（Ag)等中一种，及其合金等来设置外部电极130。
[0091] 制诰多层电子元件的方法
[0092] 图8为说明根据本发明的一种实施方式的制造多层电子元件100的方法的工艺 图。
[0093] 参照图8,首先，可以制备多个磁性片。
[0094] 对用于制造磁性片的磁性材料没有特别的限制，例如，磁性材料可以包括铁氧体 材料。磁性片可以由如Fe203、ZnO、NiO、CuO、MgO、MnO、C〇0等的组合物组成，且具有化学式 MFe204(M:Zn、Ni、Cu、Mn或Mg)，根据组合物比例，可以制造具有各种磁导率的磁性片。
[0095] 接着，制备非磁性片。
[0096] 用于制造非磁性片的非磁性材料可以含有Nb205系介电材料，非磁性片含有Nb205 系介电材料，使得磁性片和非磁性片间的扩散可以得到降低，可以显著降低内部残余的应 力，并可以使磁性片和非磁性片的烧结收缩行为相互重合。
[0097]作为Nb205 系介电材料，可以使用Zn〇-Nb205、Zn0-Ti02-Nb205、Ba〇-Nb205、 Ba0-Ti02-Nb205和Bi203-Nb205系介电材料中的至少一种。Nb205系介电材料含有Zn〇-Nb205、 Zn0-Ti02-Nb205、Ba0_Nb205、Ba0-Ti02-Nb205 或Bi203-Nb205 系陶瓷组合物，使得可以在 1200°C 或更低的温度下合成Nb205系介电材料。
[0098] 非磁性片中含有的Nb205可以由V205部分取代。当非磁性片中含有的Nb205由V205 部分取代时，可以在相对较低的温度下进行合成并烧结，并且可以使磁性片的烧结收缩曲 线的轮廓与非磁性片的烧结收缩曲线的轮廓相互重合。Nb205由V205部分取代的取代量可以 为0. 1-0. 4摩尔。在这种情况下，非磁性片中Nb205:V205的成分比可以在0. 9 :0. 1至0.6: 0. 4范围内。
[0099] 非磁性片可以含有玻璃料，该玻璃料含有碱土金属氧化物如CaO、BaO等，非磁性 片中含有的玻璃料可以用作低温烧结剂。非磁性片含有玻璃料，使得可以抑制界面的扩散， 降低烧结温度，并可以使陶瓷体的磁性片的烧结收缩曲线的轮廓与非磁性片的烧结收缩曲 线的轮廓相互重合。作为含有Nb205系介电材料的非磁性片，可以降低磁性片和非磁性片间 的扩散，可以显著降低内部残余的应力，并可以使磁性片和非磁性片的烧结收缩行为相互 重合。
[0100] 随后，内部线圈图案121可以设置在磁性片和非磁性片的至少一个片上。
[0101] 可以通过使用印刷方法等将含有导电金属的导电糊膏涂覆至磁性片以设置内部 线圈图案121。
[0102] 对导电金属没有特别的限制，只要它具有优良的导电性即可。例如，可以单独使用 作为导电金属的银（Ag)、钯（Pd)、铝（A1)、镍（Ni)、钛（Ti)、金（Au)、铜（Cu)、钼（Pt)等，或 者可以使用它们的混合物。
[0103] 作为导电糊膏的印刷方法，可以使用丝网印刷方法，凹版印刷方法等，但是本发明 并不限于此。
[0104] 然后，可以通过在彼此上相互层叠磁性片和非磁性片而设置内部线圈部件120和 陶瓷体110。
[0105] 参照图2A和图2B，可以在磁性片间层叠一个或多个非磁性片。
[0106] 参照图2C和图2D，在内部线圈部件120形成过程中间进行在彼此上相互层叠非磁 性片的过程，使得非磁性片层叠在内部线圈部件120的内侧。选择地，在内部线圈部件120 形成过程前和后层叠非磁性片，使得非磁性片层叠在内部线圈部件120的外侧。
[0107] 参照图4A至图4C，非磁性片的区域的一部分可以含有介电材料，如图4A所示的非 磁性片的区域的一部分中可以含有形成非磁性片的介电材料，如图4B所示的也可以线性 地含有形成非磁性片的介电材料，或者如图4C所示的具有预定图案的区域中也可以含有 形成非磁性片的介电材料。在非磁性片的区域的一部分含有介电材料的情况下，其不含有 介电材料的区域可以含有与形成磁性片的材料相同的材料或者可以为空的。
[0108] 外部电极130可以分别设置在陶瓷体110彼此相对的两个端表面上以连接至内部 线圈部件120。
[0109] 外部电极130可以延伸至陶瓷体110在厚度（T)方向上的上表面和下表面和/或 陶瓷体110在宽度（W)方向上的两个侧表面。
[0110] 外部电极130可以含有具有优良的导电性的金属，例如，可以使用镍（Ni)、铜 (Cu)、锡（Sn)、银（Ag)等中的一种，及其合金等来设置外部电极130。
