件32连接，高度调节组件40用于调节光线接收组件32与承载面341之间的竖直间距D，如图5A和5C所示。优选的，该竖直间距D的可以在2?1mm的范围内进行调节，进一步优选的，竖直间距D为3mm。
[0049]在实际应用中，高度调节组件的具体结构可以为:其包括用于支撑光线接收组件32的支撑杆，以及用于将该支撑杆固定在升降平台37上，并能够调节支撑杆顶端在竖直方向上的高度的调节螺栓。
[0050]升降机构用于驱动升降平台37作直线升降运动，从而带动升降平台37上的旋转机构和支撑件同步作直线升降运动。在实际应用中，升降机构可以采用旋转电机和能够将旋转运动转换为直线运动的传动机构，例如，涡轮蜗杆、丝杠丝母等；或者，也可以采用直线电机直接驱动升降平台作直线升降运动。
[0051]在装载晶片S的过程中，机械手将晶片S传输至四个支撑爪33上，此时支撑件的位置被设置在其承载面341的高度低于支撑爪33的上端高度的位置，如图5C所示；待机械手退出后，升降机构驱动支撑件上升，直至其承载面341的高度高于支撑爪33的上端高度，在此过程中，晶片S自支撑爪33被传递至承载面341上，如图5A所示，从而完成晶片S的装载。卸载晶片S的过程与上述装载过程相类似，而仅是各个部件的运动先后顺序相反，在此不再赘述。
[0052]在检测晶片S相对于承载面341的位置偏差时，旋转机构驱动支撑件旋转一周以上，同时开启光源31和光线接收处理装置。由于该检测过程与上述第一实施例相同，在此不再赘述。
[0053]由于光线接收组件32设置在升降平台上，可以使光线接收组件32随升降平台37同步作直线升降运动，即，支撑件在作直线升降运动时与光线接收组件32之间没有相对运动，从而可以保证光线接收组件32与承载面341之间的竖直间距D始终不变，进而使得在进行检测之前仅需对光线接收组件32的高度调节一次即可，从而有利于操作效率和便捷性。
[0054]当然，在实际应用中，光线接收组件也可以通过高度调节组件40设置在真空腔室30的底部，或者省去高度调节组件40而直接设置在真空腔室30的底部或者升降平台37上。
[0055]优选的，为了保证真空腔室30保持真空状态，可以在旋转轴35上套制第一波纹管39，以及在高度调节组件40的支撑杆上套制第二波纹管41，第一波纹管39和第二波纹管41分别用于对第一通孔302和第二通孔303进行密封。容易理解，该波纹管的内径应不小于通孔的直径，以保证能够将通孔的开口容纳在其内部。
[0056]需要说明的是，在本实施例中，该支撑台由水平设置且对称分布的四个承载臂34组成，但是本发明并不局限于此，在实际应用中，支撑台还可以采用其他任意盘状结构，例如采用整体式的圆盘承载晶片，事实上，承载件的结构并不局限于本发明在上述实施例中示出的结构，其可以根据具体情况自由设定。
[0057]还需要说明的是，在本实施例中，四个支撑爪33的数量为四个，但是本发明并不局限于此，在实际应用中，支撑爪的数量还可以为三个，或者五个以上。而且，支撑爪的结构并不局限于本发明在上述实施例中示出的结构，其可以根据具体情况自由设定。
[0058]另外需要说明的是，本发明实施例提供的晶片校准装置是应用于在真空环境下检测晶片的位置偏差的情况，即，将晶片传输至真空腔室中进行检测。
[0059]进一步需要说明的是，在上述第一实施例的技术方案中，由于承载件是利用多个支撑柱的顶端共同支撑晶片，因而其无需作直线升降运动，而仅依靠机械手的升降即可完成晶片的装卸，从而可以省去升降机构以及支撑爪，这不仅可以减小真空腔室的体积，而且还可以简化真空腔室的结构，从而可以降低制造成本。但是，上述承载件的结构仅能应用在较低电机转速的情况，而对于较高电机转速的情况，可能会出现晶片掉落或滑移等情况。
