的沟道纳米线。可以在栅极电介质材料上形成栅极电极材料，如方框228所述。
[0031]图18示出了根据本说明的一种实施方式的计算设备300。计算设备300容纳板302。板302可以包括许多部件，这些部件包括但不限于处理器304和至少一个通信芯片306。处理器304物理和电耦合到板302。在一些实施方式中，至少一个通信芯片306也物理和电耦合至板302。在其它实施方式中，通信芯片306是处理器304的部分。
[0032]根据其应用，计算设备300可以包括可以或可以不物理和电耦合到板302的其它部件。这些其它部件包括但不限于易失性存储器(例如，DRAM)、非易失性存储器(例如，R0M)、闪存存储器、图形处理器、数字信号处理器、密码处理器、芯片组、天线、显示器、触摸屏显示器、触摸屏控制器、电池、音频编解码器、视频编解码器、功率放大器、全球定位系统(GPS)设备、罗盘、加速度计、陀螺仪、扬声器、照相机和大容量存储设备(例如硬盘驱动器、光盘(CD)、数字多功能盘(DVD)等)ο
[0033]通信芯片306可以实现用于往返于计算设备300的数据传输的无线通信。术语“无线”及其派生词可以用于描述可以通过使用经由非固体介质的经调制的电磁辐射来传递数据的电路、设备、系统、方法、技术、通信信道等。术语并不暗示相关联的设备不包含任何线路，虽然在一些实施例中它们可以不包含线路。通信芯片306可以实施多种无线标准或协议中的任一种，所述多种无线标准或协议包括但不限于W1-Fi (IEEE 802.11族)、WiMAXdEEE 802.16 族)、IEEE 802.20、长期演进(LTE)、Ev_D0、HSPA+、HSDPA+、HSUPA+、EDGE、GSM、GPRS, CDMA, TDMA, DECT、蓝牙、其派生物以及被指定为3G、4G、5G和更高代的任何其它无线协议。计算设备300可以包括多个通信芯片306。例如，第一通信芯片306可以专用于较短距离无线通信，例如W1-Fi和蓝牙，并且第二通信芯片306可以专用于较长距离无线通信，例如 GPS、EDGE、GPRS、CDMA、WiMAX、LTE、Ev-DO 等。
[0034]计算设备300的处理器304包括封装在处理器304内的集成电路管芯。在本说明的一些实施方式中，处理器的集成电路管芯包括一个或多个器件，例如根据本说明的实施方式构建的纳米线晶体管。术语“处理器”可以指代处理来自寄存器和/或存储器的电子数据以将所述电子数据转换成可以存储在寄存器和/或存储器中的其它电子数据的任何设备或设备的部分。
[0035]通信芯片306还可以包括封装在通信芯片306内的集成电路管芯。根据本说明的另一种实施方式，通信芯片的集成电路管芯包括一个或多个器件，例如根据本说明的实施方式构建的纳米线晶体管。
[0036]在其它实施方式中，容纳在计算设备300内的另一个部件可以包含集成电路管芯，其包括一个或多个器件，例如根据本说明的实施方式构建的纳米线晶体管。
[0037]在各种实施方式中，计算设备300可以是膝上型计算机、上网本、笔记本、超级本、智能电话、平板电脑、个人数字助理(PDA)、超级移动PC、移动电话、桌上型计算机、服务器、打印机、扫描仪、监视器、机顶盒、娱乐控制单元、数字照相机、便携式音乐播放器或数字视频记录器。在其它实施方式中，计算设备300可以是处理数据的任何其它电子设备。
[0038]应理解，本说明的主题内容不一定限于图1-18中所示的特定应用。主题内容可以应用于本领域技术人员将理解的其它微电子器件和组件应用、以及任何适当的晶体管应用。
[0039]以下示例属于进一步的实施例，其中，示例I是纳米线晶体管，其包括:至少一个纳米线沟道，其具有第一端、相对的第二端、以及顶表面；靠近至少一个纳米线沟道的第一端设置的第一间隔体、以及靠近纳米线沟道的相对的第二端设置的第二间隔体；第一硬掩模部分，其与第一间隔体和纳米线沟道顶表面邻接；以及第二硬掩模部分，其与第二间隔体和纳米线沟道顶表面邻接。
[0040]在示例2中，示例I的主题内容可以任选地包括栅极电介质材料，其与第一硬掩模部分和第二硬掩模部分之间的纳米线沟道顶表面邻接。
[0041]在示例3中，示例2的主题内容可以任选地包括与栅极电介质材料邻接的栅极电极材料。
[0042]在示例4中，示例I到3中的任一个的主题内容可以任选地包括至少一个纳米线沟道，其包括形成在微电子衬底上方的多个纳米线沟道，其中，纳米线沟道彼此间隔开；并且其中，第一硬掩模部分和第二硬掩模部分与多个纳米线沟道中的距离微电子衬底最远的纳米线沟道的顶表面邻接。
