简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0062]图1为本发明的实施例提供的一种阵列基板的结构示意图；
[0063]图2为本发明的实施例提供的另一种阵列基板的结构示意图；
[0064]图3为本发明的实施例提供的又一种阵列基板的结构示意图；
[0065]图4为本发明的另一实施例提供的一种阵列基板的结构示意图；
[0066]图5为本发明的实施例提供的一种阵列基板中的有机材料功能层的结构示意图；
[0067]图6为本发明的实施例提供的一种阵列基板的制作方法的流程示意图；
[0068]图7为本发明的实施例提供的另一种阵列基板的制作方法的流程示意图；
[0069]图8为本发明的实施例提供的又一种阵列基板的制作方法的流程示意图；
[0070]图9为本发明的实施例提供的一种显示面板的结构示意图；
[0071]图10为本发明的实施例提供的另一种显示面板的结构示意图。
[0072]附图标记:1_衬底基板；2-第一电极层；3_像素界定层；4_有机材料功能层；5-第二电极层；6_第一子像素；7_第二子像素；8_第三子像素；9-开口 ； 10-彩色滤光层；11-封装层；40_第一空穴功能层；401_第一空穴注入层；402_第一空穴传输层；41_第一发光层；42_第一界面修饰层；43_第二空穴功能层；431_第二空穴注入层；432_第二空穴传输层；44_第二界面修饰层；45_第二发光层；46_第二电子功能层；461_第二电子传输层；47-第一电子功能层；471_第一电子传输层；48_电子传输附加层；12_阵列基板；13_封装基板。
【具体实施方式】
[0073]下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
[0074]本发明的实施例提供一种阵列基板，参照图1所示，该阵列基板包括:衬底基板1，形成在衬底基板I上的第一电极层2，形成在第一电极层2上的像素界定层3，像素界定层3上具有使第一电极层2裸露的开口，有机材料功能层4形成在第一电极层2上与开口 9对应的位置，形成在有机材料功能层4上的第二电极层5，阵列基板包括第一子像素6、第二子像素7和第三子像素8，其中:
[0075]其中，彩色滤光层的厚度可以为I?2.5 μπι。
[0076]第一子像素对应的有机材料功能层4和第二子像素对应的有机材料功能层4之间不设置像素界定层。
[0077]第一子像素对应的有机材料功能层与第二子像素对应的有机材料功能层相同。
[0078]具体的，本发明实施例中将第一子像素对应的有机材料功能层和第二子像素对应的有机材料功能层设置为相同，这样第一子像素对应的发光层的发光颜色和第二子像素对应的发光层的发光颜色可以相同例如可以为黄色，第三子像素对应的发光层还是设置发光颜色为蓝色；与现有技术方案中的阵列基板的结构相比，第一子像素对应的有机材料功能层和第二子像素对应的有机材料功能层不同，即第一子像素对应的发光层的发光颜色为红色，第二子像素对应的发光层的发光颜色为绿色，第三子像素对应的发光层的发光颜色为蓝色，本发明中的其中一个子像素的尺寸是原来的一个子像素的尺寸的两倍，子像素的尺寸增大，从而在进行子像素对应的有机材料功能层的制作的时候，不会因为制作设备的精度的问题而影响最终形成的显示面板的分辨率。
[0079]本发明的实施例提供的阵列基板，该阵列基板的第一子像素和第二子像素对应的有机材料功能层之间不设置像素界定层，并且第一子像素对应的有机材料功能层和第二子像素对应的有机材料功能层相同，这样形成的阵列基板中的子像素的尺寸增大，克服了现有的工艺中制作设备无法实现更高分辨率的缺点，解决了基于现有的OLED结构在形成过程中由于制作工艺的限制，形成的产品分辨率较低的问题，提高了 OLED显示器件的分辨率，提高了画面的显示质量。
[0080]进一步，该阵列基板还包括彩色滤光层10，其中:
[0081]如图2中所示，彩色滤光层10设置在第一电极层2靠近衬底基板I 一侧的面上；此时，形成的OLED结构为底发射结构。
