br>[0030] 所述第二空穴传输材料为式（ΗΤΜ2-1和ΗΤΜ2-2)所示结构：
[0031]
[0032] 该有机电致发光器件的制备方法包括下述步骤：
[0033] 本发明的有机电致发光器件的基板1是透明基体，可以是玻璃基板或是柔性基 板，柔性基板采用聚酯类、聚酰亚胺类化合物中的一种材料，基板1上面带有第二电极层 2(第一电极层）。本发明使用的是玻璃基板。
[0034] 所述第二电极层2 (阳极）可以采用无机材料或有机导电聚合物，无机材料一般为 氧化铟锡（ITO)、氧化锌、氧化锡锌等金属氧化物或金、铜、银等功函数较高的金属，最优化 的选择为ΙΤ0,有机导电聚合物优选为聚噻吩/聚乙烯基苯磺酸钠（以下简称PEDOT :PSS)、 聚苯胺（以下简称PANI)中的一种材料。本发明优选ITO (氧化铟锡）做阳极材料。
[0035] 所述第二电极层8(阴极）一般采用锂、镁、钙、锶、铝、铟等功函数较低的金属或它 们与铜、金、银的合金，或金属与金属氟化物交替形成的电极层，如，依次的Mg: Ag合金层与 Ag层、依次的氟化锂或氮化锂层与Ag层、依次的氟化锂或氮化锂层与Al层，本发明中选择 错。
[0036] 所述空穴注入层3 (HIL)采用的是HAT (CN) 6。
[0037] 所述空穴传输层4 (HTL)采用第一空穴传输材料HTMl和第二空穴传输材料HTM2 搭配组成，第一空穴传输材料HTMl，使用的材料一般为芳胺类和枝聚物族类低分子材料，如 N，Ν' -二-(1-萘基）-N，Ν' -二苯基-1，1-联苯基-4, 4-二胺（NPB)、Ν，Ν' -二苯基-N，Ν' -双 (间甲基苯基）-1，Γ -联苯基-4, 4' -二胺（TPD)等，本实施例的HTMl采用NPB ;第二种材 料ΗΤΜ2采用下述结构的材料。
[0038] 所述发光单元层5 (EML)为蓝光发光层，厚度为：0-50nm。其中包括发光主体和掺 杂染料，掺杂染料为蓝色荧光染料。
[0039] 所述蓝色发光层一般选自ADN及其衍生物，染料选自式（BD-I)所示或式（BD-2) 所示或式（Dopantl)所示，本专利所述发光主体采用的是H0ST1，荧光染料采用的是 Dopantl0
[0040] 所述电子传输层6 (ETL)采用的是BPhen。
[0041 ] 在本发明中的实施例中提到的化学物质的结构式如下：
[0042]
[0044] 实施例1
[0045] 本发明中有机电致发光器件所采用的结构为：
[0046] 基片/阳极/空穴注入层（HIL)/第一空穴传输层（HTLl)/第二空穴传输层 (HTL2)/有机发光层（EML)/电子传输层（ETL)/电子注入层（EIL)/阴极。
[0047] 器件1的结构为：
[0048] ITO/HAT(CN)6(5nm)/NPB(20nm)/HTM2-1(IOnm)/HOSTl:5 % Dopantl(30nm)/ Bphen(20nm)/LiF(0. 5nm)/Al(150nm)
[0049] 本发明的有机电致发光器件的制备方法如下：
[0050] (1)处理基板1
[0051] 将涂布了 ITO透明导电层的玻璃板在清洗剂中超声处理，在去离子水中冲洗，在 丙酮：乙醇混合溶剂（体积比1 :1)中超声除油，在洁净环境下烘烤至完全除去水份，然后 用紫外光和臭氧清洗，并用低能阳离子束轰击表面，从而使得玻璃板带有第一电极层2 ;
[0052] (2)蒸镀有机发光功能层
[0053] 把上述带有第一电极层2的玻璃基片置于真空腔内，抽真空至1X10 6至 2X10 4Pa，在上述第一电极层2上真空蒸镀HAT(CN)6作为空穴注入层3,蒸镀速率为 0· 05nm/s，蒸镀厚度为5nm ;
[0054] 在空穴注入层3之上蒸镀NPB作为第一空穴传输层41，具体制备方法为：蒸镀速 率为0. lnm/s，蒸镀膜厚为20nm ;在NPB之上蒸镀HTM2-1作为第二空穴传输层42,蒸镀速 率为0· lnm/s，蒸镀膜厚为IOnm ;;
[0055] 在空穴传输层之上蒸镀发光层5,发光层5由主体材料HOSTl和掺杂染料Dopantl 组成。具体制备方法为：以共蒸的方式真空蒸镀本发明的主体材料和掺杂染料作为发光层 5,主体材料蒸镀速率为0. lnm/s，掺杂染料蒸镀速率为0. 005nm/s，蒸镀总膜厚为30nm ;
