于所述ONO层表面，所述ONO层的边缘和所述多晶娃栅6的边缘对齐。
[0037]所述源漏区2位于所述多晶硅栅6两侧并和所述多晶硅栅6的边缘自对准。较佳为，所述源漏区2由N型轻掺杂漏注入区和N+源漏注入区组成，所述N型轻掺杂漏注入区和所述多晶硅栅6的两侧边缘自对准，所述N+源漏注入区和所述侧墙8的两侧边缘自对准。所述N型轻掺杂漏注入区的横向延伸到所述多晶硅栅6底部的区域大于所述局部热氧化层7的横向延伸到所述多晶硅栅6底部的区域。
[0038]在所述多晶硅栅6的两侧边缘处还分别形成有局部热氧化层7，所述局部热氧化层7由所述多晶硅栅6形成后对所述多晶硅栅6外的所述硅衬底表面进行热氧化形成，所述局部热氧化层7从所述多晶硅栅6的边缘外侧延伸到所述多晶硅栅6的底部并使所述多晶硅栅6边缘底部的所述隧穿氧化层3增厚，通过增加所述局部热氧化层7的厚度降低所述ONO层中存储电荷的泄漏。
[0039]在所述多晶硅栅6的两侧面形成有由介质层组成的侧墙8，所述侧墙8的底部和所述局部热氧化层7接触。组成所述侧墙8的介质层为氮化硅或氧化硅。
[0040]如图3Α至图3D所示，是本发明实施例方法各步骤中的器件结构示意图。本发明提供的SONOS存储器的制造方法包括如下步骤:
[0041 ] 步骤一、如图3Α所示，在形成有P阱I的硅衬底表面依次形成ONO层和多晶硅层；所述ONO层由依次形成于所述硅衬底表面的隧穿氧化层3，氮化硅层4和顶部氧化层5组成。
[0042]步骤二、如图3Β所示，采用光刻加等离子体刻蚀工艺对所述多晶硅层进行刻蚀形成多晶娃栅6。
[0043]步骤三、如图3C所示，采用等离子体刻蚀工艺对所述多晶硅栅6外部的所述ONO层进行刻蚀，刻蚀后的所述ONO层的边缘和所述多晶硅栅6的边缘对齐；所述ONO层覆盖所述P阱I。
[0044]步骤四、如图3D所示，对所述多晶硅栅6外的所述硅衬底表面进行热氧化形成局部热氧化层7，在所述多晶硅栅6的两侧边缘处所述局部热氧化层7从所述多晶硅栅6的边缘外侧延伸到所述多晶硅栅6的底部并使所述多晶硅栅6边缘底部的所述隧穿氧化层3增厚，通过增加所述局部热氧化层7的厚度降低所述ONO层中存储电荷的泄漏。
[0045]步骤五、如图2所示，以所述多晶硅栅6的边缘为自对准边缘进行N型轻掺杂漏注入，形成的N型轻掺杂漏注入区的横向延伸到所述多晶硅栅6底部的区域大于所述局部热氧化层7的横向延伸到所述多晶硅栅6底部的区域。
[0046]步骤六、如图2所示，在所述多晶硅栅6的两侧面形成由介质层组成的侧墙8，所述侧墙8的底部和所述局部热氧化层7接触。
[0047]较佳为，组成所述侧墙8的介质层为氮化硅或氧化硅。先采用化学气相淀积工艺形成所述介质层，再对所述介质层进行等离子刻蚀形成所述侧墙8。
[0048]步骤七、如图2所示，进行N+源漏注入，由形成的N+源漏注入区和所述N型轻掺杂漏注入区组成源漏区2。
[0049]以上通过具体实施例对本发明进行了详细的说明，但这些并非构成对本发明的限制。在不脱离本发明原理的情况下，本领域的技术人员还可做出许多变形和改进，这些也应视为本发明的保护范围。
【主权项】