[0082]或者，如图3和4中所示，彩色滤光层10还可以设置在第二电极层5远离有机材料功能层4的一侧；其中，需要说明的是此时的彩色滤光层的位置包括有两种可实现的方案:第一种可行的方案是将彩色滤光层直接设置在第二电极层上，此种情况下彩色滤光层与第二电极层是直接接触的；第二种可行的方案是先在第二电极层上设置封装层，然后将彩色滤光层设置在封装层上，此种情况下的彩色滤光层与第二电极层之间具有封装层。
[0083]具体的，对应第一种可行的方案，如图3中所示，彩色滤光层10设置在第二电极层5远离有机材料功能层4 一侧的面上；此时，形成的OLED结构为顶发射结构。
[0084]具体的，对应第二种可行的方案，如图4中所示，该阵列基板还包括设置在第二电极层5上的封装层11，彩色滤光层10设置在封装层11上；此时，形成的OLED结构为顶发射结构。
[0085]其中，第一子像素6的颜色可以为红色，第二子像素7的颜色可以为绿色，第三子像素8的颜色可以为蓝色，彩色滤光层10包括对应第一子像素的红色滤光层和对应第二子像素的绿色滤光层。因此，由于增加了彩色滤光层，最终形成的显示器件可以正常的实现彩色画面的显示。
[0086]具体的，如图5中所示，第一子像素和第二子像素对应的有机材料功能层4依次包括:第一空穴功能层40、第一发光层41和第一界面修饰层42，第三子像素对应的有机材料功能层4依次包括:第二空穴功能层43、第二界面修饰层44、第二发光层45和第二电子功能层46，其中:该第一子像素和第二子像素对应的有机材料功能层还包括电子传输附加层48，
[0087]电子传输附加层48设置在第一子像素和第二子像素对应的有机材料功能层4中的第一界面修饰层42的上面。
[0088]第二发光层45和电子传输附加层48同层形成。
[0089]具体的，第一发光层可以是采用溶液法制程工艺制作形成的，第二发光层和电子传输附加层48可以是采用蒸镀法制程工艺形成的，因为第一发光层对应的子像素的尺寸增大，可以解决溶液法制备工艺中设备精细度较低的问题，可以满足产品的高分辨率的要求；同时，由于第二发光层和电子传输附加层48同时可以采用蒸镀法来形成，因为第二发光层和电子传输附加层48是贯穿整个子像素单元，因此不需要使用精细掩膜板，降低了工艺难度，降低了生产成本。需要说明的是，本发明中电子在经过第一发光层和第一界面修饰层之后到达电子传输层，此时电子传输附加层中的电子实现的是传输电子的功能。
[0090]进一步，如图5中所示，第一子像素和第二子像素对应的有机材料功能层4还包括:第一电子功能层47，其中:
[0091]第一电子功能层47设置在电子传输附加层48的上面。
[0092]其中，如图5中所示，以第一空穴功能层40包括:第一空穴注入层401和第一空穴传输层402，第二空穴功能层43包括:第二空穴注入层431和第二空穴传输层432，第一电子功能层47包括第一电子传输层471，第二电子功能层46包括第二电子传输层461为例进行说明。
[0093]第一发光层41、第二发光层45和电子传输附加层48的厚度为15?80nm。
[0094]优选的，第二发光层45和电子传输附加层48的厚度为20nm，第一发光层41的厚度为60nm。
[0095]其中，第二发光层45和电子传输附加层48的材料可以相同。
[0096]第二发光层45和电子传输附加层48采用同一材料通过同一构图工艺形成，在制作的过程中进一步可以减低工艺难度，节省成产成本。
[0097]具体的，第一电极层的厚度可以为50?135nm，第二电极层的厚度可以为50?300nm,第一电子功能层和第二电子功能层的厚度可以为20nm，第一界面修饰层和第二界面修饰层的厚度可以为I?3nm。当然，本实施例附图5中只是举例说明第一子像素、第二子像素和第三子像素对应的有机材料功能层的各个膜层结构，并没有限定只能使如图中所示，实际应用中只要是，满足本发明中要求的各个膜层的相应功能的结构均可以适用。
[0098]本发明的实施例提供的阵列基板，该阵列基板的第一子像素和第二子像素对应的有机材料功能层之间不设置像素界定层，并且第一子像素对应的有机材料功能层和第二子像素对应的有机材料功能层相同，这样形成的阵列基板中的子像素的尺寸增大，克服了现有的工艺中制作设备无法实现更高分辨率的缺点，解决了基于现有的OLED结构在形成过程中由于制作