[0056] 在发光层5之上真空蒸镀一层Bphen为器件的电子传输层6,其蒸镀速率为 0· lnm/s，蒸镀总膜厚为20nm ;
[0057] 在电子传输层6上真空蒸镀0· 5nm的LiF作为电子注入层和厚度为150nm的Al 层作为器件的阴极8。
[0058] 对比例1
[0059] 作为实施例1的对比例，其他蒸镀方式及膜厚都与实施例1相同，唯一不同的是， 空穴传输层采用单一的NPB，蒸镀速率为0. lnm/s，蒸镀膜厚为30nm ;
[0060] 对比器件1的结构为：
[0061] ITO/HAT(CN)6(5nm)/NPB(30nm)/HOSTl:5 % Dopantl(30nm)/Bphen(20nm)/ LiF(0· 5nm)/Al(150nm)
[0062] 对比例2
[0063] 作为实施例1的对比例，其他蒸镀方式及膜厚都与实施例1相同，唯一不同的是， 空穴传输层采用单一的HTM2-1，蒸镀速率为0. lnm/s，蒸镀膜厚为30nm ;
[0064] 对比器件2的结构为：
[0065] ITO/HAT (CN) 6 (5nm) /HTM2-1 (30nm) /HOST1:5 % Dopantl (30nm) /Bphen (20nm) / LiF(0· 5nm)/Al(150nm)
[0066] 实施例2
[0067] 其他蒸镀方式及膜厚都与实施例1相同，唯一不同的是，第一空穴传输层采用 NPB，第二空穴传输层采用HTM2-2, NPB蒸镀速率为0. lnm/s，HTM2-2蒸镀速率为0. lnm/s， 第一空穴传输层41的厚度20nm，所述第二空穴传输层42的厚度IOnm ;
[0068] 器件2的结构为：
[0069] ITO/HAT(CN)6(5nm)/NPB(20nm)/HTM2-2(IOnm)/
[0070] H0STl:5wt% Dopantl (30nm)/Bphen (20nm)/LiF (0. 5nm)/Al (150nm)
[0071] 实施例3
[0072] 其他蒸镀方式及膜厚都与实施例1相同，唯一不同的是，第一空穴传输层采用 NPB，第二空穴传输层采用HTM2-1，NPB蒸镀速率为0. lnm/s，HTM2-1蒸镀速率为0. lnm/s， 第一空穴传输层41的厚度15nm，所述第二空穴传输层42的厚度15nm ;
[0073] 器件3的结构为，
[0074] ITO/HAT(CN)6(5nm)/NPB(15nm)/HTM2-1(15nm)
[0075] /H0STl:5wt% Dopantl (30nm)/Bphen (20nm)/LiF (0. 5nm)/Al (150nm)
[0076] 实施例4
[0077] 其他蒸镀方式及膜厚都与实施例1相同，唯一不同的是，第一空穴传输层采用 NPB，第二空穴传输层采用HTM2-1，NPB蒸镀速率为0. lnm/s，HTM2-1蒸镀速率为0. lnm/s， 第一空穴传输层41的厚度10nm，所述第二空穴传输层42的厚度20nm ;
[0078] 器件4结构为，
[0079] ITO/HAT(CN)6(5nm)/NPB(IOnm)/HTM2-1(20nm)
[0080] /H0STl:5wt% Dopantl (30nm)/Bphen (20nm)/LiF (0. 5nm)/Al (150nm)
[0081] 实施例5
[0082] 其他蒸镀方式及膜厚都与实施例1相同，唯一不同的是第一空穴传输层采用NPB， 第二空穴传输层采用HTM2-1，NPB蒸镀速率为0. lnm/s，HTM2-2蒸镀速率为0. lnm/s，第一 空穴传输层41的厚度25nm，所述第二空穴传输层42的厚度5nm ;
[0083] 器件5的结构为，
[0084] ITO/HAT(CN)6(5nm)/NPB(25nm)/HTM2-1(5nm)
[0085] /H0STl:5wt% Dopantl (30nm)/Bphen (20nm)/LiF (0. 5nm)/Al (150nm)
[0086] 表1为本发明相关材料的能级参数