0054]如图4C中所示，可通过歧管460将公共等离子体源458耦接至每个处理腔室452A、452B。在所描述的实施方式中，通道传递通过设备424包括公共远程等离子体源458，该公共远程等离子体源458被耦接至每个通道处理腔室452A、452B。等离子体源458被称为是公共的，这是因为该等离子体源458产生每个通道处理腔室452A、452B中的等离子体。分配通道461A、46IB分别将每个通道处理腔室452A、452B耦接至公共远程等离子体源458。可在公共主体442下面提供适宜的真空栗455，及该真空栗可被用以产生各个处理腔室452A、452B内的真空。
[0055]如图4D中最佳图示的通道传递通过设备424的代表性横截面，该横截面图示处理腔室452A、452B及装载锁定腔室444A、444B及其他部件。关于处理腔室452B，图示提升组件472安置在上部位置中以便交换基板102。应注意，将围阻环475提升于狭缝阀开口 454B上方，以免妨碍腔室452B中的基板交换。处理腔室452A图示了定位于下部位置中的提升组件472，由指状凹部464来收纳指状物471。亦图示了下提升组件467A、467B包括波纹管466、下提升致动器243、支撑件250及冷却平台444C。图4D中亦图示了公共远程等离子体源458，通过歧管460将该公共远程等离子体源458耦接至通道处理腔室452A及通道处理腔室452B。歧管460中的通道461A、461B将等离子体输送至气体盒462且穿过喷头247及面板259。在进口 257处可引入一种或更多种气体。可在气体盒462中提供辅助气体进口(未图示进口)。
[0056]现在参看图4E及图4F，详细图示基座253。基座253包括顶板468，该顶板可以是适合于接触基板102的铝材料。基座253可包括在顶板468下面的支撑件476 (亦可为铝)，且该支撑件可包括内部电阻加热器，该加热器具有置于支撑件476中的凹槽中的电阻元件。加热器可将基板102加热至适宜的处理温度，该处理温度诸如介于约O摄氏度与约300摄氏度之间或更高。至加热器的电力输入电缆可在通道477中水平延伸，及随后可竖直向下延伸通过形成在公共主体442中的加热器口。加热器口偏离顶板468的中心。适宜的密封电气(electrical)传递通过部480可气封(hermetically seal)加热器口。图示多个指状凹部464在顶板468中，这些指状凹部被配置成及适合于收纳指状物471 (例如三个指状物)于顶板表面下。提升组件472的指状物471 (图4A至图4B)适合于在用机械手116进行基板交换期间接触及提升基板102。举例而言，指状物471可有三个或更多个。指状物可从诸如提升框架473之类的连接部分延伸，通过连接凸缘467将该提升框架连接至升降器部分470。指状物可在基板102下面水平延伸。可以以合适的径向间隔将指状物471隔开，以支撑基板102而又不妨碍终端受动器140A接取基板102。
[0057]如图5中所示，提供处理基板(例如基板102)的方法500。方法500包括:在502中，提供第一主机区段(例如第一主机区段103)，该第一主机区段包括第一机械手(例如第一机械手114);以及在504中，提供第二主机区段(例如第二主机区段104)，该第二主机区段邻接第一主机区段且包括第二机械手(例如第二机械手116)。方法500进一步包括:在506中，提供通道传递通过设备(例如通道传递通过设备124、324、424)，该通道传递通过设备耦接第一主机与第二主机；及在508中，在通道传递通过设备的一个或更多个通道处理腔室(例如通道处理腔室252、352、452A、452B)内对一个或更多个基板实施处理。
[0058]前述描述仅公开了本发明的示例性实施方式。落入本发明范围内的上文所公开的系统、设备及方法的变型对于本领域普通技术人员来说将是显而易见的。因此，尽管已结合本发明的示例性实施方式公开了本发明，但应理解，其他实施方式可落入如以下权利要求书所确定的本发明范围内。
【主权项】
