机半导体层15，第一有机半导体层15与第一源极12和第一漏极13连接；第一有机半导体层15可以是通过在第一沟道19中涂布有机半导体形成；
[0062]在第一有机半导体层15上形成图案，由此形成所需的电子器件；具体来说，可以在第一有机半导体层15上涂布感光材料，经过曝光、显影、蚀刻等工艺，将第一有机半导体层15图案化。
[0063]需要说明的是，在第一源极12和第一漏极13上形成第一沟道层14和在第一沟道层14中形成第一沟道19可以是分步进行，也可以是同时进行。例如，在一优选实施例中，可以先在第一源极12和第一漏极13上涂布光阻形成第一沟道层14，然后再通过黄光制程在第一沟道层14中形成第一沟道19。在另一优选实施例中，第一沟道层14和第一沟道19可以通过网印、喷印等方法直接形成。
[0064]在一优选实施例中，该有机半导体薄膜晶体管具有顶栅结构，第一源极12和第一漏极13形成于第一基底11上，在第一有机半导体层15上形成图案后，还包括如下步骤:
[0065]在第一沟道层14上形成第一栅极绝缘层16，第一栅极绝缘层16覆盖第一有机半导体层15 ;该第一栅极绝缘层16可通过在第一沟道层14及第一有机半导体层15上涂布可图案化的有机介电材料制成；
[0066]在第一栅极绝缘层16上方形成第一栅极17。
[0067]请参考图2，本发明第四实施例也提供一种有机半导体薄膜晶体管的制造方法，其包括如下步骤:
[0068]形成间隔设置的第二源极24和第二漏极25 ;在本实施例中，第二源极24和第二漏极25可通过黄光制程形成；
[0069]在第二源极24和第二漏极25上形成第二沟道层26 ;具体地，第二沟道层26可以由可图案化的材料(例如光阻或其他可图案化的介电材料)制成，其可以通过涂布在第二源极24和第二漏极25上形成；
[0070]在第二沟道层26中形成第二沟道29，第二沟道29使第二源极24和第二漏极25至少部分露出，在本实施例中，第二源极24和第二漏极25的部分上表面及两者相对的侧边面均露出；第二沟道层26和第二沟道29的形成方式与第一沟道层14和第一沟道19类似，可以分步形成，也可以同时形成；
[0071]在第二沟道29中填充第二有机半导体层27，第二有机半导体层27与第二源极24和第二漏极25连接；第二有机半导体层27可以是通过在第二沟道29中涂布有机半导体形成；
[0072]在第二有机半导体层27上形成图案，由此形成所需的电子器件；具体来说，可以在第二有机半导体层27上涂布感光材料，经过曝光、显影、蚀刻等工艺，将第二有机半导体层27图案化。
[0073]在上述第三和第四实施例中，由于沟道的深度和延伸方向均是在制程过程中容易控制为具有较好的一致性，因此将有机半导体材料填充在沟道层的沟道中形成有机半导体层，相较于直接涂布有机半导体，采用该种方法制造的不同有机半导体薄膜晶体管，其有机半导体层的厚度会更加均匀，而且有机半导体材料也更容易顺着沟道的方向排列，也即有机半导体材料的排列方向的一致性也更好，因此使得不同元件中的有机半导体薄膜晶体管均具有较为均一的特性。此外，这种方法所形成的有机半导体层的膜厚也较厚，使得有机半导体薄膜晶体管的机械性能更好。
[0074]在进一步的优选实施例中，该有机半导体薄膜晶体管具有底栅结构，在形成间隔设置的第二源极24和第二漏极25的步骤之前，还包括如下步骤:
[0075]在第二基底21上形成第二栅极22 ;
[0076]在第二基底21上形成第二栅极绝缘层23，第二栅极绝缘层23覆盖第二栅极22，第二源极24和第二漏极25形成于第二栅极绝缘层23的上方。
[0077]在上述实施例中，第一栅极17和第二栅极22均可通过黄光制程或印制制程形成，印制制程可以是网印、喷印等。
[0078]在一优选实施例中，在第一沟道19中填充第一有机半导体层15时，是在第一沟道19中涂布流体形态的有机半导体，流体形态的有机半导体排列以形成第一有机半导体层15。由于流体形态的有机半导体可以在第一沟道19中流动，因此可以使第一有机半导体层15的厚度更均匀，而且有机半导体材料也更容易顺着第一沟道19的延伸方向排列，烤干后第一有机半导体层15的排列特性更好，因此使得有机半导体薄膜晶体管的机械和电学性能更好。类似地，第二有机半导体层27也可通过上述方式形成。
[0079]在一优选实施例中，在第一沟道19中填充第一有机半导体层15之前，利用等离子体对第一沟道19进行表面处理，由此提高第一有机半导体层15的附着力。类似地，在第二沟道29中填充第二有机半导体层27之前，也可利用等离子体对第二沟道29进行表面处理。
[0080]请参考图5至图8，本发明实施例还提供一种显示装置的背板4，其上设置有显示区域41，显示区域41下设置有薄膜晶体管阵列，薄膜晶体管阵列包括多个上述任一实施例所述的有机半导体薄膜晶体管。需要说明的是，图5至图8以第二实施例中具有底栅结构的有机半导体薄膜晶体管作为示例来展示该背板4，但第一实施例中具有顶栅结构的有机半导体薄膜晶体管同样可以应用于该背板4中。
[0081]在一优选实施例中，请参考图6，薄膜晶体管阵列在沿第二有机半导体层27的涂布方向上分布有多个有机半导体薄膜晶体管，相邻有机半导体薄膜晶体管的沟道29彼此相通，从而使得涂布有机半导体材料时可以连续完成多个有机半导体薄膜晶体管的涂布。
[0082]在一优选实施例中，薄膜晶体管阵列包括多个呈矩阵分布的有机半导体薄膜晶体管，相邻有机半导体薄膜晶体管的沟道层彼此相接，通过如此设置，有利于简化该薄膜晶体管阵列的制程。
[0083]请参考图7，薄膜晶体管阵列在沿第二有机半导体层27的涂布方向上分布有多个有机半导体薄膜晶体管，薄膜晶体管阵列其中一端或两端(也即涂布方向的首端和末端)的有机半导体薄膜晶体管上设置有分流道42，分流道42与第二沟道层26连接且间隔设置以露出第二沟道29，即第二沟道29的端部位于两分流道42之间，未被分流道42堵住。在本实施例中，薄膜晶体管阵列在第二有机半导体层27的涂布方向的两端的有机半导体薄膜晶体管均设置有分流道42。该分流道42可起到导流作用，以便于涂布第二有机半导体层27。优选地，分流道42呈三角形、椭圆形、半圆形或梯形，分流道42与第二沟道层26连接一端的宽度大于远离第二沟道层26 —端的宽度。
[0084]请参考图8，薄膜晶体管阵列在沿第二有机半导体层27的涂布方向上分布有多个有机半导体薄膜晶体管，薄膜晶体管阵列在涂布方向末端的有机半导体薄膜晶体管上设置有阻挡结构43，阻挡结构43与第二沟道29相接并阻挡第二沟道29，也即在第二有机半导体层27的涂布方向上，第二沟道29的末端被堵塞，有机半导体材料无法从第二沟道29末端流出薄膜晶体管阵列。当涂布有机半导体材料形成第二有机半导体层27后，第二有机半导体层27与阻挡结构43相接。在进一步的优选实施例中，第二有机半导体层27的涂布方向首端的有机半导体薄膜晶体管上连接有分流道42，分流道42与第二沟道层26连接且间隔设置以露出第二沟道29。通过如此设置，有利于涂布有机