1.一种SONOS存储器，其特征在于，包括:形成于硅衬底中的P阱，ONO层，多晶硅栅，源漏区； 所述ONO层位于所述硅衬底的表面并覆盖所述P阱，所述ONO层由依次形成于所述硅衬底表面的隧穿氧化层，氮化硅层和顶部氧化层组成； 所述多晶硅栅叠加于所述ONO层表面，所述ONO层的边缘和所述多晶硅栅的边缘对齐； 所述源漏区位于所述多晶硅栅两侧并和所述多晶硅栅的边缘自对准； 在所述多晶硅栅的两侧边缘处还分别形成有局部热氧化层，所述局部热氧化层由所述多晶硅栅形成后对所述多晶硅栅外的所述硅衬底表面进行热氧化形成，所述局部热氧化层从所述多晶硅栅的边缘外侧延伸到所述多晶硅栅的底部并使所述多晶硅栅边缘底部的所述隧穿氧化层增厚，通过增加所述局部热氧化层的厚度降低所述ONO层中存储电荷的泄漏； 在所述多晶硅栅的两侧面形成有由介质层组成的侧墙，所述侧墙的底部和所述局部热氧化层接触。2.如权利要求1所述的SONOS存储器，其特征在于:所述源漏区由N型轻掺杂漏注入区和N+源漏注入区组成，所述N型轻掺杂漏注入区和所述多晶硅栅的两侧边缘自对准，所述N+源漏注入区和所述侧墙的两侧边缘自对准。3.如权利要求2所述的SONOS存储器，其特征在于:所述N型轻掺杂漏注入区的横向延伸到所述多晶硅栅底部的区域大于所述局部热氧化层的横向延伸到所述多晶硅栅底部的区域。4.如权利要求1所述的SONOS存储器，其特征在于:组成所述侧墙的介质层为氮化硅或氧化硅。5.一种SONOS存储器的制造方法，其特征在于，包括如下步骤: 步骤一、在形成有P阱的硅衬底表面依次形成ONO层和多晶硅层；所述ONO层由依次形成于所述硅衬底表面的隧穿氧化层，氮化硅层和顶部氧化层组成； 步骤二、采用光刻刻蚀工艺对所述多晶硅层进行刻蚀形成多晶硅栅； 步骤三、采用刻蚀工艺对所述多晶硅栅外部的所述ONO层进行刻蚀，刻蚀后的所述ONO层的边缘和所述多晶硅栅的边缘对齐；所述ONO层覆盖所述P阱； 步骤四、对所述多晶硅栅外的所述硅衬底表面进行热氧化形成局部热氧化层，在所述多晶硅栅的两侧边缘处所述局部热氧化层从所述多晶硅栅的边缘外侧延伸到所述多晶硅栅的底部并使所述多晶硅栅边缘底部的所述隧穿氧化层增厚，通过增加所述局部热氧化层的厚度降低所述ONO层中存储电荷的泄漏； 步骤五、以所述多晶硅栅的边缘为自对准边缘进行N型轻掺杂漏注入，形成的N型轻掺杂漏注入区的横向延伸到所述多晶硅栅底部的区域大于所述局部热氧化层的横向延伸到所述多晶硅栅底部的区域； 步骤六、在所述多晶硅栅的两侧面形成由介质层组成的侧墙，所述侧墙的底部和所述局部热氧化层接触； 步骤七、进行N+源漏注入，由形成的N+源漏注入区和所述N型轻掺杂漏注入区组成源漏区。6.如权利要求5所述的SONOS存储器的制造方法，其特征在于:组成所述侧墙的介质层为氮化硅或氧化硅。7.如权利要求5或6所述的SONOS存储器的制造方法，其特征在于:先采用化学气相淀积工艺形成所述介质层，再对所述介质层进行等离子刻蚀形成所述侧墙。8.如权利要求5所述的SONOS存储器的制造方法，其特征在于:步骤二中采用等离子体刻蚀工艺对所述多晶硅层进行刻蚀。9.如权利要求5所述的SONOS存储器的制造方法，其特征在于:步骤三中采用等离子体刻蚀工艺对所述ONO层进行刻蚀。
【专利摘要】本发明公开了一种SONOS存储器，包括：形成于硅衬底中的P阱，ONO层，多晶硅栅，源漏区；在多晶硅栅的两侧边缘处还分别形成有局部热氧化层，局部热氧化层从多晶硅栅的边缘外侧延伸到多晶硅栅的底部并使多晶硅栅边缘底部的隧穿氧化层增厚，通过增加局部热氧化层的厚度降低所述ONO层中存储电荷的泄漏；在多晶硅栅的两侧面形成有由介质层组成的侧墙，侧墙的底部和所述局部热氧化层接触。本发明还公开了一种SONOS存储器的制造方法。本发明能抑制漏极干扰，同时不会影响正常的编程和擦除操作。
【IPC分类】H01L21/8247, H01L27/115
【公开号】CN105118832
【申请号】CN201510426752
【发明人】陈瑜
【申请人】上海华虹宏力半导体制造有限公司
【公开日】2015年12月2日
【申请日】2015年7月20日