1.一种通道传递通过设备，所述设备包括: 传递通过腔室，所述传递通过腔室适合于耦接在第一主机区段与第二主机区段之间，所述传递通过腔室包括入口及出口，所述入口及所述出口每一个都具有狭缝阀；以及 通道处理腔室，所述通道处理腔室定位于与所述传递通过腔室不同的水平处，其中所述通道处理腔室适合于对基板实施处理。2.如权利要求1所述的通道传递通过设备，其中所述处理包括选自沉积处理、氧化处理、氧化物去除处理、硝化处理、蚀刻处理及退火处理、消除处理及清洁处理中的至少一种。3.如权利要求1所述的通道传递通过设备，包括排列在所述传递通过腔室正上方的所述通道处理腔室。4.如权利要求3所述的通道传递通过设备，进一步包括借助所述通道处理腔室的传递通过能力。5.如权利要求1所述的通道传递通过设备，其中所述通道处理腔室包括:第一开口，所述第一开口适合于耦接至所述第一主机区段的第一传送腔室，及第二开口，所述第二开口适合于耦接至所述第二主机区段的第二传送腔室。6.如权利要求1所述的通道传递通过设备，其中所述通道处理腔室包括开口，所述开口适合于耦接至所述第一传送腔室或所述第二传送腔室中的一个。7.如权利要求1所述的通道传递通过设备，包括公共远程等离子体源，所述公共远程等离子体源耦接至所述通道处理腔室及第二通道处理腔室。8.如权利要求1所述的通道传递通过设备，其中所述通道处理腔室包括固定的受热基座。9.如权利要求1所述的通道传递通过设备，包括第二通道处理腔室，所述第二通道处理腔室与所述通道处理腔室以并行排列方式排列。10.一种电子器件处理系统，所述系统包括: 第一主机区段，所述第一主机区段包括被配置成移动基板的第一机械手； 第二主机区段，所述第二主机区段包括被配置成移动基板的第二机械手；以及通道传递通过设备，所述通道传递通过设备耦接于所述第一主机与所述第二主机之间，所述通道传递通过设备包括: 第一传递通过腔室，所述第一传递通过腔室耦接于所述第一主机与所述第二主机之间，其中借助所述第一机械手及所述第二机械手两者可进出所述第一传递通过腔室；以及通道处理腔室，所述通道处理腔室适合于对基板实施处理，所述通道处理腔室定位于与所述第一传递通过腔室不同的水平处。11.如权利要求10所述的电子器件处理系统，其中所述通道传递通过设备包括第一通道处理腔室，所述第一通道处理腔室与第二通道处理腔室以并行排列方式排列。12.如权利要求10所述的电子器件处理系统，其中所述通道传递通过设备包括进入所述通道处理腔室内的单个入口。13.如权利要求10所述的电子器件处理系统，其中所述通道传递通过设备包括: 第一入口，从所述第一主机经由所述第一入口进入所述通道处理腔室内；以及 第二入口，从所述第二主机经由所述第二入口进入所述通道处理腔室内。14.一种处理基板的方法，所述方法包括: 提供第一主机区段，所述第一主机区段包括第一机械手； 提供第二主机区段，所述第二主机区段邻接所述第一主机区段且包括第二机械手； 提供通道传递通过设备，所述通道传递通过设备耦接所述第一主机及所述第二主机；以及 在所述通道传递通过设备的一个或更多个通道处理腔室内对一个或更多个基板实施处理。15.如权利要求14所述的方法，其中所述处理包括选自沉积处理、氧化处理、氧化物去除处理、硝化处理、蚀刻处理、消除处理及清洁处理中的至少一种。
【专利摘要】公开了一种通道传递通过设备。该通道传递通过设备包括：传递通过腔室，该传递通过腔室适合于耦接在基板处理系统的第一主机区段与第二主机区段之间，该传递通过腔室包括入口及出口，该入口及出口每个都具有狭缝阀；以及通道处理腔室，该通道处理腔室定位于与传递通过腔室不同的水平处，其中通道处理腔室适合于在通道位置处对基板实施处理。提供了系统及操作该系统的方法，以及提供了许多其他方面。
【IPC分类】H01L21/02
【公开号】CN105051861
【申请号】CN201480016045
【发明人】史蒂夫·S·洪坎, 保罗·B·路透, 埃里克·A·恩格尔哈特, 加内什·巴拉萨布拉曼尼恩, 陈兴隆, 胡安·卡洛斯·罗奇-阿尔维斯
【申请人】应用材料公司
【公开日】2015年11月11日
【申请日】2014年3月10日
【公告号】US20140263165, WO2014150234A1