[0043]在示例5中，形成微电子结构的方法可以包括:在微电子衬底上形成鳍状物结构，其中，鳍状物结构包括与至少一个沟道材料层交替的至少一个牺牲材料层、以及距离微电子衬底最远的沟道材料层的顶表面上的硬掩模层；跨鳍状物结构形成至少两个间隔体；选择性地去除沟道材料层之间的牺牲材料层以形成至少一个沟道纳米线；以及从间隔体之间去除硬掩模层以留下硬掩模层的位于间隔体与距离微电子衬底最远的沟道纳米线顶表面之间的部分。
[0044]在示例6中，示例5的主题内容可以任选地包括:在微电子衬底上形成鳍状物结构包括以下步骤，其中，鳍状物结构包括与至少一个沟道材料层交替的至少一个牺牲材料层、以及距离微电子衬底最远的沟道材料层的顶表面上的硬掩模层:形成微电子衬底；形成包括与至少一个沟道材料层交替的至少一个牺牲材料层的堆叠层；在距离微电子衬底最远的沟道材料层的顶表面上形成硬掩模层；以及由分层的堆叠体和硬掩模形成至少一个鳍状物结构。
[0045]在示例7中，示例5到6中的任一个的主题内容可以任选地包括:在至少两个间隔体之间形成牺牲栅极电极材料；去除位于牺牲栅极电极材料和间隔体外部的部分鳍状物结构以暴露微电子衬底的部分；以及在衬底部分上、在鳍状物结构的相对端上形成源极结构和漏极结构。
[0046]在示例8中，示例5到7中的任一个的主题内容可以任选地包括:在源极结构和漏极结构之上形成层间电介质层；以及在选择性地去除沟道材料层之间的牺牲材料层之前从间隔体之间去除牺牲栅极电极材料，以形成至少一个沟道纳米线。
[0047]在示例9中，示例5到8中的任一个的主题内容可以任选地包括:形成栅极电介质材料以包围间隔体之间的沟道纳米线；以及在栅极电介质材料上形成栅极电极材料。
[0048]在示例10中，示例5到9中的任一个的主题内容可以任选地包括由从包括以下材料的组中选择的材料来形成硬掩模层:硅、多孔硅、非晶硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化硅、二氧化硅、碳氮化硅、碳化硅、氧化铝、氧化铪、氧化锆、硅酸钽、氧化镧、以及聚合物材料。
[0049]在示例11中，形成微电子结构的方法可以包括:形成微电子衬底；形成堆叠层，其包括与至少一个沟道材料层交替的至少一个牺牲材料层；在距离微电子衬底最远的沟道材料层的顶表面上形成第一硬掩模层；在第一硬掩模层上形成第二硬掩模层；由分层的堆叠体、第一硬掩模和第二硬掩模形成至少一个鳍状物结构；去除第二硬掩模层；跨鳍状物结构形成至少两个间隔体；选择性地去除沟道材料层之间的牺牲材料层以形成至少一个沟道纳米线；以及从间隔体之间去除第一硬掩模层以留下第一硬掩模层的位于间隔体与距离微电子衬底最远的沟道纳米线顶表面之间的部分。
[0050]在示例12中，示例11的主题内容可以任选地包括:在至少两个间隔体之间形成牺牲栅极电极材料；去除位于牺牲栅极电极材料和间隔体外部的部分鳍状物结构以暴露微电子衬底的部分；以及在衬底部分上、在鳍状物结构的相对端上形成源极结构和漏极结构。
[0051]在示例13中，示例11到12中的任一个的主题内容可以任选地包括:在源极结构和漏极结构之上形成层间电介质层；并且在选择性地去除沟道材料层之间的牺牲材料层之前从间隔体之间去除牺牲栅极电极材料，以形成至少一个沟道纳米线。
[0052]在示例14中，示例11到13中的任一个的主题内容可以任选地包括:形成栅极电介质材料以包围间隔体之间的沟道纳米线；以及在栅极电介质材料上形成栅极电极材料。
[0053]在示例15中，示例11到14中的任一个的主题内容可以任选地包括由从包括以下材料的组中选择的材料来形成硬掩模层:硅、多孔硅、非晶硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化硅、二氧化硅、碳氮化硅、碳化硅、氧化铝、氧化铪、氧化锆、硅酸钽、氧化镧、以及聚合物材料。
[0054]在示例16中，示例11到15中的任一个的主题内容可以任选地包括由从包括以下材料的组中选择的材料来形成第二硬掩模层:硅、多孔硅、非晶硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化硅、二氧化硅、碳氮化硅、碳化硅、氧化铝、氧化铪、氧化锆、硅酸钽、氧化镧、以及聚合物材料。
[0055]在示例17中