或更大、大 约1800-2000nm或更大、或者大约1000-2000nm或更大的范围内的任何其它子范围的范围 内的厚度）。在一些其它示例性实施例中，钝化层130可以设置有处于大约lOOOnm或更小 的范围内的厚度。在一些情况下，钝化层130在这种形貌之上可以具有大体上均匀的厚度。 然而，所要求保护的发明不限于此，因为在一些其它实例中，钝化层130可以设置有非均匀 的或在其它情况下变化的厚度。例如，在一些情况下，钝化层130的第一部分可以具有第一 范围内的厚度，而其第二部分可以具有不同的第二范围内的厚度。钝化层130的其它适当 构造和/或厚度范围将取决于给定应用，并且根据本公开内容将是显而易见的。
[0039] 根据实施例，钝化层130可以包括各种各样的电介质材料中的任何电介质材料， 所述电介质材料包括但不一定限于：（1)氧化物，例如二氧化硅（Si02)、氧化铝（A1203)等； (2)氮化物，例如氮化硅（Si3N4) ;(3)碳化物，例如碳化硅（SiC) ;(4)碳氮化物，例如碳氮化 硅（SiCN) ;(5)氮氧化物，例如氮氧化硅（SiOxNy);和/或（6)上述材料中的任何材料的组 合（例如，SiCN/SiN等）。在一些实施例中，钝化层130可以被配置为不同材料的两个或更 多层的组合。在一些实例中，并且根据一些实施例，钝化层130可以是渐变的，以使其成分 例如跨越所述层的厚度发生变化。钝化层130的其它适当材料和/或构造将取决于给定应 用，并且根据本公开内容将是显而易见的。
[0040] 从图2还可以看出，在一些实施例中，1C100任选地可以包括硬掩模层140。在一 些情况下，可以将硬掩模层140沉积为覆盖由下层钝化层130提供的形貌的大体上共形的 层。根据一些实施例，可以使用各种各样的沉积技术/工艺中的任何技术/工艺来将硬掩模 层140设置在ILD110之上，所述沉积技术/工艺例如但不一定限于：化学气相沉积（CVD); 物理气相沉积（PVD)(例如，溅射）；旋涂/旋压沉积（SOD);电子束蒸发；和/或上述技术 /工艺中的任何技术/工艺的组合。硬掩模层140的其它适当沉积工艺/技术将取决于给 定应用，并且根据本公开内容将是显而易见的。
[0041] 根据实施例，可以将硬掩模层140沉积为厚度在从单组分原子的厚度（即，单层） 到给定应用所期望的厚度的范围内的层/膜。例如，在一些示例性实施例中，硬掩模层140 可以沉积有处于大约10-1 〇〇〇A或更大的范围内的厚度（例如，处于大约200-500人或更 大、大约500-800A或更大、或大约丨0-1000A或更大的范围内的任何其它子范围的范围内 的厚度）。在一些情况下，硬掩模层140在这种形貌之上可以具有大体上均匀的厚度。然 而，所要求保护的发明不限于此，因为在一些其它实例中，硬掩模层140可以设置有非均匀 或在其它情况下变化的厚度。例如，在一些情况下，硬掩模层140的第一部分可以具有第一 范围内的厚度，而其第二部分可以具有不同的第二范围内的厚度。在一些实施例中，可以将 任选的硬掩模层140实施为单个层，而在一些其它实施例中，可以将任选的硬掩模层140实 施为多个层（例如，双层、三层等）。硬掩模层140的其它适当构造和/或厚度范围将取决 于给定应用，并且根据本公开内容将是显而易见的。
[0042] 根据实施例，任选的硬掩模层140可以包括各种各样的材料中的任何材料，所述 材料例如但不一定限于：（1)氮化娃（Si3N4) ;(2)二氧化娃（Si02) ;(3)氮氧化娃（Si0xNy); (4)碳氮化硅（SiCN) ; (5)具有大于或等于大约20% (例如，大约30-60 %或更大、大约 40-50%或更大等的范围内）的硅浓度的富硅聚合物，例如硅倍半氧烷、硅氧烷等；(6)氮化 钛（TiN);和/或（7)前述材料中的任何材料的组合。在一些情况下，包括给定硬掩模层140 的一种或多种材料可以至少部分地取决于包括下层钝化层130的（多种）材料。任选的硬 掩模层140的其它适当材料将取决于给定应用，并且根据本公开内容将是显而易见的。
[0043] 工艺流程可以如图3和4所示的那样继续进行，图3和图4分别示出根据本发明 的实施例的在沉积并处理定向自组装〇)SA)层150之后的图2的1C100。在一些实施例 中，DSA层150可以包括例如在经受非减法处理/加工时进行自组织/自组装的嵌段共聚 物材料。一些这种处理可以包括但不一定限于：（1)将DSA层150加热/焙烧到足够的温 度（例如，处于大约100_450°C的范围内）；和/或（2)使DSA层150经受适当的溶剂环境， 例如具有溶剂（例如，甲苯或C7H8)的部分压力的惰性气体（例如，氮气或N2;氩气或Ar;氦 气或He;等）。给定DSA层150的其它适当的非减法处理技术将取决于给定应用，并且根据 本公开内容将是显而易见的。