[0060]与之相比，在上述第二实施例的技术方案中，承载件是采用由水平设置的多个承载臂组成的盘状支撑台支撑晶片，这种结构的承载件可以避免在较高电机转速的情况下，出现晶片掉落或滑移等情况。但是，由于其增设了升降机构以及支撑爪，在一定程度上增大了真空腔室的体积。因此，在实际应用中，可以综合考虑设备的占用空间、制造成本等因素对上述第一、第二实施例的技术方案进行选择。
[0061]作为另一个技术方案，本发明实施例还提供一种半导体加工设备，其包括晶片校准装置，用于检测晶片的位置偏差，该晶片校准装置采用了本发明实施例提供的上述晶片校准装置。
[0062]本发明实施例提供的半导体加工设备，其通过采用本发明实施例提供的晶片校准装置，不仅可以降低软件的实现难度和硬件成本，而且还可以降低对安装精度和校准精度要求，进而可以降低生产成本。
[0063]可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。
【主权项】
1.一种晶片校准装置，包括真空腔室、承载件、旋转机构、光源以及光线接收处理装置，其中，所述承载件设置在所述真空腔室内，且包括用于承载晶片的承载面；所述旋转机构用于驱动所述承载件旋转；所述光源设置在所述承载件上方，用以朝向所述承载面的边缘处发射光线；所述光线接收处理装置包括光线接收组件，用于接收所述光线，且将该光线转换为电信号并发送出去；其特征在于， 所述光线接收组件设置在所述真空腔室内所述承载面的下方，且位于紧靠所述承载面的位置处。2.根据权利要求1所述的晶片校准装置，其特征在于，所述光源位于所述真空腔室内紧靠所述承载面的位置处，并且 所述光源相对于所述承载面的高度高于放片高度；所述放片高度为预设的在机械手将晶片传输至所述真空腔室内的所述承载面上方时，所述晶片相对于所述承载面的高度。3.根据权利要求2所述的晶片校准装置，其特征在于，所述光源相对于所述承载面的高度不小于所述放片高度的0.5倍。4.根据权利要求1所述的晶片校准装置，其特征在于，所述光线接收处理装置还包括处理单元，所述处理单元用于接收由所述光线接收组件发送而来的电信号，并根据所述电信号进行数据处理和计算，以获得所述晶片相对于所述承载面的位置偏差。5.根据权利要求4所述的晶片校准装置，其特征在于，所述处理单元设置在所述真空腔室的外部。6.根据权利要求1所述的晶片校准装置，其特征在于，所述光线接收组件与所述承载面之间的竖直间距为2?10mm。7.根据权利要求6所述的晶片校准装置，其特征在于，所述光线接收组件与所述承载面之间的竖直间距为3mm。8.根据权利要求1所述的晶片校准装置，其特征在于，所述光线接收组件包括透镜、光学组件和CXD传感器，其中 所述透镜用于将来自所述光源的光线转换为朝向所述光线组件照射的平行光； 所述光线组件用于滤除所述平行光中的杂光； 所述CCD传感器用于将滤除杂光后的光线转换为电信号，并将其发送出去。9.一种半导体加工设备，其包括晶片校准装置，用于检测所述晶片的位置偏差，其特征在于，所述晶片校准装置采用权利要求1-8任意一项所述的晶片校准装置。
【专利摘要】本发明提供一种晶片校准装置以及半导体加工设备，包括真空腔室、承载件、旋转机构、光源以及光线接收处理装置，其中，承载件设置在真空腔室内，且包括用于承载晶片的承载面；旋转机构用于驱动承载件旋转；光源设置在承载件上方，用以朝向承载面的边缘处发射光线；光线接收处理装置包括光线接收组件，用于接收光线，且将该光线转换为电信号并发送出去；该光线接收组件设置在真空腔室内承载面的下方，且位于紧靠承载面的位置处。本发明提供的晶片校准装置，其可以缩短过渡区的长度，从而不仅可以降低软件的实现难度和硬件成本，而且还可以降低对安装精度和校准精度要求，进而可以降低生产成本。
【IPC分类】H01L21/67, H01L21/673
【公开号】CN105097601
【申请号】CN201410154937
【发明人】李靖
【申请人】北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
【公开日】2015年11月25日
【申请日】2014年4月17日