[0111] 可以根据外部电极的形状通过浸渍方法和印刷方法等来设置外部电极130。
[0112] 如上所述，根据本发明实施方式的多层电子元件和制造多层电子元件的方法，通 过使磁性层和非磁性层的烧结收缩轮廓相互重合以降低内部残余的应力，从而降低如脱 层、扩散、剥离、断裂和层间分裂等缺陷。
[0113] 尽管上面已经示出并描述了实施方式，但是，本领域的技术人员应该理解的是，在 不脱离本发明所附权利要求所限定的保护范围下，可以做出修改和变型。
【主权项】
1. 一种多层电子元件，该多层电子元件包括： 包括多个磁性层的陶瓷体； 设置在磁性层间的非磁性层； 设置在陶瓷体中的在多个磁性层和非磁性层中的至少一个层上的并具有多个彼此电 连接的内部线圈图案的内部线圈部件；以及 设置在陶瓷体上且与内部线圈部件连接的外部电极； 其中，所述非磁性层含有Nb2O5系介电材料。2. 根据权利要求1所述的多层电子元件，其中，所述Nb2O5系介电材料包括Zn〇-Nb20 5、 Zn0-Ti02-Nb205、Ba〇-Nb 205、BaO-TiO2-Nb2O5 和 Bi2O3-Nb2O5 系介电材料中的至少一种。3. 根据权利要求1所述的多层电子元件，其中，所述非磁性层含有V205。4. 根据权利要求3所述的多层电子元件，其中，所述非磁性层中含有的Nb2O5 :V205的摩 尔比在0. 9 :0. 1至0. 6 :0. 4的范围内。5. 根据权利要求1所述的多层电子元件，其中，所述非磁性层含有含量为7-20重量％ 的玻璃料。6. 根据权利要求5所述的多层电子元件，其中，所述玻璃料含有CaO和BaO中的至少一 种。7. 根据权利要求1所述的多层电子元件，其中，所述非磁性层设置在内部线圈部件内 侧。8. 根据权利要求1所述的多层电子元件，其中，所述非磁性层的区域的一部分含有介 电材料，并且不含有介电材料的所述非磁性层的区域含有与所述磁性层的材料相同的材 料。9. 根据权利要求1所述的多层电子元件，其中，所述非磁性层的区域的一部分含有介 电材料，并且不含有介电材料的所述非磁性层的区域为空的。10. -种制造多层电子元件的方法，该方法包括： 制备多个磁性片； 制备一个或多个含有Nb2O5系介电材料的非磁性片； 在磁性片和非磁性片中的至少一个片上形成内部线圈图案； 层叠磁性片和非磁性片以形成内部线圈部件和陶瓷体；以及 在陶瓷体的端表面上形成与内部线圈部件连接的外部电极。11. 根据权利要求10所述的方法，其中，所述Nb2O5系介电材料包括Zn〇-Nb20 5、 Zn0-Ti02-Nb205、Ba〇-Nb 205、BaO-TiO2-Nb2O5 和 Bi2O3-Nb2O5 系介电材料中的至少一种。12. 根据权利要求10所述的方法，其中，所述非磁性片含有V205。13. 根据权利要求12所述的方法，其中，所述非磁性片中含有的Nb2O5 :V205的摩尔比在 0. 9 :0. 1至0.6 :0.4的范围内。14. 根据权利要求10所述的方法，其中，所述非磁性片含有含量为7-20重量％的玻璃 料。15. 根据权利要求14所述的方法，其中，所述玻璃料含有CaO和BaO中的至少一种。16. 根据权利要求10所述的方法，其中，所述非磁性片设置在内部线圈部件内侧。17. 根据权利要求10所述的方法，其中，所述非磁性片的区域的一部分含有介电材料， 并且不含有介电材料的所述非磁性片的区域含有与所述磁性片的材料相同的材料。18.根据权利要求10所述的方法，其中，所述非磁性片的区域的一部分含有介电材料， 并且不含有介电材料的所述非磁性片的区域为空的。
【专利摘要】本发明涉及一种多层电子元件及其制造方法，该多层电子元件可以包括通过层叠多个磁性层而设置的陶瓷体，设置在磁性层间且含有Nb2O5系介电材料的非磁性层，在陶瓷体中通过彼此电连接的多个内部线圈图案而设置的内部线圈部件，以及设置在陶瓷体的端表面上且与内部线圈部件连接的外部电极。本发明的多层电子元件和制造多层电子元件的方法，通过使磁性层和非磁性层的烧结收缩轮廓相互重合以降低内部残余的应力，从而降低如脱层、扩散、剥离、断裂和层间分裂等缺陷。
【IPC分类】H01F1/11, H01F27/24, H01F41/02
【公开号】CN104979080
【申请号】CN201410708202
【发明人】朴正贤
【申请人】三星电机株式会社
【公开日】2015年10月14日
【申请日】2014年11月28日