r>[0087]
[0088] 从上表的各材料的Tl数据看出，EMLl的Tl能级小于HTM2-1、HTM2-2、Dopantl、 BPhen，使得EMLl的三线态激子被幽禁在发光层之内，其三线态激子能量不会因向相邻材 料的能量传递而损失，从而能有效的发生自身的TTA现象，提尚器件效率；
[0089] 表2为器件1-5性能数据
[0090]
[0091] 本发明器件实施例1和实施例2与对比例1相比，采用本发明制备的蓝光器件获 得了更高的电流效率，原因在于，HTM2-1和HTM2-2相对于NPB具有更高的三线态能级，更 能有效的幽禁EMLl的三线态激子，从而更有效的产生TTA现象，得到更高的器件效率；同时 由于第二空穴传输材料的HOMO能级高于NPB的HOMO能级，从而能够有效的避免空穴传输 材料和发光主体材料之间形成激基复合物，从而降低效率，以上两方面使得实施例1和实 施例2相对于比较例1具有更高的效率。
[0092] 实施例1和和实施例2与对比例2相比，虽然两种器件都能够产生很好的TTA现 象，从而提高器件效率，但是单层的第二空穴传输材料作为空穴传输层，由于第二空穴传输 材料的Η0Μ0能级较高，使得其与HIL层材料的能级差较大，势皇很大，所以电压较高。
[0093] 实施例1与实施例2相比，器件具有基本一致的器件性能，说明本发明，只要不同 HTM2的物理性能基本一致，由采用不同的双层空穴传输材料构成的空穴传输层都具有较好 的器件效果。
[0094] 实施例1与实施例3、实施例4、实施例5分别相比，器件具有基本一致的器件性 能，说明本发明由采用相同材料不同厚度的双层空穴传输材料构成的空穴传输层都具有较 好的器件效果。
[0095] 从上述器件效果可以看出，采用双层HTL材料可以在电压基本不变的情况下，大 幅的提尚器件效率。
[0096] 以上器件所采用的材料并不具有唯一性，只要材料和器件的相关能级参数，符合 上述要求，也可以有效的产生TTF现象，大幅提高器件效率。
[0097] 实施例6
[0098] 其他蒸镀方式及膜厚都与实施例1相同，唯一不同的是，第一空穴传输层HTMl采 用NPB，第二空穴传输层采用HTM2-2，HTM1蒸镀速率为0. lnm/s，HTM2-2蒸镀速率为0.1 nm/ s，第一空穴传输层41的厚度25nm，所述第二空穴传输层42的厚度5nm。
[0099] 器件6的结构为，
[0100] ITO/HAT(CN)6(5nm)/NPB(25nm)/HTM2-2(5nm)
[0101] /H0STl:5wt% Dopantl (30nm)/Bphen (20nm)/LiF (0. 5nm)/Al (150nm)
[0102] 实施例7
[0103] 其他蒸镀方式及膜厚都与实施例1相同，唯一不同的是，空穴传输层采第一空穴 传输材料HTMl为N，N' -二苯基-N，N' -双（间甲基苯基）-1，Γ -联苯基_4,4' -二胺 (TH))，第二空穴传输层采用HTM2-2，HTM1蒸镀速率为0. lnm/s，HTM2-2蒸镀速率为0.1 nm/ s，第一空穴传输层41的厚度20nm，所述第二空穴传输层42的厚度IOnm ;
[0104] 器件7的结构为，
[0105] ITO/HAT(CN)6(5nm)/TPD(20nm)/HTM2-2(IOnm)
[0106] /H0STl:5wt% Dopantl (30nm)/Bphen (20nm)/LiF (0. 5nm)/Al (150nm)
[0107] 实施例8
[0108] 其他蒸镀方式及膜厚都与实施例1相同，唯一不同的是，空穴传输层采第一空穴 传输材料HTMl为N，N' -二苯基-N，N' -双（间甲基苯基）-1，Γ -联苯基_4,4' -二胺 (TH))，第二空穴传输层采用HTM2-2, TMl蒸镀速率为0. lnm/s，HTM2-2蒸镀速率为0.1 nm/ s,第一空穴传输层41的厚度15nm，所述第二空穴传输层42的厚度15nm。
[0109] 器件8的结构为，
[0110] ITO/HAT(CN)6(5nm)/TPD(15nm)/HTM2-2(15nm)
[0111] /H0STl:5wt% Dopantl (30nm)/Bphen (20nm)/LiF (0. 5nm)/Al (150nm)
[0112] 实施例9
