一种具有双层空穴传输层的有机电致发光器件的制作方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及有机电致发光器件技术领域，特别是一种具有双层空穴传输层的有机 电致发光器件。
【背景技术】
[0002] 有机电致发光器件OLED的发光层主要米用全焚光材料、全磷光材料或焚光材料 和磷光材料混合的方式进行制作。对有机电致发光元件施加电压时，来自阳极、阴极的空穴 和电子分别被注入，被注入的空穴和电子在发光层内发生重组而生成激子。其自旋状态中， 单重态激子为25wt%、三重态激子为75wt%。以往已知的荧光元件中，单重态激子在基态 弛豫时会发出光，而剩余的三重态激子则不会发光而经由热失活过程返回至基态。然而，根 据 S. E Bachilo 等（J· Phys. Cem. A，104, 7711 (2000))，最初生成的 75wt % 的三重态激子中， 1/5会变为单重态激子。
[0003] TTF(Triplet-Triplet Fusion，三线态-三线态融合）现象是指由三重态激子的 碰撞聚变而生成单重态激子的现象，若利用该TTF现象，则不仅最初生成的25wt%的单重 态激子，由三重态激子的碰撞聚变而生成的单重态激子也可利用于发光，从而可提高元件 的发光效率。
[0004] 为了有效地引起TTF现象，需要将与单重态激子相比激子寿命显著延长的三重态 激子限域于发光层内。目前利用TTF现象来实现有机电致发光器件的高效发光的研究主要 集中在发光主体、发光染料以及发光层与电子传输层之间的阻隔层等方面，通过对这些材 料的设计，能够有效的产生TTF现象。但是由于在目前蓝色荧光的应用上多采用的是蒽类 衍生物主体，导致发光区域更靠近空穴传输层一侧，所以在空穴传输层一侧增加三线态激 子阻挡层就变得很有必要。一般来说，由于空穴传输层材料的三线态能级高于蒽类蓝光主 体，所以空穴传输层会对蒽类蓝光主体的三线态激子有一定的阻挡作用。但是由于空穴传 输材料的HOMO能级高于蓝光发光主体材料，导致两者会形成低能量的激基复合物，从而导 致效率降低。
[0005] 在已公开的关于多层的空穴传输层的专利中，如CN201010281439. 8， CN201310002065. 5, CN201310186916. 6, CN201010597815. 4,都是利用多层空穴传输层 来改善空穴传输，阻挡电子，使空穴电子更平衡，以达到提高效率和改善寿命的目的，但 均未提及TTF现象，也未对空穴传输层的单线态能级搭配和三线态能级给出限制；在已 公开的关于 TTF 的相关专利中，如 CN201180003302, CN201280007957, CN201180002877， CN201180002920, CN201180003216等专利中，其采用的空穴传输材料的HOMO能级与发光 主体材料的LUMO能级差别较大（空穴传输材料的Η0Μ0能级大于发光主体材料的LUMO能 级），两种材料之间就会形成激基复合物，而形成的激基复合物的能量会低于发光染料的能 量，就会使发光染料的能量向激基复合物传递，造成染料的发光效率降低。
【发明内容】
[0006] 为此，本发明所要解决的技术问题在于现有技术中不能有效地引起TTF现象的问 题，进而提供一种有机电致发光器件，其具有的双层空穴传输层能够有效地引起TTF现象， 进而带来器件的功耗明显降低，效率大为提高的有益效果。
[0007] 为解决上述技术问题，本发明采用如下技术方案：
[0008] -种有机电致发光器件，包括基板，以及依次形成在所述基板上的第一电极层、若 干个发光单元层和第二电极层，所述的发光单元层包括依次设置在所述第一电极层上的空 穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层，所述空穴传输层包括由第一空 穴传输材料构成的第一空穴传输层和由第二空穴传输材料构成的第二空穴传输层，所述第 二空穴传输层设置在所述第一空穴传输层与所述发光层之间；
[0009] 所述第二空穴传输材料小于所述第一空穴传输材料的HOMO能级，且所述第二空 穴传输材料与发光主体材料的HOMO能级差< 0. 2eV ;
[0010] 第二空穴传输材料高于发光主体材料的三线态能级Ετ。
[0011] 所述第一空穴传输层的厚度10_40nm，所述第二空穴传输层的厚度l-30nm。