[0044] 在任何这种情况下，根据一个或多个实施例，在处理时，DSA层150的DSA组成材料 150a和150b可能经历微相分离，因此分离成两个离析的相，由此将形成总体上有序的（例 如，周期性的、准周期性的、短程有序的、随机有序的等）纳米结构。如根据本公开内容将领 会的，两种DSA组成150a和150b的体积分数可以确定例如总体上圆柱形的孔的阵列或者 总体上圆柱形的结构的阵列是否由自组织产生。根据本公开内容，许多构造和变型将是显 而易见的。
[0045] 为此，根据一些实施例，用于DSA层150的一些示例性适当材料可以包括但不一定 限于：聚（苯乙烯-b-甲基丙烯酸盐甲酯）；聚（苯乙烯-b-环氧乙烷）；聚（苯乙烯-b-丙 交酯）；聚（氧化丙烯-b_苯乙烯-共-4-乙烯基氮苯）；聚（苯乙烯-b-4-乙烯基氮苯）； 聚（苯乙烯-b-聚二甲基硅氧烷）；聚（苯乙烯-b-甲基丙烯酸盐）；聚（甲基丙烯酸盐甲 酯-b-n-壬基丙烯酸酯）；和/或上述材料中的任何材料的组合。在一些实施例中，DSA层 150可以包括嵌段共聚物，其例如具有两个、三个、四个或更多嵌段（block)。在一些情况 下，层150可以包括均聚物和/或聚合物的混合（例如，所述聚合物自身可以是嵌段、混合 物、均聚物等）。在一些示例性实例中，DSA层150可以包括具有纳米颗粒（例如，聚苯乙烯 胶乳或PSL球粒）的胶状悬浮的旋压材料。在一些其它实例中，层150可以包括一种或多 种非聚合物相材料（例如，诸如0-Ti-Cr之类的金属组成），它们在受到处理（例如，加热、 暴露于溶剂等）时发生离析。从更普遍的意义上讲，可以使用响应于处理（例如，加热、冷 却、向心力、暴露于适当溶剂环境等）而离析成不同的相的任何材料，随后可以响应于彼此 而对不同的相进行蚀刻，以提供期望的图案。用于牺牲层150的其它适当材料将取决于给 定应用和可用加工设备等的因素，并且根据本公开内容将是显而易见的。
[0046] 在一些实施例中，可以使用例如旋涂/旋压沉积（SOD)或者任何其它适当的沉积 技术/工艺来将DSA层150沉积为膜（例如，在焙烧之前，如图3所示），如根据本公开内容 将显而易见的。此外，根据一些实施例，可以根据给定目标应用或最终用途的需要而将DSA 层150沉积为具有任何给定厚度的层/膜。例如，在一些实例中，在焙烧之前，DSA层150 可以是覆盖由任选的硬掩模层140 (如果存在的话）和/或钝化层130提供的形貌的大体 上共形的层。在焙烧之后（例如，如图4所示），在一些实施例中，DSA层150可以具有处于 大约10-1000人或更大的范围内的厚度（例如，处于大约200-500人、大约500-800人或更 大、或者大约10-丨000/\或更大的范围内的任何子范围内的厚度）。DSA层150的其它适当 构造和/或厚度范围将取决于给定应用，并且根据本公开内容将是显而易见的。
[0047] 接下来，工艺流程将如图5所示的那样继续进行，图5示出了根据本发明的实施例 的在进行选择性蚀刻之后的图4的1C100。如图所示，DSA层150已经被选择性蚀刻，以使 DSA组成150b被去除/蚀刻掉，在1C100的表面上留下DSA组成150a。然而，应当注意到， 所要求保护的发明不限于此，因为在一些其它实施例中，DSA层150替代地可以被选择性蚀 亥丨J，以使DSA组成150a被去除，而DSA组成150b保留在1C100上。在任一种情况下，根据 实施例，对DSA层150的选择性蚀刻在1C100的表面上产生经图案化的DSA层150'。
[0048] 在DSA层150包括例如聚（苯乙烯-b-甲基丙烯酸盐甲酯）（PS-b-PMMA)的一些 实施例中，可以有选择地蚀刻掉DSA组成150b(例如，PMMA)，留下DSA组成150a(例如，PS) 的经图案化的层150'。例如，考虑图5'，其是根据本发明的实施例的对DSA层150进行选 择性蚀刻之后的示例性1C100的倾斜透视扫描电子显微镜（SEM)图像。如图可见，已经有 选择地蚀刻掉DSA组成150b，留下DSA组成150a的具有形成于其中的多个凹陷/孔152的 经图案化的层150'。
[0049] 根据实施例，可以使用各种各样的蚀刻工艺和化学试剂中的任何蚀刻工艺和化学 试剂来执行对DSA层150的选择性蚀刻。例如，为了蚀刻掉包括PMMA的DSA组成150b，一 些适当的蚀刻工艺/化学试剂可以包括但不一定限于：（1)利用紫外线（UV)曝光随后施用 乙酸（C2H402)的湿法蚀刻工艺；和/或⑵在低偏置电源下利用氧气（0 2)和氩气（Ar)的 干法蚀刻工艺。然而，所要求保护的发明不限于此，并且给定DSA层150的其它适当的蚀刻 工艺和/或化学试剂将取决于给定应用，并且根据本公开内容将是显而易见的。
[0050] 此后，工艺流程可以如图6所示的那