[0113] 其他蒸镀方式及膜厚都与实施例1相同，唯一不同的是，空穴传输层采第一空穴 传输材料HTMl为N，N' -二苯基-N，N' -双（间甲基苯基）-1，Γ -联苯基_4,4' -二胺 (TH))，第二空穴传输层采用HTM2-1，HTM1蒸镀速率为0. lnm/s，HTM2-l蒸镀速率为0.1 nm/ s，，第一空穴传输层41的厚度10nm，所述第二空穴传输层42的厚度20nm〇
[0114] 器件9的结构为，
[0115] ITO/HAT(CN)6(5nm)/TPD(IOnm)/HTM2-1(20nm)
[0116] /H0STl:5wt% Dopantl (30nm)/Bphen (20nm)/LiF (0. 5nm)/Al (150nm)
[0117] 表3为器件6-9性能数据
[0118]
[0119] 上述实施例中，采用不同的HTMl及HTM2搭配，或者是采用两者不同的厚度搭配， 仍然具有较好的器件效果。
[0120] 显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明所作的举例，而并非对实施方式的限定。对 于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或 变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引伸出的显而易见的变化或 变动仍处于本发明创造的保护范围之中。
【主权项】
1. 一种有机电致发光器件，包括基板（1)，以及依次形成在所述基板上的第一电极层 (2)、若干个发光单元层（5)和第二电极层（8)，所述的发光单元层包括依次设置在所述第 一电极层（2)上的空穴注入层（3)、空穴传输层、发光层、电子传输层（6)和电子注入层 (7)，其特征在于， 所述空穴传输层包括由第一空穴传输材料构成的第一空穴传输层（41)和由第二空穴 传输材料构成的第二空穴传输层（42)，所述第二空穴传输层（41)设置在所述第一空穴传 输层（41)与所述发光层之间； 所述第二空穴传输材料小于所述第一空穴传输材料的HOMO能级，且所述第二空穴传 输材料与发光主体材料的HOMO能级差< 0. 2eV; 第二空穴传输材料高于发光主体材料的三线态能级ET。2. 根据权利要求1所述有机电致发光器件，其特征在于，所述第一空穴传输层（41)的 厚度10-40nm，所述第二空穴传输层（42)的厚度l-30nm。3. 根据权利要求2所述有机电致发光器件，其特征在于，所述第一空穴传输层（41)的 厚度15-25nm，所述第二空穴传输层（42)的厚度5-15nm〇4. 根据权利要求2所述有机电致发光器件，其特征在于，所述第一空穴传输层（41)的 厚度20nm，所述第二空穴传输层（42)的厚度10nm。5. 根据权利要求1所述有机电致发光器件，其特征在于，所述第一空穴传输材料为芳 胺类和枝聚物族类低分子材料。6. 根据权利要求7所述有机电致发光器件，其特征在于，所述第一空穴传输材料 为N，N' -二-(1-萘基）-N，N' -二苯基-1,1-联苯基-4,4-二胺（NPB)或N，N' -二苯 基-N，N' -双（间甲基苯基）-1，1' -联苯基_4,4' -二胺（TPD)。7. 根据权利要求7所述有机电致发光器件，其特征在于，所述第二空穴传输材料为式 (HTM2)所示结构：
【专利摘要】本发明涉及一种具有双层空穴传输层的有机电致发光器件。所述空穴传输层包括由第一空穴传输材料构成的第一空穴传输层和由第二空穴传输材料构成的第二空穴传输层，所述第二空穴传输层设置在所述第一空穴传输层与所述发光层之间；所述第二空穴传输材料小于所述第一空穴传输材料的HOMO能级，且所述第二空穴传输材料与发光主体材料的HOMO能级差≤0.2eV；第二空穴传输材料高于发光主体材料的三线态能级ET。本发明的有机电致发光器件具有的双层空穴传输层能够有效地引起TTF现象，进而带来器件的功耗明显降低，效率大为提高的有益效果。
【IPC分类】H01L51/54, H01L51/50
【公开号】CN105098086
【申请号】CN201510388091
【发明人】范洪涛, 汤金明, 任雪艳
【申请人】北京鼎材科技有限公司, 固安鼎材科技有限公司
【公开日】2015年11月25日
【申请日】2015年7月3日