[0012] 优选地，所述第一空穴传输层的厚度15-25nm，所述第二空穴传输层的厚度 5_15nm〇
[0013] 最优选地，所述第一空穴传输层的厚度20nm，所述第二空穴传输层的厚度10nm。
[0014] 所述第一空穴传输材料为芳胺类和枝聚物族类低分子材料。
[0015] 所述第一空穴传输材料为N，N' -二-(1-萘基）_N，N' -二苯基-1，1-联苯 基-4,4-二胺（陬8)或乂^-二苯基，州'-双（间甲基苯基）-1，1'-联苯基-4,4'-二 胺（Tro)。
[0016] 所述第二空穴传输材料为式（HTM2)所示结构：
[0017]
[0018] 本发明的上述技术方案相比现有技术具有以下优点：
[0019] (1)本发明的发明人大胆采用双层空穴传输层作为本发明的空穴传输层，这第二 空穴传输材料的三线态能级大于主体材料的三线态能级Et，可以更好的限制主体的三线 态激子在发光层之内，从而有效的形成TTF (Triplet-Triplet Fusion，三线态-三线态融 合），大幅提尚监光有机电致发光器件的效率。
[0020] (2)本发明的空穴传输层包括第一空穴传输材料构成的第一空穴传输层和由第二 空穴传输材料构成的第二空穴传输层，所述第二空穴传输材料小于所述第一空穴传输材料 的Η0Μ0能级，且所述第二空穴传输材料与发光主体材料的Η0Μ0能级差< 0. 2eV，因此所 述空穴传输材料和发光主体材料，器件能有效的避免空穴传输层与发光主体形成激基复合 物，避免效率的降低，从而进一步提尚效率。
[0021] (3)本发明的两种空穴传输材料的HOMO能级能避免单层空穴传输层与空穴注入 层材料之间的势皇，起到降低电压的作用。
[0022] (4)此外，本发明的有机电致发光器件不需要设置阻挡层，可以节省原材料，简化 制备工艺。
【附图说明】
[0023] 为了使本发明的内容更容易被清楚地理解，下面根据本发明的具体实施例并结合 附图，对本发明作进一步详细的说明，其中
[0024] 图1为现有技术的发光器件结构示意图；
[0025] 其中：1_基板，2-第一电极层，3-空穴注入层，41-第一空穴传输层，42-第二空穴 传输层，5-发光单元层，6-电子传输层，7-电子注入层，8-第二电极层。
【具体实施方式】
[0026] 为了使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明的实 施方式作进一步地详细描述。
[0027] 本发明可以以许多不同的形式实施，而不应该被理解为限于在此阐述的实施例。 相反，提供这些实施例，使得本公开将是彻底和完整的，并且将把本发明的构思充分传达给 本领域技术人员，本发明将仅由权利要求来限定。在附图中，为了清晰起见，会夸大层和区 域的尺寸和相对尺寸。应当理解的是，当元件例如层、区域或基板被称作"形成在"或"设置 在"另一元件"上"时，该元件可以直接设置在所述另一元件上，或者也可以存在中间元件。 相反，当元件被称作"直接形成在"或"直接设置在"另一元件上时，不存在中间元件。
[0028] 如图1所示，本发明有机电致发光器件包括基板1，以及依次形成在所述基板上的 第一电极层2 (阳极）、若干个发光单元层5和第二电极层8 (阴极），所述的发光单元层5包 括依次设置在所述第一电极层2上的空穴注入层3、空穴传输层、发光层、电子传输层6和电 子注入层7,所述空穴传输层包括由第一空穴传输材料构成的第一空穴传输层41和由第二 空穴传输材料构成的第二空穴传输层42,所述第二空穴传输层41设置在所述第一空穴传 输层41与所述发光层之间，所述第二空穴传输材料小于所述第一空穴传输材料的HOMO能 级，且所述第二空穴传输材料与发光主体材料的HOMO能级差< 0. 2eV，具体是指第二空穴 传输材料的电离能不大于发光主体的电离能〇. 2ev ;第二空穴传输材料高于发光主体材料 的三线态能级Ετ。所述第一空穴传输层41的10-40nm，优选15-25nm，最优选20nm，所述第 二空穴传输层42的厚度l-30nm，优选5-15nm，最优选IOnm0
[0029] 所述第一空穴传输材料为芳胺类和枝聚物族类低分子材料，具体为 N，Ν' -二-(1-萘基）-Ν，Ν' -二苯基-1，1-联苯基-4, 4-二胺（NPB)或 N，Ν' -二苯 基-Ν，Ν' -双（间甲基苯基）-1，Γ -联苯基_4,4' -二胺（TPD)。<